芯片盛放裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及倒裝芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及用于倒裝技術(shù)的芯片盛放裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]倒裝芯片(FlipChip)技術(shù)起源于60年代，由IBM率先研發(fā)出，其原理是在芯片的正負(fù)電極上沉積焊接球，然后將芯片翻轉(zhuǎn)加熱利用熔融的焊接球與基板相結(jié)合。倒裝芯片既是一種芯片互連技術(shù)，又是一種理想的芯片粘接技術(shù)。近年來，倒裝芯片已成為高端器件及高密度封裝領(lǐng)域中經(jīng)常采用的封裝形式。隨著電子封裝越來越趨于向更快、更小、更便宜的方向發(fā)展，倒裝芯片技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域也越來越廣。倒裝芯片將芯片有源區(qū)面對(duì)基板，通過芯片上呈陣列排列的焊接球?qū)崿F(xiàn)芯片與襯底的互連，芯片直接以倒扣方式安裝到印制電路板，從芯片向四周引出連接端，從而大大縮短了互聯(lián)的長(zhǎng)度，減小了 RC延遲，有效地提高了電性能。同時(shí)，在這種倒裝封裝方式中，倒裝占用的面積幾乎與芯片大小一致，從而大大地提高了芯片的排列密度，因此可以使電子封裝達(dá)到最小、最薄。
[0003]在進(jìn)行倒裝芯片的封裝時(shí)，需要將芯片沉積有焊接球的一面朝下放置在一個(gè)臨時(shí)存放的芯片盛放裝置內(nèi)，然后焊接頭吸取適合芯片的吸頭，再移至芯片上方觸碰感應(yīng)到芯片后吸取芯片并送至指定位置進(jìn)行封裝。參閱圖1，為目前常用的芯片盛放裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，為了便于說明，芯片盛放裝置中所盛放的芯片以如圖2a和2b所示的一種芯片30為例來進(jìn)行說明，其中芯片30的正面包括沉積有焊接球320的第一區(qū)310A和第一區(qū)310A周圍的第二區(qū)310B，芯片盛放裝置包括盛放板210和設(shè)于盛放板210上的凹槽而形成的多組用于盛放芯片30的盛放單元220，其中，芯片30的正面朝下安放在所述盛放單元220內(nèi)；盛放單元220的大小略大于芯片30 ;為了保證芯片吸附的成功率，盛放單元220的高度小于芯片30的厚度。
[0004]該芯片盛放裝置中盛放單元的底部是實(shí)心的，因此芯片30的正面與盛放單元220底部會(huì)有直接的物理接觸，這樣就會(huì)帶來兩個(gè)問題:第一，芯片正面易引入不必要的機(jī)械劃傷，而且容易造成盛放單元220底部的粘污；第二，當(dāng)焊接球320采用軟焊接球時(shí)，吸頭觸碰感應(yīng)芯片30時(shí)會(huì)對(duì)芯片30產(chǎn)生一個(gè)向下的壓力，此時(shí)容易出現(xiàn)焊接球320局部被壓塌的現(xiàn)象，甚至?xí)霈F(xiàn)焊接球320粘貼于盛放單元220底部的現(xiàn)象。焊接球320的局部壓塌，會(huì)導(dǎo)致不同焊接球320之間的高度不均勻，從而導(dǎo)致封裝精度的降低；同時(shí)當(dāng)焊接球320具有高密度時(shí)，容易出現(xiàn)相鄰焊接球320之間出的短路現(xiàn)象，因而會(huì)嚴(yán)重影響器件的成品率。而當(dāng)焊接球320粘貼于盛放單元220底部時(shí)，若無外力輔助進(jìn)行剝離，就無法完成芯片30的吸附動(dòng)作，從而影響封裝的進(jìn)程；若有外力輔助進(jìn)行剝離，雖仍可進(jìn)行倒裝，但是由于焊接球320被嚴(yán)重破壞，不僅會(huì)影響封裝精度，而且影響焊接可靠性及器件性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種芯片盛放裝置。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種用于盛放芯片的芯片盛放裝置，所述芯片正面朝下安放在所述盛放裝置中，所述芯片正面包括沉積有焊接球的第一區(qū)和第一區(qū)周圍的第二區(qū)，所述盛放裝置包括盛放板和設(shè)于所述盛放板上的多組盛放單元，所述盛放單元包括用于支撐第二區(qū)的支撐部和設(shè)于所述支撐部上的用于放置第一區(qū)的放置部。
[0007]優(yōu)選地，所述盛放單元由設(shè)于所述盛放板上的凹槽而形成。
[0008]優(yōu)選地，所述芯片安放在所述盛放單元后，所述芯片的上表面高于所述盛放單元周圍的盛放板的上表面。
