一種oled器件的封裝方法及一種oled器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平面顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種包含支柱結(jié)構(gòu)的玻璃料密封有機(jī)發(fā)光顯示器的封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為新一代的顯不器件，OLED(Organic Electroluminesence Display)器件即有機(jī)發(fā)光顯示器有著傳統(tǒng)顯示器不可比擬的優(yōu)勢，如自發(fā)光、不需要背光源、可實(shí)現(xiàn)超薄顯示和柔性顯示、驅(qū)動(dòng)電壓低、省電、反應(yīng)速度快等等。但是OLED器件對(duì)氧氣和濕氣非常敏感，受到氧氣和濕氣侵襲會(huì)性能劣化最終失效。因此封裝工藝對(duì)OLED器件壽命的影響很大。目前采用玻璃料封裝方法密封保護(hù)OLED器件被廣泛使用。
[0003]現(xiàn)有的玻璃料封裝方法如圖1所示，在平板狀的封裝蓋板104的周緣設(shè)置玻璃料密封框103，玻璃料密封框103貼合封裝蓋板104與OLED基板101，激光固化玻璃料密封框103完成封裝。這種方法封裝得到的產(chǎn)品，封裝蓋板104、0LED基板101及玻璃料密封框103之間形成一密閉空間，發(fā)光器件102密封于該密閉空間內(nèi)。這種封裝方式得到的OLED器件，封裝蓋板104與OLED基板101之間存在微米級(jí)高度的間隙。該間隙的存在導(dǎo)致封裝蓋板104與OLED基板101容易彎曲變形，可能會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)影響顯示效果的牛頓環(huán)，OLED器件薄化制程難度加大，OLED器件受損等不良后果。特別在制作大尺寸OLED器件時(shí)，封裝蓋板104與OLED基板101之間的間隙的面積更大，基板及封裝蓋板容易變形，上述問題會(huì)更為關(guān)出。
[0004]為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中提出了另外一種玻璃料密封方法，如圖2所示，圖中202表示發(fā)光器件，203表示玻璃料密封框。在OLED基板201上采用二次曝光方式或者Half Tone (半色調(diào))曝光方式設(shè)置具有階梯差的兩層支柱206和207，其中支柱207與封裝蓋板204接觸，用于防止封裝蓋板204與OLED基板201的變形。然而曝光方式存在周期長，成本高的問題，同時(shí)由于OLED基板201上的發(fā)光器件202為多層膜結(jié)構(gòu)，曝光工藝難度非常大。因此圖2所示的玻璃料封裝方法實(shí)現(xiàn)困難，成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中OLED器件的玻璃料封裝方法實(shí)現(xiàn)困難，成本高，從而提供一種容易實(shí)現(xiàn)且有效降低成本的OLED器件的封裝方法及由該方法得到的OLED器件。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0007]一種OLED器件的封裝方法，包括如下步驟:
[0008]S1:在封裝蓋板上設(shè)置多個(gè)高度為Hl的密封框；在所述封裝蓋板內(nèi)表面的密封框內(nèi)部制備高度為H2的支撐體；
[0009]S2:所述封裝蓋板設(shè)置于所述OLED器件上，所述密封框與所述OLED器件的基板貼合，所述支撐體與所述發(fā)光單元表面接觸；
[0010]S3:使所述密封框連接所述封裝蓋板與所述OLED器件的基板，完成封裝。
[0011]進(jìn)一步地,所述步驟SI中,所述密封框的高度3um ^ Hl ^ 30um ;所述密封框的寬度 300um ^ LI ^ lOOOum。
[0012]進(jìn)一步地,所述步驟SI中，所述支撐體的高度3um ^ H2 ^ 20um。
[0013]進(jìn)一步地，所述步驟SI中，H2+H3彡Hl，H3為所述OLED器件的發(fā)光單元的高度。
[0014]進(jìn)一步地,所述步驟SI進(jìn)一步包括如下步驟:
[0015]Sll:通過絲網(wǎng)印刷或Dispenser方式在所述封裝蓋板上設(shè)置密封框的圖形層，經(jīng)過預(yù)干燥、高溫?zé)Y(jié)固化獲得所述密封框；
[0016]S12:通過Jet打印或Dispenser方式在所述封裝蓋板內(nèi)表面的密封框內(nèi)部設(shè)置支撐體圖形，在低于250°C的溫度下烘烤成型獲得所述支撐體。
