一種rfid電子標簽倒封裝熱壓裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及RFID電子標簽封裝裝置領(lǐng)域，特別涉及一種RFID電子標簽倒封裝熱壓裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前的RFID標簽封裝熱壓裝置一般都是采用上下熱壓頭雙向加熱、單向施壓模式，采用氣缸控制壓力。如圖1所示為下熱壓頭施壓，下熱壓頭10安裝在氣缸40的活塞桿41頂部，通過氣閥42輸出的氣壓推動活塞桿41向上運動，進而帶動下熱壓頭10向上運動，直至下熱壓頭10將芯片30熱壓在上熱壓頭11底部。此時可得出芯片30所受壓力=氣閥壓力-下熱壓頭重量-活塞桿與氣腔內(nèi)壁摩擦力，由于活塞桿與氣腔內(nèi)壁摩擦力不能精確控制，而活塞桿與氣腔內(nèi)壁摩擦力所產(chǎn)生的誤差的數(shù)量級同芯片封裝所需壓力為同一數(shù)量級，嚴重影響壓力施加精度，使各個熱壓頭封裝的芯片與天線間間隙不相等，造成各個成品標簽的分布電容分散性變大，壓力過小時還容易造成封裝不牢，壓力過大時甚至?xí)剐酒a(chǎn)生裂痕，對標簽品質(zhì)都產(chǎn)生嚴重不良影響。
[0003]目前還有中國專利授權(quán)公告號CN202695395U(授權(quán)公告日2013.01.23)公開了一種RFID標簽封裝熱壓裝置，該RFID標簽封裝熱壓裝置通過在上熱壓頭本體與發(fā)熱裝置之間設(shè)有使發(fā)熱裝置移動的恒壓氣缸。由于在上熱壓頭本體與發(fā)熱裝置之間設(shè)有恒壓氣缸，在上熱壓頭與下熱壓頭配合將芯片與天線固化時，每個恒壓氣缸的壓力相同，即使在一個或多個上熱壓頭與下熱壓頭之間的間距不相同時，也可以使得上熱壓頭與下熱壓頭對芯片的壓力相同，避免多個上熱壓頭與多個下熱壓頭之間壓力不一致產(chǎn)生的誤差。但是上述專利需要多個恒壓氣缸配合工作，大大增加了設(shè)備的成本以及增加了工作同步性的難度。并且，上述專利也沒有解決精確控制氣缸內(nèi)摩擦力問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足和缺陷，通過一種結(jié)構(gòu)簡單且實用性強的RFID標簽倒封裝熱壓裝置，以解決上述問題。
[0005]本發(fā)明所解決的技術(shù)問題可以采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0006]一種RFID電子標簽倒封裝熱壓裝置，包括設(shè)置在上基座底部的上熱壓頭結(jié)構(gòu)和設(shè)置在下基座頂部的下熱壓頭結(jié)構(gòu)，所述上熱壓頭結(jié)構(gòu)和所述下熱壓頭結(jié)構(gòu)之間形成芯片熱壓區(qū)域，其特征在于，所述上基座或/和所述下基座為升降式的基座；
[0007]所述上熱壓頭結(jié)構(gòu)包括:
[0008]底部具有開口的支承筒，所述支承筒的頂部可移動地配置在所述上基座底部上，
[0009]浮動配置在所述支承筒內(nèi)腔的壓力主體，所述壓力主體與所述支承筒的內(nèi)壁間隙配合，
[0010]設(shè)置在所述壓力主體底部的上加熱體；
[0011]所述下熱壓頭結(jié)構(gòu)包括:
[0012]下支承體，所述下支承體的底端可移動地配置在所述下基座上，
[0013]設(shè)置在所述下支承體頂部的下加熱體；
[0014]當所述上加熱體壓在芯片上時，芯片受到其頂部施壓物一個恒定的壓力。
[0015]在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述支承筒相對的兩側(cè)壁分別開設(shè)有豎條形孔，所述壓力主體被一兩端浮動設(shè)置在所述豎條形孔內(nèi)的定位銷穿過。
[0016]在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述壓力主體的頂部與支承筒內(nèi)腔頂部之間通過一沒有彈性的繩索連接。
[0017]在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述上基座和所述下基座均由可磁化材料制成，所述支承筒的頂部和所述下支承體的底部分別通過永磁鐵可移動地配置在所述上基座底部上以及所述下基座頂部上。
[0018]在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述上加熱體和下加熱體均為恒溫加熱體。
[0019]在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述恒溫加熱體為陶瓷PTC。
[0020]在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述上加熱體和所述壓力主體之間設(shè)置有上隔熱體，所述下加熱體和所述下支承體之間設(shè)置有下隔熱體。
