半導(dǎo)體封裝件及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，尤指一種具堆棧結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢(shì)。早期多芯片封裝結(jié)構(gòu)為采用并排式(side — by — side)多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其通過(guò)將兩個(gè)以上的芯片彼此并排地安裝于一共同基板的主要安裝面。芯片與共同基板上導(dǎo)電線路間的連接一般藉由導(dǎo)線焊接方式(wire bonding)達(dá)成。然而該并排式多芯片封裝構(gòu)造的缺點(diǎn)為封裝成本太高及封裝結(jié)構(gòu)尺寸太大，因該共同基板的面積會(huì)隨著芯片數(shù)目的增加而增加。
[0003]為解決上述現(xiàn)有問(wèn)題，近年來(lái)為使用垂直式的堆棧方法來(lái)安裝所增加的芯片，如圖1G所示。
[0004]圖1A至圖1G為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件I的制法的剖面示意圖。
[0005]如圖1A所示，提供一承載件10，其以粘著層100粘接多個(gè)第一半導(dǎo)體組件11，再以結(jié)合層14堆棧該第二半導(dǎo)體組件12于該第一半導(dǎo)體組件11上，且該第二半導(dǎo)體組件12的寬度r大于該第一半導(dǎo)體組件11的寬度W。
[0006]如圖1B所示，形成支撐膠15于該第二半導(dǎo)體組件12與該粘著層100之間，該支撐膠15位于該第二半導(dǎo)體組件12的邊緣，且該支撐膠15與該第一半導(dǎo)體組件11的側(cè)面Ilc之間產(chǎn)生間隙13。
[0007]如圖1C所示，形成一封裝層16于該承載件10上以包覆該支撐膠15與該第二半導(dǎo)體組件12，并維持該間隙13。
[0008]如圖1D所示，移除該承載件10與粘著層100，以外露該封裝層16，且該間隙13成為凹面區(qū)160，使該第一半導(dǎo)體組件11位于該凹面區(qū)160中，而該第二半導(dǎo)體組件12外露于該凹面區(qū)160。
[0009]如圖1E所示，形成絕緣材17于該封裝層16與該支撐膠15上及于該凹面區(qū)160中，使該絕緣材17包覆該第一半導(dǎo)體組件11及覆蓋該第二半導(dǎo)體組件12。
[0010]如圖1F所不,形成多個(gè)第一導(dǎo)電盲孔181與多個(gè)第二導(dǎo)電盲孔182于該絕緣材17中，并形成一線路層18于該絕緣材17上，使該線路層18藉由該些第一導(dǎo)電盲孔181電性連接該第一半導(dǎo)體組件11、及藉由該些第二導(dǎo)電盲孔182電性連接該第二半導(dǎo)體組件12。
[0011]接著，形成多個(gè)如焊球的導(dǎo)電組件19于該線路層18上，以外接其它電子裝置。
[0012]如圖1G所示，沿如圖1F所示的切割路徑S進(jìn)行切單制程，以制成多個(gè)半導(dǎo)體封裝件I。
[0013]于現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件I的制法中，藉由該支撐膠15的布設(shè)以形成該凹面區(qū)160，而有利于其內(nèi)塡充該絕緣材17,再于該絕緣材17內(nèi)形成該些第一與第二導(dǎo)電盲孔181，182,使該線路層18能電性連接該第一與第二半導(dǎo)體組件11，12。
[0014]然而，于形成該封裝層16后，該支撐膠15容易受該封裝層16的側(cè)向力壓迫而產(chǎn)生位移和變形，如圖1G’所示，因而覆蓋該第二半導(dǎo)體組件12的電極墊120，致使該凹面區(qū)160變形，導(dǎo)致于制作該些第一與第二導(dǎo)電盲孔181，182時(shí)無(wú)法與該第二半導(dǎo)體組件12的電極墊120精準(zhǔn)對(duì)位，造成制程良率下降，甚至產(chǎn)品損失。
[0015]此外，該支撐膠15利用點(diǎn)膠方式形成于該第二半導(dǎo)體組件12的邊緣，因而容易產(chǎn)生氣室(void) V，而導(dǎo)致該支撐膠15更容易受該封裝層16的側(cè)向力壓迫而產(chǎn)生位移和變形，造成制程良率下降。
[0016]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問(wèn)題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的為提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，能避免該支撐材覆蓋該第二半導(dǎo)體組件而使導(dǎo)電盲孔無(wú)法對(duì)位的情況發(fā)生。
[0018]本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件，包括:封裝層，其具有相對(duì)的第一表面與第二表面，且該第一表面的部分為凹面區(qū)；第二半導(dǎo)體組件，其嵌埋于該凹面區(qū)中，且該第二半導(dǎo)體組件具有相對(duì)的第二作用面與第二非作用面；至少一第一半導(dǎo)體組件，其位于該凹面區(qū)中并疊設(shè)于該第二半導(dǎo)體組件上，且該第一半導(dǎo)體組件具有相對(duì)的第一作用面與第一非作用面，又該第二半導(dǎo)體組件的寬度大于該第一半導(dǎo)體組件的寬度，以令該第二半導(dǎo)體組件的部分表面外露于該凹面區(qū)；絕緣材，其設(shè)于該凹面區(qū)中，使該絕緣材包覆該第一半導(dǎo)體組件及覆蓋該第二半導(dǎo)體組件；多個(gè)導(dǎo)電盲孔，其設(shè)于該絕緣材中且分別電性連接該第一與第二半導(dǎo)體組件；以及線路層，其設(shè)于該絕緣材上且電性連接該些導(dǎo)電盲孔。
