Ito透明導(dǎo)電薄膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種可用于諸如電容觸摸面板之類的顯示器配件上的光學(xué)導(dǎo)電膜片，尤其涉及一種可用于上述用途的ITO透明導(dǎo)電薄膜。
【背景技術(shù)】
[0002]摻錫氧化銦(Indium Tin Oxide, ITO)作為一種用半導(dǎo)體材料制備而成的ITO透明導(dǎo)電薄膜，已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于太陽能電池、顯示器件(例如觸摸面板)等許多方面。以往通過在玻璃上形成ITO電極層的所謂導(dǎo)電玻璃，由于基材為玻璃，其撓性和加工性方面較差。近年來由PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)為基材的ITO透明導(dǎo)電薄膜由其撓性好、加工性能優(yōu)異、重量輕等優(yōu)點(diǎn)，尤其在觸摸面板領(lǐng)域等到了廣泛應(yīng)用。
[0003]ITO透明導(dǎo)電薄膜需要在PET基材上方的ITO電極層上形成電極圖案，由于ITO電極層的蝕刻部位和未蝕刻部位以及作為基材的PET層在反射率和透射率上都存在差異，有時(shí)能從外部清楚地看到電極圖案，通常的解決方案是設(shè)置多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)調(diào)整層以減小反射率差值以及透射率差值來消除電極圖案的影像，制備所謂的ITO消影膜。
[0004]有關(guān)ITO透明導(dǎo)電薄膜消除電極圖案的影像的現(xiàn)有技術(shù)很多，例如CN203455798U，CN 102779570Α，CN 104240799Α，CN 103745766Α 以及 CN 104360765Α 中都提及了多層結(jié)構(gòu)形式的ITO透明導(dǎo)電薄膜，對(duì)于消影的原理，效果參數(shù)的定義等做了廣泛的說明，并且均很詳細(xì)地提及了 ITO透明導(dǎo)電薄膜的現(xiàn)有工藝情況，此處全文引用作為參考，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以借由上述現(xiàn)有技術(shù)的描述理解本發(fā)明的內(nèi)容，因此不再一一贅述其中的背景常識(shí)。
[0005]但是上述現(xiàn)有技術(shù)文件中，所用到的原料基材基本上都是帶有硬化層(HardCoating layer，HC層)的PET基材。如圖1所示，其顯示了一種現(xiàn)有典型結(jié)構(gòu)的基于帶有雙HC層的PET基材的ITO透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖，以下將這種帶有HC層的PET基材稱作HC基材，該HC基材可以通過市售的方式購(gòu)買獲得。如圖所示，所述HC基材10由一層PET基材I以及在PET基材I的單面或兩面通過濕式涂布的方式涂布的一層HC層2所構(gòu)成。
[0006]這種現(xiàn)有ITO透明導(dǎo)電薄膜的基本消影結(jié)構(gòu)是，在上述HC基材10的HC層2的上方依次鍍上一層高折射層Al以及一層低折射層A2，最后在上述低折射層A2的上方鍍上ITO透明電極層30，以形成三層鍍層(高折射層Al、低折射層A2、IT0透明電極層30)的形式，最后對(duì)最上層的ITO透明電極層30進(jìn)行蝕刻，去除部分結(jié)構(gòu)形成蝕刻區(qū)32，剩下的非蝕刻區(qū)31形成電路，從而獲得最終具導(dǎo)電線路的ITO透明導(dǎo)電薄膜，這是基于HC基材10的最基本的一種消影方案，也是厚度最薄的一種方案。
[0007]其它類型的改進(jìn)方案大體上都是如此，無非是在HC基材10上，調(diào)整光學(xué)層厚度及折射率，以此最大限度地減小蝕刻區(qū)32和非蝕刻區(qū)31以及其它各層結(jié)構(gòu)的反射率差值以及透射率差值，盡量實(shí)現(xiàn)電極圖案視覺上的不可見。
[0008]但是上述基于HC基材10的消影工藝的缺陷是鍍層厚度很大，三層基本形式的鍍層總厚度接近90nm，這還是厚度最薄的方案。由于鍍層效率受到鍍層厚度的影響最大，因而整個(gè)方案的生產(chǎn)速度相對(duì)偏低，其消影效果是；于360?740nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的透射率差值Δ T只能夠達(dá)到1.3%左右，反射率差值A(chǔ)R只能夠達(dá)到1.0%左右。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種ITO透明導(dǎo)電薄膜，以減少或避免前面所提到的問題。
[0010]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種ITO透明導(dǎo)電薄膜，所述ITO透明導(dǎo)電薄膜包括頂基材，所述頂基材由一層PET基材以及涂布于所述PET基材的第一側(cè)面上折射率大于1.6的IM層所構(gòu)成，其中，所述IM基材的所述IM層的上方依次鍍有一層第一低折射層、一層第二高折射層、一層第三低折射層以及一層ITO透明電極層。
[0011]優(yōu)選地，所述PET基材具有與所述第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面，所述第二側(cè)面鍍有一層硬化層。
[0012]優(yōu)選地，所述第一低折射層的折射率為1.45-1.49。
[0013]優(yōu)選地，所述第二高折射層的折射率為2.2-2.4。
[0014]優(yōu)選地，所述第三低折射層的折射率為1.45-1.49。
[0015]優(yōu)選地，所述第一低折射層的厚度為8-15nm。
[0016]優(yōu)選地，所述第二高折射層的厚度為6-llnm。
[0017]優(yōu)選地，所述第三低折射層的厚度為30_35nm。