[0017]進(jìn)一步地，所述步驟Sll中，所述密封框采用玻璃料制備；所述玻璃料包括V205、P2O5> BaO> Si02、B203、A1203、PbO、SnO> TeO2> MgO> CaO> ZnO> Ti02、W03、Bi203、Fe203、CuO> Sb203、Ru2O, Rb20、硼酸鉛玻璃、磷酸錫玻璃、釩酸鹽玻璃和硼硅酸鹽中的任意一種或者多種的組入口 ο
[0018]進(jìn)一步地，所述步驟S12中，所述支撐體采用有機(jī)聚合物材料制備，所述有機(jī)聚合物為PI聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、聚酯、有機(jī)硅樹酯、聚碳酸酯、芳雜環(huán)聚合物中的任意一種或多種的組合。
[0019]進(jìn)一步地，所述步驟S12中所述支撐體為若干個(gè)支柱；所述步驟S2中，所述封裝蓋板設(shè)置于所述OLED器件上時(shí)，每一所述支柱與所述發(fā)光單元的接觸點(diǎn)均位于兩個(gè)相鄰的像素子單元之間的間隙處；或者
[0020]所述步驟S12中所述支撐體為若干條狀支撐帶；所述步驟S2中，所述封裝蓋板設(shè)置于所述OLED器件上時(shí)，每一所述支撐帶與所述發(fā)光單元的接觸面均位于兩排相鄰的兩排像素子單元之間的間隙處。
[0021]進(jìn)一步地，所述步驟S12中的所述支柱的縱切面為拋物面形狀，其頂點(diǎn)與所述發(fā)光單元接觸。
[0022]本發(fā)明還提供一種OLED器件，采用上述的OLED器件的封裝方法封裝制備得到。
[0023]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0024](I)本發(fā)明所述的OLED器件的封裝方法及OLED器件，通過合理設(shè)置密封框的高度、支撐體的高度和OLED器件發(fā)光單元的高度值，能夠保證當(dāng)封裝蓋板蓋在OLED器件上時(shí)，支撐體與OLED器件可以有效接觸卻不會(huì)產(chǎn)生太大的壓力而對(duì)OLED器件造成損壞。而封裝蓋板本身是單層結(jié)構(gòu)，直接在封裝蓋板上制備支撐體的工藝相對(duì)于在多層結(jié)構(gòu)的OLED器件上制備支撐體的工藝來說，可以大大降低工藝難度以及成本。
[0025](2)本發(fā)明所述的OLED器件的封裝方法及OLED器件，玻密封框的高度3um ^ Hl ^ 30um ;寬度300um ^ LI ^ lOOOum，支撐體的高度3um彡H2彡20um。其中的寬度是根據(jù)其應(yīng)用場合具體確定的，但是一般情況下的寬度都在300um至100um的范圍內(nèi)。根據(jù)發(fā)光單元的高度來設(shè)定支撐體和密封框的高度的同時(shí)盡可能的使器件更薄，采用上述高度設(shè)定可以很好的滿足以上兩點(diǎn)。
[0026](3)本發(fā)明所述的OLED器件的封裝方法及OLED器件，所述密封框采用玻璃料制備得到，所述玻璃料中包括 v205、P2O5> BaO, S12, B203、A1203、PbO、SnO, TeO2, MgO, CaO, ZnO,T12, WO3> Bi203、Fe2O3> CuO, Sb2O3, Ru2O, Rb2O、硼酸鉛玻璃、磷酸錫玻璃、釩酸鹽玻璃和硼硅酸鹽中的任意一種或者多種的組合。上述玻璃料能夠同時(shí)滿足封裝溫度、熱膨脹系數(shù)、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性等多方面的要求。
[0027](4)本發(fā)明所述的OLED器件的封裝方法及OLED器件，通過絲網(wǎng)印刷或Dispenser方式在所述封裝蓋板上得到密封框的圖形層，經(jīng)過預(yù)干燥、高溫?zé)Y(jié)固化獲得所述密封框；通過Jet打印或Dispenser方式在所述封裝蓋板內(nèi)表面的密封框內(nèi)部設(shè)置支撐體圖形，在低于250°C的溫度下烘烤成型獲得所述支撐體。上述工藝步驟與現(xiàn)有技術(shù)中的二次曝光方式或者Half Tone曝光方式相比大大降低了工藝難度及成本。
[0028](5)本發(fā)明所述的OLED器件的封裝方法及OLED器件，支撐體采用有機(jī)聚合物材料制備，所述有機(jī)聚合物為PI聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、聚酯、有機(jī)硅樹酯、聚碳酸酯、芳雜環(huán)聚合物中的任意一種或多種的組合。上述有機(jī)聚合物材料，均具有一定的彈性性能，當(dāng)支撐體與發(fā)光單元接觸后，在封裝過程中，如果支撐體與發(fā)光單元之間的壓力較大，那么支撐體會(huì)發(fā)生彈性形變從而可以對(duì)發(fā)光單元進(jìn)行一定的保護(hù)，避免對(duì)發(fā)光單元造成擠壓損傷。