[0019]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括:提供一承載件，其上設(shè)有至少一第一半導(dǎo)體組件，該第一半導(dǎo)體組件上堆棧有第二半導(dǎo)體組件，且該第二半導(dǎo)體組件的寬度大于該第一半導(dǎo)體組件的寬度，又該第一半導(dǎo)體組件具有相對(duì)的第一作用面與第一非作用面，而該第二半導(dǎo)體組件具有相對(duì)的第二作用面與第二非作用面；形成支撐材于該承載件與該第二半導(dǎo)體組件之間，且該支撐材包覆該第一半導(dǎo)體組件的周?chē)?；形成封裝層于該承載件上以包覆該支撐材與該第二半導(dǎo)體組件，該封裝層具有相對(duì)的第一表面與第二表面，該第一表面結(jié)合該承載件；移除該承載件與該支撐材，以外露該封裝層的第一表面，且該封裝層的第一表面形成有凹面區(qū)，使該第一半導(dǎo)體組件位于該凹面區(qū)中以外露于該封裝層的第一表面，而該第二半導(dǎo)體組件外露于該凹面區(qū)；形成絕緣材于該凹面區(qū)中，使該絕緣材包覆該第一半導(dǎo)體組件及覆蓋該第二半導(dǎo)體組件；以及形成多個(gè)導(dǎo)電盲孔于該絕緣材中，且形成線路層于該絕緣材上，使該些導(dǎo)電盲孔電性連接該線路層、第一與第二半導(dǎo)體組件。
[0020]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該第一半導(dǎo)體組件的位置位于該第二半導(dǎo)體組件的面積范圍內(nèi)。
[0021]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該第一作用面結(jié)合該承載件，且該第一非作用面結(jié)合該第二半導(dǎo)體組件，而于移除該承載件后，該第一作用面外露于該封裝層的第一表面以電性連接該些導(dǎo)電盲孔。
[0022]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該第二作用面結(jié)合該第一半導(dǎo)體組件，且于移除該承載件與該支撐材后，該第二作用面外露于該凹面區(qū)以電性連接該些導(dǎo)電盲孔。例如，該第二半導(dǎo)體組件的第二非作用面外露于該封裝層的第二表面。
[0023]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該絕緣材還設(shè)于該封裝層的第一表面上，且該第二半導(dǎo)體組件的寬度小于該凹面區(qū)的最大寬度。
[0024]另外，前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，還包括形成線路重布結(jié)構(gòu)于該線路層與該絕緣材上，且該線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該線路層。
[0025]由上可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法，主要利用形成暫時(shí)性支撐材包覆該第一半導(dǎo)體組件的周?chē)?，待形成該封裝層后，先移除該承載件與該支撐材以形成凹面區(qū)，再形成該絕緣材于該凹面區(qū)中，因而能避免該支撐材覆蓋該第二半導(dǎo)體組件的電極墊的情況，所以相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明能有效地使該些導(dǎo)電盲孔電性連接該第一與第二半導(dǎo)體組件，以提升制程良率。
【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1A至圖1G為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖；其中，圖1G’為圖1C的實(shí)際情況；
[0027]圖2A至圖2H為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的第一實(shí)施的剖面示意圖；其中，圖2C’為圖2C的另一實(shí)施例，圖2H’及圖2H”為圖2H的其它不同實(shí)施例；以及
[0028]圖3A至圖3B為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的第二實(shí)施的剖面示意圖；其中，圖3A’為圖3A的另一實(shí)施例。
[0029]符號(hào)說(shuō)明
[0030]1，2，2’，2”，3 半導(dǎo)體封裝件
[0031]10, 20承載件
[0032]100, 200粘著層
[0033]11,21,31,31’ 第一半導(dǎo)體組件
[0034]11c, 21c側(cè)面
[0035]12，22第二半導(dǎo)體組件
[0036]120電極墊
[0037]13間隙
[0038]14，24結(jié)合層
[0039]15支撐膠
[0040]16，26封裝層
[0041]160,260,260’ 凹面區(qū)
[0042]17，27絕緣材
[0043]18，28線路層
[0044]181,281第一導(dǎo)電盲孔
[0045]182,282第二導(dǎo)電盲孔
[0046]19,29’導(dǎo)電組件
[0047]21a第一作用面
[0048]21b第一非作用面
[0049]210第一電極墊
[0050]22a第二作用面
[0051]22b第二非作用面
[0052]220第二電極墊
[0053]23半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
[0054]25支撐材
[0055]26a第一表面
[0056]26b, 26b’第二表面
[0057]260a側(cè)部
[0058]260b底部
[0059]260c開(kāi)口
[0060]271第一盲孔
[0061]272第二盲孔
[0062]29線路重布結(jié)構(gòu)
[0063]290介電層
[0064]291線路
[0065]292導(dǎo)電盲孔
[0066]30絕緣保護(hù)層
[0067]A，w，r，r’寬度
[0068]D口徑
[0069]S切割路徑
[0070]V氣室。
【具體實(shí)施方式】
[00