[0018]優(yōu)選地，所述第一低折射層、第二高折射層、第三低折射層以及ITO透明電極層的總厚度為66_76nm。
[0019]本發(fā)明的上述ITO透明導(dǎo)電薄膜，通過將現(xiàn)有HC基材替換成頂基材并加以成本和結(jié)構(gòu)優(yōu)化改造，不但獲得了更薄的厚度，更好的顯示器亮度和色彩表現(xiàn)，還獲得了一種出人意料的遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的消影效果。
【附圖說明】
[0020]以下附圖僅旨在于對(duì)本發(fā)明做示意性說明和解釋，并不限定本發(fā)明的范圍。其中，
[0021]圖1顯示了一種現(xiàn)有典型結(jié)構(gòu)的基于帶有雙HC層的PET基材的ITO透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2顯示的是一種改進(jìn)的基于帶有頂層的PET基材的ITO透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3顯示的是在圖1所示基礎(chǔ)上提出的驗(yàn)證實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4顯示的是在圖2所示基礎(chǔ)上提出的驗(yàn)證實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5顯示的是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的基于帶有IM層的PET基材的ITO透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為了對(duì)本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)照【附圖說明】本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。其中，相同的部件采用相同的標(biāo)號(hào)。
[0027]基于圖1現(xiàn)有技術(shù)中采用雙HC基材10獲得的ITO透明導(dǎo)電薄膜的缺陷，一種改進(jìn)的方案針對(duì)上述不足而提出，該改進(jìn)的方案可以使用原料基材是涂布有折射率匹配層(Index Matching layer，IM層)的PET基材。如圖2所示，其顯示的是上述改進(jìn)的基于帶有頂層的PET基材的ITO透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖，以下將這種帶有頂層的PET基材稱作IM基材，該IM基材可以通過市售的方式購(gòu)買獲得。如圖所示，市場(chǎng)上銷售的IM基材20通常由一層PET基材I以及采用諸如濕式涂布的方式涂布于PET基材I的一個(gè)側(cè)面上的頂層3所構(gòu)成，所述頂層3為一種具折射率較高的涂層(折射率愈高愈好)，PET基材I上與頂層3相對(duì)的另一面可以通過諸如濕式涂布的方式涂布一層HC層2。
[0028]由于上述這種頂基材20本身已經(jīng)具備一層高折射率的頂層3，因而在后續(xù)加工工藝中，僅僅只需要在頂層3的上方鍍上一層低折射層BI，最后在上述低折射層BI的上方鍍上ITO透明電極層30，以形成二層鍍層(低折射層BI和ITO透明電極層30)的形式，最后對(duì)最上層的ITO透明電極層30進(jìn)行蝕刻，去除部分結(jié)構(gòu)形成蝕刻區(qū)32，剩下的非蝕刻區(qū)31形成電路，從而獲得最終具導(dǎo)電線路的ITO透明導(dǎo)電薄膜。
[0029]圖2這種采用IM基材20的改進(jìn)方案，相較于使用【背景技術(shù)】部分中提及的HC基材10的方案，具有鍍層厚度小(二層鍍層總厚度約為45nm)，生產(chǎn)速度快的優(yōu)點(diǎn)，但是其消影效果略差:于360?740nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的透射率差值Δ T只能達(dá)到2%，反射率差值A(chǔ)RR能達(dá)到2 %。
[0030]通過對(duì)比圖2的改進(jìn)方案以及圖1的現(xiàn)有方案，可以發(fā)現(xiàn)二者其實(shí)各有優(yōu)劣，即，圖1所示方案的優(yōu)點(diǎn)是消影效果好，但是厚度相對(duì)較大；圖2所示方案的優(yōu)點(diǎn)是整體厚度小，但是消影效果相對(duì)略差。則本領(lǐng)域技術(shù)人員可能會(huì)想到將圖1和圖2中兩種方案中的HC基材10和頂基材20互換。
[0031]基于上述這種思路，發(fā)明人在圖1所示現(xiàn)有技術(shù)以及圖2所示改進(jìn)技術(shù)的基礎(chǔ)上，提出了兩個(gè)驗(yàn)證實(shí)施例，即將其中的HC基材10和IM基材20互換，分別形成一種與圖1 一樣的三層方案以及一種與圖2 —樣的二層方案，如圖3、4所示，其分別顯示的是在圖1和圖2所示基礎(chǔ)上提出的驗(yàn)證實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]但是圖3中這種驗(yàn)證實(shí)施例的結(jié)果并不理想:由于頂基材20的各層之間已經(jīng)存在預(yù)先設(shè)定的折射率匹配關(guān)系，在頂基材20的頂層3上方增加的高折射層Al和低折射層A2無法使ITO透明電極層30與IM層3形成良好的匹配，畢竟IM層3的折射率也很高，其與高折射層Al很難實(shí)現(xiàn)良好的匹配關(guān)系。另外，發(fā)明人也進(jìn)行了進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)，將圖3中的高折射層Al和低折射層A2的上下排列順序互換，同樣也未能獲得理想的消影效果。
[0033]當(dāng)然，圖4中的驗(yàn)證實(shí)施例的消影效果更差是完全可以預(yù)料的事情，由于HC基材1