[0029](6)本發(fā)明所述的OLED器件的封裝方法及OLED器件，支撐體為若干個(gè)支柱；封裝蓋板設(shè)置于所述OLED器件上時(shí)，每一支柱與發(fā)光單元的接觸點(diǎn)均位于兩個(gè)相鄰的像素子單元之間的間隙處。上述方案中的支柱的設(shè)置方式可以是與像素子單元同樣的分布方式，即每兩個(gè)像素子單元之間都會(huì)有一個(gè)與支柱接觸的接觸點(diǎn)，這種設(shè)置方式對(duì)于制備工藝來說更為簡單方便。或者支柱的設(shè)置方式采用不等間隔的，分散設(shè)置的形式，這樣的設(shè)置方式，能夠進(jìn)一步的節(jié)省制作成本。
[0030](7)本發(fā)明所述的OLED器件的封裝方法及OLED器件，支撐體為若干條狀支撐帶；封裝蓋板設(shè)置于所述OLED器件上時(shí)，每一支撐帶與發(fā)光單元的接觸面均位于兩個(gè)相鄰的兩排像素子單元之間的間隙處。采用條狀支撐帶的方式與若干支柱的形式相比，防止封裝蓋板和基板變形的效果更佳。
【附圖說明】
[0031]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中:
[0032]圖1是本發(fā)明【背景技術(shù)】中所述的一種方式的玻璃料封裝OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2是本發(fā)明【背景技術(shù)】中所述的一種方式的玻璃料封裝OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所述OLED器件封裝方法的流程圖；
[0035]圖4是采用本發(fā)明OLED器件封裝方法封裝得到的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖5A和圖5B是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中在封裝蓋板上制備密封框和支撐體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖6是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中OLED元件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖7A是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中支柱與發(fā)光單元接觸點(diǎn)位置示意圖；
[0039]圖7B是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中支柱與發(fā)光單元接觸點(diǎn)位置示意圖；
[0040]圖7C是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中支柱與發(fā)光單元接觸點(diǎn)位置示意圖；
[0041]圖7D是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中支柱與發(fā)光單元接觸點(diǎn)位置示意圖；
[0042]圖7E是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中支撐帶與發(fā)光單元接觸面位置示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]下述實(shí)施例中，當(dāng)將第一元件描述為“連接”到第二元件時(shí)，第一元件可以直接連接至第二元件，或經(jīng)過一個(gè)或多個(gè)附加元件間接連接至第二元件。進(jìn)一步的，為了清楚起見，簡明省略了對(duì)于充分理解本發(fā)明而言不是必須的某些元件。
[0044]實(shí)施例1
[0045]本實(shí)施例提供一種OLED器件的封裝方法，如圖3所示，包括如下步驟:
[0046]S1:在封裝蓋板400上設(shè)置多個(gè)高度為Hl的密封框403 ;在所述封裝蓋板400內(nèi)表面的密封框403內(nèi)部制備高度為H2的支撐體401。
[0047]S2:所述封裝蓋板400設(shè)置于所述OLED器件上，所述密封框403與所述OLED器件的基板301貼合，所述支撐體401與所述發(fā)光單元表面接觸；
[0048]S3:使所述密封框403連接所述封裝蓋板400與所述OLED器件的基板301，完成封裝。本實(shí)施例中的上述封裝方法，通過合理設(shè)置密封框403的高度、支撐體401的高度和OLED器件發(fā)光單元的高度