有機發(fā)光顯示器件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器件及其制造方法，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光顯示器件是主動發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)，OLED具有高對比度、廣視角、低功耗、體積更薄等優(yōu)點，有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。
[0003]有機發(fā)光顯示器件通常包括陽極、處于陽極上的有機發(fā)射層以及處于有機發(fā)射層上的陰極。在有機發(fā)光顯示器件中，當在陽極和陰極之間施加電壓時，從陽極向有機發(fā)射層注入空穴，并從陰極向有機發(fā)射層注入電子。注入有機發(fā)射層的空穴和電子在有機發(fā)射層中結(jié)合產(chǎn)生電子空穴對，當從激發(fā)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榛鶓B(tài)時這些電子空穴對發(fā)光，這種有機發(fā)光顯示器件可以根據(jù)反射層位置的不同進行分類。例如，在底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示器件中，通過上述現(xiàn)象產(chǎn)生的光從基板向下發(fā)射；而在頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示器件中，從基板向上發(fā)光。另外，它可以根據(jù)驅(qū)動方式的不同進一步分類為無源矩陣與有源矩陣。
[0004]傳統(tǒng)地，在頂部發(fā)射型的陽極結(jié)構(gòu)中，應選用具有光學反射性能和適當功函的導電層，到目前為止，沒有能夠同時滿足這些性能的、適當?shù)膯我徊牧稀，F(xiàn)有技術(shù)中，通常把反射層制成多層結(jié)構(gòu)，形成具有優(yōu)異反射效率的反射層及具有高功函的發(fā)射電極。然而，在如上所述的多層結(jié)構(gòu)中，在使用蝕刻過程中，反射層的反射材料與發(fā)射電極的電極材料之間會發(fā)生電化腐蝕，并可能沿著兩者之間的界面擴散。同時，在制造過程中，這兩種材料相互作用可能會發(fā)生化學反應形成氧化物；或者因工藝異常，造成陽極與漏電極之間的接觸電阻提高，導致基板中接觸電阻的離散，從而造成像素間發(fā)光亮度不一致。
[0005]因此，有必要對現(xiàn)有的技術(shù)進行改進，以解決以上技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種新型的有機發(fā)光顯示器件及其制造方法，避免反射材料與電極材料之間的電化腐蝕。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種有機發(fā)光顯示器件的制造方法，其包括如下步驟:
[0008]S1:在基板上沉積SiNx層以及反射層；
[0009]S2:沉積覆蓋所述SiNx層及所述反射層的S1層；
[0010]S3:制作多晶硅層，接著在所述多晶硅層上沉積柵絕緣層，接著在所述柵絕緣層上濺射第一金屬層并形成柵極，接著形成層間絕緣層并在所述層間絕緣層上沉積第二金屬層作為導電層；所述多晶硅層包括源極以及漏極，所述導電層與所述源極及漏極相連接；以及
[0011]S4:沉積鈍化絕緣層，接著采用濺射的方法形成發(fā)射電極，所述發(fā)射電極與所述導電層相連接。
[0012]作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案，步驟SI中，首先在所述基板上沉積所述SiNx層，采用光刻的方法，形成圖案；接著繼續(xù)沉積所述反射層，采用光刻的方法形成圖案。
[0013]作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案，步驟SI中，所述反射層的反射材料為Al、Al的合金、Al-Nd, Ag或者Ag的合金當中的一種或者多種。
[0014]作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案，步驟S3中，采用化學氣相沉積的方法，在所述多晶硅層上沉積所述柵絕緣層；采用光刻的方法蝕刻所述第一金屬層以形成所述柵極；采用化學氣相沉積的方法，形成所述層間絕緣層；采用光刻的方法蝕刻所述第二金屬層，形成作為所述導電層的圖形。
[0015]作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案，步驟S3中，在形成所述層間絕緣層之后、制作所述導電層之前還包括如下步驟:
