一種電極結構、其制作方法、顯示基板及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種電極結構、其制作方法、顯示基板及顯示
目.0
【背景技術】
[0002]目前，柔性顯示技術發(fā)展迅速，柔性顯示裝置憑借其輕薄、耐用、可彎曲等特性，已經(jīng)成為顯示領域的重要發(fā)展方向。
[0003]柔性顯示裝置中的電極，例如像素電極，需要具有良好的機械強度和柔韌性，以滿足柔性顯示裝置的可彎曲特性。由于諸如氧化銦錫(Indium Tin Oxides, ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxides, IZO)等透明導電氧化物材料的機械強度和柔韌性較差，因此，透明導電氧化物不適于制作柔性顯示裝置中的電極?，F(xiàn)有的柔性顯示裝置一般采用碳材料制作電極，雖然采用碳材料可以滿足柔性顯示裝置對機械強度和柔韌性的要求，但采用碳材料制作的電極的方阻較大，會增加柔性顯示裝置的功耗。
[0004]因此，如何制作具有較低方阻值的柔性電極，以適用于柔性顯示中，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種電極結構、其制作方法、顯示基板及顯示裝置，用以制作具有較低方阻值的柔性電極，以適用于柔性顯示中。
[0006]因此，本發(fā)明實施例提供了一種電極結構的制作方法，包括:
[0007]在襯底基板上形成碳納米管膜層薄膜；
[0008]采用改性材料對所述碳納米管膜層薄膜進行摻雜工藝處理，對經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜進行構圖工藝，形成包括第一電極的圖形；或者，對所述碳納米管膜層薄膜進行構圖工藝，形成包括碳納米管電極的圖形，采用改性材料對所述碳納米管電極的圖形進行摻雜工藝處理，形成包括第一電極的圖形。
[0009]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，在形成包括第一電極的圖形之后，還包括:
[0010]在形成有所述第一電極的圖形的襯底基板上采用高導電性材料形成保護層薄膜；
[0011]對所述保護層薄膜進行構圖工藝，形成包括與所述第一電極的圖形一一對應的第二電極的圖形；其中，所述第二電極的圖形至少覆蓋對應的第一電極的圖形的上表面。
[0012]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，在形成有所述第一電極的圖形的襯底基板上采用高導電性材料形成保護層薄膜，具體包括:
[0013]在形成有所述第一電極的圖形的襯底基板上涂布聚3，4_乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽材料、聚對苯撐乙烯材料、聚噻吩類材料、聚硅烷類材料、三苯甲烷類材料、三芳胺類材料和吡唑啉類材料中的一種或幾種，并對其進行干燥處理。
[0014]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，在對碳納米管膜層薄膜進行摻雜工藝處理之后，在對經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜進行構圖工藝之前，還包括:
[0015]在經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜上采用高導電性材料形成保護層薄膜；
[0016]對經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜進行構圖工藝，具體包括:
[0017]對所述保護層薄膜和所述經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜進行構圖工藝，形成包括第一電極和第二電極的圖形；其中，所述第二電極的圖形與所述第一電極的圖形一一對應，且所述第二電極的圖形至少覆蓋對應的第一電極的圖形的上表面。
[0018]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，在經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜上采用高導電性材料形成保護層薄膜，具體包括:
[0019]在經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜上涂布聚3，4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽材料、聚對苯撐乙烯材料、聚噻吩類材料、聚硅烷類材料、三苯甲烷類材料、三芳胺類材料和吡唑啉類材料中的一種或幾種，并對其進行干燥處理。
[0020]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，在襯底基板上形成碳納米管膜層薄膜，具體包括:
[0021 ] 在襯底基板上涂布碳納米管分散液；
[0022]對涂布的碳納米管分散液進行干燥處理。
[0023]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，在襯底基板上形成碳納米管膜層薄膜，具體包括:
[0024]在襯底基板上涂布固化材料；
[0025]采用拉膜工藝在所述固化材料上形成碳納米管膜層薄膜；
[0026]對形成有所述碳納米管膜層薄膜的襯底基板進行固化處理。
[0027]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，對碳納米管膜層薄膜進行摻雜工藝處理，具體包括:
[0028]將形成有碳納米管膜層薄膜的襯底基板置于改性溶液中，放置預設時長；
[0029]從所述改性溶液中取出所述襯底基板，采用去離子水對所述襯底基板進行清洗；
[0030]對經(jīng)過清洗后的襯底基板進行干燥處理；
[0031]對碳納米管電極的圖形進行摻雜工藝處理，具體包括:
[0032]將形成有碳納米管電極的圖形的襯底基板置于改性溶液中，放置預設時長；
[0033]從所述改性溶液中取出所述襯底基板，采用去離子水對經(jīng)過所述襯底基板進行清洗；
[0034]對經(jīng)過清洗后的襯底基板進行干燥處理。
[0035]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，將形成有碳納米管膜層薄膜的襯底基板置于改性溶液中，放置預設時長，具體包括:
[0036]將形成有碳納米管膜層薄膜的襯底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亞硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一種或幾種溶液中，放置5min_30min ；
[0037]將形成有碳納米管電極的圖形的襯底基板置于改性溶液中，放置預設時長，具體包括:
[0038]將形成有碳納米管電極的圖形的襯底基板置于二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亞硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一種或幾種溶液中，放置 5min_30mino
[0039]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，對碳納米管膜層薄膜進行摻雜工藝處理，具體包括:
[0040]在預設時間內(nèi)，在形成有碳納米管膜層薄膜的襯底基板上噴淋改性溶液；
[0041]采用去離子水對噴淋有所述改性溶液的襯底基板進行清洗；
[0042]對經(jīng)過清洗后的襯底基板進行干燥處理；
[0043]對碳納米管電極的圖形進行摻雜工藝處理，具體包括:
[0044]在預設時間內(nèi)，在形成有碳納米管電極的圖形的襯底基板上噴淋改性溶液；
[0045]采用去離子水對噴淋有所述改性溶液的襯底基板進行清洗；
[0046]對經(jīng)過清洗后的襯底基板進行干燥處理。
[0047]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，在預設時間內(nèi)，在形成有碳納米管膜層薄膜的襯底基板上噴淋改性溶液，具體包括:
[0048]在5min-30min范圍內(nèi)，在形成有碳納米管膜層薄膜的襯底基板上噴淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亞硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一種或幾種；
[0049]在預設時間內(nèi)，在形成有碳納米管電極的圖形的襯底基板上噴淋改性溶液，具體包括:
[0050]在5min-30min范圍內(nèi)，在形成有碳納米管電極的圖形的襯底基板上噴淋二氧化氮溶液、溴溶液、硝酸溶液、亞硫酰氯溶液、全氟化磺酸酯溶液和四氟四氰基醌二甲烷溶液中的一種或幾種。