[0021]在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述上基座為升降式的基座，所述下基座為固定式的基座，所述上基座與一直線運動驅(qū)動機構(gòu)連接，所述直線運動驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動所述上基座升降，且所述直線運動驅(qū)動機構(gòu)的最大行程與所述上基座的升降行程相適配，以保證上加熱體能夠完全壓在芯片上。
[0022]在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，所述支承筒頂部與壓力主體頂部之間留有可配置配重塊的調(diào)整空腔。
[0023]由于采用了如上的技術(shù)方案，本發(fā)明的壓力主體浮動且間隙配置在支承筒內(nèi)腔，當上加熱體壓在芯片上時，壓力主體與支承筒內(nèi)壁之間不存在摩擦力，使得芯片受到其頂部施壓物一個恒定的壓力，保證所有的芯片所受到的壓力是相等的，進而保證產(chǎn)品性能的一致性，降低封裝環(huán)節(jié)損耗，提高產(chǎn)品良率。另外，本發(fā)明還可以利用上熱壓頭結(jié)構(gòu)向下熱壓頭結(jié)構(gòu)運動的單方向方式進行熱壓，降低了同步性的操作難度。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的RFID標簽封裝熱壓裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖2是本發(fā)明實施例1的上加熱體未壓在芯片上時的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖3是圖2的I處放大剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖4是圖3的側(cè)視圖。
[0029]圖5是本發(fā)明實施例1的上加熱體壓在芯片上時的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖6是圖5的I處放大剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖7是圖6的側(cè)視圖。
[0032]圖8是本發(fā)明實施例2的上加熱體未壓在芯片上時的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖9是圖8的II處放大剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖10是本發(fā)明實施例2的上加熱體壓在芯片上時的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖11是圖10的II處放大剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0036]為了使本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面進一步闡述本發(fā)明。
[0037]實施例1
[0038]參見圖2至圖7所示，一種RFID電子標簽倒封裝熱壓裝置包括上基座100、下基座200、上熱壓頭結(jié)構(gòu)300和下熱壓頭結(jié)構(gòu)400，上熱壓頭結(jié)構(gòu)300和下熱壓頭結(jié)構(gòu)400的數(shù)量可以根據(jù)需要而設(shè)定，上熱壓頭結(jié)構(gòu)300設(shè)置在上基座100底部，下熱壓頭結(jié)構(gòu)400設(shè)置在下基座200頂部，上熱壓頭結(jié)構(gòu)300和下熱壓頭結(jié)構(gòu)400之間形成芯片熱壓區(qū)域a。
[0039]本實施例中的上基座100為升降式的基座，下基座200為固定式的基座，上基座100與一直線運動驅(qū)動機構(gòu)(圖中未示出)連接，直線運動驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動上基座100升降，且直線運動驅(qū)動機構(gòu)的最大行程與上基座100的升降行程相適配，本實施例中的直線運動驅(qū)動機構(gòu)為電機驅(qū)動的絲桿，也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到的其他直線運動驅(qū)動機構(gòu)。
[0040]上熱壓頭結(jié)構(gòu)300包括支承筒310、壓力主體320和上加熱體330，支承筒310的底部具有開口 311，支承筒310的頂部可移動地配置在上基座100底部上，以適應(yīng)不同芯片的分布位置。本實施例中，上基座100由可磁化材料制成，而支承筒310的頂部開設(shè)有凹槽313，在凹槽313內(nèi)嵌裝有永磁鐵350，通過永磁鐵350與上基座100的吸附作用，可以使得支承筒310的頂部