[0016]采用光刻的方法在所述層間絕緣層上形成接觸孔圖案，再采用干刻的方法在所述層間絕緣層上形成第一接觸孔；所述導電層通過所述第一接觸孔與所述源極及漏極相連接。
[0017]作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案，步驟S4中，采用化學氣相沉積的方法沉積所述鈍化絕緣層；在形成所述鈍化絕緣層之后、制作所述發(fā)射電極之前還包括采用光刻的方法在所述鈍化絕緣層上形成第二接觸孔的步驟；所述發(fā)射電極通過所述第二接觸孔與所述導電層相連接。
[0018]作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案，所述制造方法在步驟S4之后，還包括如下步驟:
[0019]S5:采用化學氣相沉積的方法，繼續(xù)沉積柱體，并采用光刻的方法形成圖形，得到所述有機發(fā)光顯示器件。
[0020]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)方案:一種有機發(fā)光顯示器件，其包括反射層、多晶硅層、柵極、導電層、發(fā)射電極，所述多晶硅層包括源極以及漏極，所述導電層與所述源極及漏極相連接，所述發(fā)射電極與所述導電層相連接，所述反射層與所述發(fā)射電極是分離的。
[0021]作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案，所述有機發(fā)光顯示器件還包括基板、SiNx層、S1層、柵絕緣層、層間絕緣層、鈍化絕緣層以及柱體，其中所述反射層以及所述SiNx層沉積在所述基板上，所述S1層覆蓋所述SiNx層及所述反射層，所述多晶硅層沉積在所述S1層上，所述柵絕緣層沉積在所述多晶硅層上，所述柵極位于所述多晶硅層之上，所述層間絕緣層沉積在所述柵絕緣層及所述柵極上，所述導電層沉積在所述層間絕緣層上，所述鈍化絕緣層沉積在所述導電層及所述層間絕緣層上，所述柱體沉積在所述鈍化絕緣層及所述發(fā)射電極上。
[0022]作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案，所述反射層的反射材料為Al、Al的合金、Al-Nd, Ag或者Ag的合金當中的一種或者多種；所述發(fā)射電極的電極材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過將發(fā)射電極和反射層分離開來進行單獨制作，從而解決發(fā)射電極與反射層一同相鄰制作的弊端，解決了現(xiàn)有技術(shù)蝕刻構(gòu)圖過程中反射層的反射材料與發(fā)射電極的電極材料之間可能發(fā)生的電化腐蝕；解決了反射材料與電極材料間可能因化學反應或者工藝異常，而造成陽極與漏電極之間的接觸電阻提高或者離散的問題；解決了在濕蝕刻過程中，反射材料蝕刻速率過快，可能會導致側(cè)表面的成膜出現(xiàn)沉積失敗或者成孔，從而引發(fā)有機發(fā)光元件存在缺陷的問題。另外，依據(jù)不同的設(shè)計，可將反射層制作在不同的層別上，同時分離出來的反射層可以用來制作電容或者外圍線路的配線。
【附圖說明】
[0024]圖1為本發(fā)明有機發(fā)光顯示器件的制造方法中，單獨制作反射層的截面示意圖。
[0025]圖2為本發(fā)明在圖1的基礎(chǔ)上形成S1層的截面示意圖。
[0026]圖3為本發(fā)明在圖2的基礎(chǔ)上形成多晶硅半導體層、柵絕緣層、柵極、層間絕緣層、以及導電層的橫截面示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明在圖3的基礎(chǔ)上形成鈍化絕緣層、發(fā)射電極的橫截面示意圖；
[0028]圖5為在圖4的基礎(chǔ)上形成柱體，以得到本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器件的橫截面示意圖。
【具體實施方式】
[0029]請參圖1至圖5所示，本發(fā)明揭示了一種有機發(fā)光顯示器件100的制造方法，其包括如下步驟:
[0030]S1:請參圖1所示，首先在陣列基板11 (例如玻璃等)上沉積SiNx層12，采用光刻的方法，形成圖案；接著繼續(xù)沉積反射層13，采用光刻的方法，形成圖案。所述反射層13的反射材料可以是Al、Al的合金、Al-Nd、Ag、或者Ag的合金等。
[0031]S2:請參圖2所示，接著在圖1的基礎(chǔ)上整面沉積S1層21，所述S1層21覆蓋所述SiNx層12及所述反射層13。
[0032]S3:請參圖3所示，接著在圖2的基礎(chǔ)上繼續(xù)沉積半導體層(一般為非晶硅層)，然后采用光刻的方法，形成半導體島狀圖形。采用準分子激光退火(ELA)或固相晶化(SPC)等方法，形成多晶硅層(P_Si)31。接著，采用化學氣相沉