層薄膜進行激光燒灼工藝。當然，此處的構(gòu)圖工藝并非局限于采用激光燒灼工藝，還可以為諸如光刻等方式，在此不做限定。
[0089]實例二:本發(fā)明實施例提供的電極結(jié)構(gòu)的制作方法，如圖2所示，具體包括如下步驟:
[0090]S201、在襯底基板上形成碳納米管膜層薄膜；
[0091]S202、對碳納米管膜層薄膜進行構(gòu)圖工藝，形成包括碳納米管電極的圖形；
[0092]S203、采用改性材料對碳納米管電極的圖形進行摻雜工藝處理，形成包括第一電極的圖形。
[0093]本發(fā)明實例二提供的上述方法，通過在碳納米管電極的圖形中摻入改性材料可以保證形成的第一電極具有較低的方阻值，因此，采用本發(fā)明實例二提供的上述方法制作的第一電極可以滿足柔性顯示對柔性電極的導電性的要求。
[0094]在具體實施時，由于第一電極的材料為摻有改性材料的碳納米管材料，其穩(wěn)定性較差，因此，在執(zhí)行本發(fā)明實例二中的步驟S203，形成包括第一電極的圖形之后，如圖2所示，還可以包括如下步驟:
[0095]S204、在形成有第一電極的圖形的襯底基板上采用高導電性材料形成保護層薄膜；
[0096]S205、對保護層薄膜進行構(gòu)圖工藝，形成包括與第一電極的圖形一一對應(yīng)的第二電極的圖形；其中，第二電極的圖形至少覆蓋對應(yīng)的第一電極的圖形的上表面；即第二電極可以僅覆蓋對應(yīng)的第一電極的上表面，或者，第二電極也可以覆蓋對應(yīng)的第一電極的上表面和側(cè)面，在此不做限定；這樣，第二電極可以保護第一電極，使第一電極具有良好的穩(wěn)定性。
[0097]在具體實施時，本發(fā)明實例二中的步驟S201在襯底基板上形成碳納米管膜層薄膜的具體實施與實例一中步驟SlOl在襯底基板上形成碳納米管膜層薄膜的具體實施類似，在此不做贅述。
[0098]在具體實施時，本發(fā)明實例二中的步驟S202對碳納米管膜層薄膜進行構(gòu)圖工藝的具體實施與實例一中步驟S103對經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜進行構(gòu)圖工藝的具體實施類似，在此不做贅述。
[0099]在具體實施時，本發(fā)明實例二中的步驟S203采用改性材料對碳納米管電極的圖形進行摻雜工藝處理的具體實施與實例一中步驟S102采用改性材料對碳納米管膜層薄膜進行摻雜工藝處理的具體實施類似，在此不做贅述。
[0100]在具體實施時，本發(fā)明實例二中的步驟S204在形成有第一電極的圖形的襯底基板上采用高導電性材料形成保護層薄膜的具體實施與實例一中步驟S104在形成有第一電極的圖形的襯底基板上采用高導電性材料形成保護層薄膜的具體實施類似，在此不做贅述。
[0101]實例三:本發(fā)明實施例提供的電極結(jié)構(gòu)的制作方法，如圖3所示，具體包括如下步驟:
[0102]S301、在襯底基板上形成碳納米管膜層薄膜；
[0103]S302、采用改性材料對碳納米管膜層薄膜進行摻雜工藝處理；
[0104]S303、在經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜上采用高導電性材料形成保護層薄膜；
[0105]S304、對保護層薄膜和經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜進行構(gòu)圖工藝，形成包括第一電極和第二電極的圖形；其中，第二電極的圖形與第一電極的圖形一一對應(yīng)，且第二電極的圖形至少覆蓋對應(yīng)的第一電極的圖形的上表面；即第二電極可以僅覆蓋對應(yīng)的第一電極的上表面，或者，第二電極也可以覆蓋對應(yīng)的第一電極的上表面和側(cè)面，在此不做限定；這樣，第二電極可以保護第一電極，使第一電極具有良好的穩(wěn)定性。
[0106]本發(fā)明實例三提供的上述方法，通過在碳納米管膜層薄膜中摻入改性材料可以保證形成的第一電極具有較低的方阻值，并且，第一電極上方的第二電極可以保護第一電極以使第一電極具有良好的穩(wěn)定性，因此，采用本發(fā)明實例三提供的上述方法制作的電極不僅可以滿足柔性顯示對柔性電極的導電性的要求，還可以滿足柔性顯示對柔性電極的長期穩(wěn)定性的要求。
[0107]在具體實施時，本發(fā)明實例三中的步驟S301在襯底基板上形成碳納米管膜層薄膜的具體實施與實例一中步驟SlOl在襯底基板上形成碳納米管膜層薄膜的具體實施類似，在此不做贅述。
[0108]在具體實施時，本發(fā)明實例三中的步驟S302采用改性材料對碳納米管膜層薄膜進行摻雜工藝處理的具體實施與實例一中步驟S102采用改性材料對碳納米管膜層薄膜進行摻雜工藝處理的具體實施類似，在此不做贅述。
