晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片等晶片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體器件的制造過程中，在大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的正面上，在通過形成為格子狀的分割預(yù)定線(間隔道)劃分出的多個區(qū)域中分別形成ICdntegratedCircuit:集成電路)、LSI (large scale integrat1n:大規(guī)模集成電路)等器件，并沿著分割預(yù)定線分割形成有該器件的各區(qū)域，由此制造出器件芯片。
[0003]作為將半導(dǎo)體晶片分割為一個個器件芯片的分割裝置，一般采用了被稱作切割裝置的切削裝置，該切削裝置利用具有非常薄的切削刃的切削刀具沿著分割預(yù)定線對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切削，將半導(dǎo)體晶片分割為一個個器件芯片。像這樣分割出的器件芯片被封裝后被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦等各種電子設(shè)備。
[0004]可是，當(dāng)使用切削刀具切割例如厚度為300 ym以上等厚度較厚的晶片時，存在經(jīng)常出現(xiàn)背面崩碎這樣的問題。因此，為了抑制背面崩碎，可以考慮采用例如日本特開昭64-38209號公報中公開的先劃出減薄法(DBG:Dicing Before Grinding)和W02003-077295 號公報中公開的加工方法(SDBG:Stealth Dicing Before Grinding) ο
[0005]先劃出減薄法是下述這樣的技術(shù):從半導(dǎo)體晶片的正面沿著分割預(yù)定線形成規(guī)定的深度(與器件芯片的完工厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的分割槽，并對在正面形成有分割槽的半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削而使分割槽在背面露出，由此分割為一個個器件芯片，該先劃出減薄法能夠?qū)⑵骷酒暮穸燃庸ぶ?00 μ m以下。
[0006]另一方面，SDBG法是將激光加工方法和磨削方法組合在一起的技術(shù)，并且是下述這樣的技術(shù):首先，向晶片照射對晶片具有透射性的波長的激光束，沿著分割預(yù)定線在規(guī)定的深度的位置(和晶片的正面距離與器件芯片的完工厚度相當(dāng)?shù)纳疃纫陨系奈恢?形成變質(zhì)層，并且形成從變質(zhì)層向晶片的正面?zhèn)妊由斓牧鸭y層，然后，對晶片的背面進(jìn)行磨削，使晶片變薄為完工厚度，并且利用磨削壓力以裂紋層為分割起點(diǎn)將晶片分割為一個個器件芯片O
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開昭64-38209號公報
[0008]專利文獻(xiàn)2:W02003-077295號公報
[0009]可是，在引用文獻(xiàn)I的先劃出減薄法中，存在下述問題:如果形成晶片厚度的一半以上的深度的半切割槽，則在槽形成后，需要在晶片的正面粘貼保護(hù)帶，該保護(hù)帶用于在之后的背面磨削時對形成于正面的器件進(jìn)行保護(hù)，但是，在粘貼保護(hù)帶時的操作時晶片會破損。
[0010]另外，在引用文獻(xiàn)2的SDBG法中也存在下述問題:由于能夠從一個變質(zhì)層延伸的裂紋層為150 μπι左右，因此，如果為了避免抗彎強(qiáng)度惡化而不在磨削后的芯片側(cè)面殘留變質(zhì)層，則難以形成150 μπι以上的厚度的芯片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種不使抗彎強(qiáng)度惡化且能夠形成較厚的厚度的芯片的晶片的加工方法。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片的加工方法，在晶片上設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線，晶片的加工方法的特征在于，晶片的加工方法包括:槽形成步驟，從晶片的正面沿著該分割預(yù)定線形成未達(dá)到完工厚度的深度的多個槽；保護(hù)帶粘貼步驟，在實(shí)施了該槽形成步驟之后，在晶片的正面粘貼保護(hù)帶；保持步驟，在實(shí)施了該保護(hù)帶粘貼步驟之后，利用卡盤工作臺隔著該保護(hù)帶保持晶片；激光加工步驟，在實(shí)施了該保持步驟之后，將對晶片具有透射性的波長的激光束的聚光點(diǎn)定位在晶片內(nèi)部的比該完工厚度靠背面?zhèn)鹊奈恢?，朝向晶片的背面沿著該分割預(yù)定線照射該激光束，在晶片內(nèi)部形成沿著該分割預(yù)定線的變質(zhì)層，并且形成從該變質(zhì)層朝向該槽延伸的沿著該分割預(yù)定線的裂紋層；和磨削步驟，在實(shí)施了該激光加工步驟之后，利用磨削構(gòu)件對晶片的背面進(jìn)行磨削以使該晶片變薄至該完工厚度，并且，去除該變質(zhì)層，沿著該分割預(yù)定線將晶片分割為芯片。
[0013]在本發(fā)明的加工方法中，由于在晶片的正面形成槽之后粘貼保護(hù)帶，因此，即使在晶片內(nèi)部形成變質(zhì)層和裂紋層，也能夠利用保護(hù)帶來保持剛性，不會損害操作性。
[0014]此外，由于通過磨削來去除變質(zhì)層，并且沿著分割預(yù)定線分割晶片，因此，在芯片上不會殘留變質(zhì)層，并且不會使抗彎強(qiáng)度惡化。
【附圖說明】
[0015]圖1是半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)攘Ⅲw圖。
[0016]圖2是示出槽形成步驟的立體圖。
[0017]圖3是示出槽形成步驟的剖視圖。
[0018]圖4是示出保護(hù)帶粘貼步驟的剖視圖。
[0019]圖5是示出保持步驟的局部剖面?zhèn)纫晥D。
[0020]圖6是示出激光加工步驟的局部剖面?zhèn)纫晥D。
[0021]圖7是示出磨削步驟的局部剖面?zhèn)纫晥D。
[0022]圖8是磨削步驟后的晶片的剖視圖。
[0023]標(biāo)號說明
[0024]10:切削單元；
[0025]11:半導(dǎo)體晶片；
[0026]13:分割預(yù)定線；
[0027]15:器件；
[0028]16:切削刀具；
[0029]19:槽；
[0030]20:聚光器(激光頭)；
[0031]21:保護(hù)帶；
[0032]23:變質(zhì)層；
[0033]24:磨削單元(磨削構(gòu)件)；
[0034]25:裂紋層；
[0035]27:器件芯片。
【具體實(shí)施方式】
[0036]下面，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。參照圖1，示出了半導(dǎo)體晶片11的正面?zhèn)攘Ⅲw圖。在半導(dǎo)體晶片(以下，存在僅簡稱為晶片的情況)11的正面Ila上，在由多條分割預(yù)定線(間隔道)13劃分出的各區(qū)域中形成有IC、LSI等器件15。在晶片11的外周形成有作為表不晶片的晶體取向的標(biāo)記的凹口 17。
[0037]在本發(fā)明的晶片的加工方法中，首先實(shí)施槽形成步驟，在該槽形成步驟中，從晶片11的正面Ila沿著分割預(yù)定線13形成未達(dá)到完工厚度的深度的多個槽。圖2是示出槽形成步驟的立體圖，圖3是其剖視圖。在圖2和圖3中，省略了抽吸保持晶片11的卡盤工作臺。
[0038]在圖2中，切削裝置的切削單元(切削構(gòu)件)10包括:主軸14，其以能夠旋轉(zhuǎn)的方式收納于主軸殼體12中；和切削刀具16，其安裝于主軸14的末端部。
[0039]在槽形成步驟中，使沿箭頭A方向高速旋轉(zhuǎn)的切削刀具16切入晶片