[0009]優(yōu)選地，所述放置部由設(shè)于所述支撐部上的凹槽而形成。
[0010]優(yōu)選地，所述放置部由設(shè)于所述支撐部上的通孔而形成。
[0011]優(yōu)選地，所述盛放單元略大于所述芯片。
[0012]優(yōu)選地，所述支撐部的寬度不小于所述芯片第一區(qū)的寬度，所述支撐部的厚度不小于所述芯片第二區(qū)與第一區(qū)的厚度差。
[0013]優(yōu)選地，所述盛放單元周圍設(shè)有數(shù)個(gè)倒角圖形，以便于芯片的取放。
[0014]優(yōu)選地，所述倒角圖形為圓形。
[0015]優(yōu)選地，所述盛放板背面設(shè)有凹槽。
[0016]有益效果:
[0017]綜上所述，本發(fā)明提供的芯片盛放裝置，包括用于盛放芯片的多組盛放單元，其中所述盛放單元通過放置部來放置芯片正面沉積有焊接球的第一區(qū)，保證芯片第一區(qū)的表面與盛放單元底部有一定的距離，從而避免了芯片正面的物理劃傷和污染；同時(shí)，還可以避免吸頭觸碰感應(yīng)芯片時(shí)造成的焊接球局部壓塌而導(dǎo)致的焊接球之間高度不均勻的現(xiàn)象以及焊接球粘貼于盛放單元底部而造成的相鄰焊接球之間的短路或者無法正常完成焊接球吸附的現(xiàn)象，從而提高了封裝的精度及焊接的可靠性，增加了器件的成品率及器件性能。
【附圖說明】
[0018]圖1為現(xiàn)有的一種芯片盛放裝置。
[0019]圖2為一種芯片結(jié)構(gòu)不意圖，其中圖2a為芯片的正面結(jié)構(gòu)不意圖；圖2b為芯片的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例1提供的芯片盛放裝置，其中，圖3a為芯片盛放裝置正面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3b為圖3a中芯片盛放裝置沿A-A方向的剖視圖；圖3c為圖3a中芯片盛放裝置的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖4為本發(fā)明實(shí)施例2提供的芯片盛放裝置，其中，圖4a為芯片盛放裝置正面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4b為圖4a中芯片盛放裝置沿B-B方向的剖視圖。
[0022]圖5為本發(fā)明實(shí)施例3提供的芯片盛放裝置，其中，圖5a為芯片盛放裝置正面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5b為圖5a中芯片盛放裝置沿C-C方向的剖視圖；圖5c為圖5a中芯片盛放裝置的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為了更好地闡述本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)和結(jié)構(gòu)，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0024]為了便于說明，在以下實(shí)施例中，我們采用如圖2a和2b所示的芯片為例來進(jìn)行說明，其中芯片30的正面包括沉積有焊接球320的第一區(qū)310A和第一區(qū)310A周圍的第二區(qū)310B。
[0025]實(shí)施例1
[0026]參閱圖3a和3b，為本實(shí)施例提供的芯片盛放裝置，包括盛放板110和設(shè)于盛放板110上的凹槽而形成的盛放單元120，其中，芯片30正面朝下放置于盛放單元120中，因此盛放單元120不小于芯片30的大小。
[0027]盛放單元120包括支撐部121和設(shè)于支撐部121上的凹槽而形成的放置部122 ；支撐部121用于支撐芯片30的第二區(qū)310B，在一種優(yōu)選的方案中，支撐部121的寬度不小于第二區(qū)310B的寬度；放置部122用于放置芯片30的第一區(qū)310A，因此放置部122的長(zhǎng)度和寬度不小于芯片30的第一區(qū)310A的長(zhǎng)度和寬度，同時(shí)，放置部122的長(zhǎng)度和寬度小于芯片30的長(zhǎng)度和寬度；為了防止焊接球320與放置部122底部接觸，放置部122的厚度不小于芯片30第一區(qū)310A與第二區(qū)310B的厚度差。為了保證芯片吸附的成功率，盛放單元120周圍盛放板110的上表面與支撐部121上表面高度差小于芯片30第二區(qū)310B的厚度，即當(dāng)芯片30正面朝下放置于盛放單元120中后，芯片30的上表面高于盛放單元120周圍的盛放板110的上表面。
[0028]同時(shí)，為了方便芯片的取放，盛放單元120的周圍設(shè)有數(shù)個(gè)倒角圖形。在一種優(yōu)選的方案中，倒角圖形