[0109]在具體實施時，本發(fā)明實例三中的步驟S303在經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜上采用高導電性材料形成保護層薄膜的具體實施與實例一中的步驟S104在形成有第一電極的圖形的襯底基板上采用高導電性材料形成保護層薄膜的具體實施類似，在此不做贅述。
[0110]在具體實施時，本發(fā)明實例二中的步驟S304對保護層薄膜和經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜進行構(gòu)圖工藝的具體實施與實例一中步驟S103對經(jīng)過摻雜工藝處理的碳納米管膜層薄膜進行構(gòu)圖工藝的具體實施類似，在此不做贅述。
[0111]通過實驗測試，采用本發(fā)明實施例提供的上述方法制作的電極結(jié)構(gòu)的電導率可以到達12000s/cm-90000s/cm，方阻值可以達到10 Ω/ □，可以滿足柔性顯示對電極的柔韌性和導電性的要求。
[0112]需要說明的是，采用本發(fā)明實施例提供的上述方法形成的包括第一電極的圖形具體可以為一個整體的結(jié)構(gòu)，例如:液晶顯示面板中整層設(shè)置的公共電極的圖形；或者，也可以為多個獨立的結(jié)構(gòu)，例如:液晶顯示面板中可以獨立顯示的多個像素電極的圖形，在此不做限定。
[0113]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板，包括本發(fā)明實施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)，該顯示基板的實施可以參見上述電極結(jié)構(gòu)的實施例，重復之處不再贅述。
[0114]具體地，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板可以應(yīng)用于高級超維場開關(guān)(Advanced Super Dimens1n Switch, ADS)型液晶顯不面板或平面內(nèi)開關(guān)(In-PlaneSwitch, IPS)型液晶顯不面板，本發(fā)明實施例提供的上述顯不基板可以為ADS型液晶顯不面板或IPS型液晶顯示面板中的陣列基板，本發(fā)明實施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)可以為陣列基板一側(cè)的像素電極或公共電極。本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板也可以應(yīng)用于扭轉(zhuǎn)向列(Twisted Nematic, TN)型液晶顯示面板，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板可以為TN型液晶顯示面板中的陣列基板，本發(fā)明實施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)可以為陣列基板一側(cè)的像素電極；或者，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板也可以為TN型液晶顯示面板中的彩膜基板，本發(fā)明實施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)可以為彩膜基板一側(cè)的公共電極；在此不做限定。
[0115]具體地，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板還可以應(yīng)用于有機電致發(fā)光顯示面板(Organic Electroluminesecent Display, OLED)，本發(fā)明實施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)可以為OLED中的陣列基板一側(cè)的陽極或陰極，在此不做限定。
[0116]當然，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板還可以應(yīng)用于電子紙等顯示裝置，在此不做限定。
[0117]需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板的其他部件和現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)大致相同，在此不作詳述。
[0118]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板，該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述顯示基板的實施例，重復之處不再贅述。
[0119]本發(fā)明實施例提供的一種電極結(jié)構(gòu)、其制作方法、顯示基板及顯示裝置，該電極結(jié)構(gòu)的制作方法包括:在襯