圖案化在第一組溝槽之間的第一組疊層的導(dǎo)電條帶。第一可移除硬性掩模具有分別對(duì)應(yīng)于第一組疊層的導(dǎo)電條帶中的疊層與第一組溝槽中的溝槽的掩模區(qū)域以及隔開的開放刻蝕區(qū)域。
[0109]圖3顯示用于制造如同圖1的一儲(chǔ)存裝置的一工藝中的第一刻蝕階段。第一導(dǎo)電材料的數(shù)層是譬如通過使用第一可移除硬性掩模(例如290，圖2)及反應(yīng)性離子刻蝕(RIE)而在一第一平版印刷圖案化步驟中被刻蝕，用于界定在第一組溝槽(例如315、325)之間的第一組疊層的導(dǎo)電條帶(例如310、320、330)。例如，一疊層310可包括與絕緣條帶312,314及316交錯(cuò)的導(dǎo)電條帶311、313及315，而一疊層330可包括與絕緣條帶332、334及336交錯(cuò)的導(dǎo)電條帶331、333及335。導(dǎo)電條帶可通過使用第一導(dǎo)電材料而被實(shí)施。在界定第一組疊層的導(dǎo)電條帶(例如310、320、330)之后，可移除硬性掩模(例如290)是例如通過使用02/H2等離子體灰化機(jī)而被移除，停止于在可移除硬性掩模下方的一絕緣層。在半導(dǎo)體制造中，等離子體灰化為從一被刻蝕芯片移除光刻膠或可移除硬性掩模的工藝。通過使用一等離子體源，產(chǎn)生一單原子反應(yīng)物質(zhì)。氧及氫可被使用作為反應(yīng)物質(zhì)。反應(yīng)物質(zhì)與光刻膠或可移除硬性掩模結(jié)合以形成接著被移除的氣體。
[0110]第一組疊層中的一疊層可具有大于目標(biāo)寬度的兩倍或7 2P的寬度。如圖3的例子所示，疊層(例如310、320、330)具有大于目標(biāo)寬度的兩倍或^ 2P的寬度。
[0111]當(dāng)儲(chǔ)存裝置中的疊層包括更多層的存儲(chǔ)單元時(shí)，在疊層之間的溝槽都必須更深并具有較高的深寬比。然而，當(dāng)深寬比變得更高時(shí)，在溝槽之間的疊層會(huì)具有包括彎曲及倒塌的機(jī)械問題。具有一較寬寬度(例如^ 3F')的疊層是比具有一更狹小的寬度(例如7 IF')的疊層較不可能經(jīng)驗(yàn)彎曲或倒塌問題。通過釋放疊層的寬度，譬如從IF至3F，可更確實(shí)地制造儲(chǔ)存裝置中的疊層以支持更多層的存儲(chǔ)單元。
[0112]圖4顯示用于制造如同圖1的一儲(chǔ)存裝置的一工藝中的第一填補(bǔ)階段。圖4顯示使第一儲(chǔ)存層(例如410)形成在第一組溝槽(例如315、325)的第一組疊層中的導(dǎo)電條帶的側(cè)表面上，以及使一第二導(dǎo)電材料的第一層(例如420)形成在第一儲(chǔ)存層(例如410)上面并具有一與第一儲(chǔ)存層(例如410)共形的表面上面的結(jié)果。第一儲(chǔ)存層是以一保形方式被沉積在第一組疊層的導(dǎo)電條帶中的疊層上面。第一儲(chǔ)存層可通過可包括電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)的一儲(chǔ)存材料的毯覆式沉積而形成。
[0113]儲(chǔ)存裝置中的電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)可包括從快閃儲(chǔ)存器技術(shù)得知的多層介電電荷補(bǔ)捉結(jié)構(gòu)，例如ONO (氧化物-氮化物-氧化物)、0Ν0Ν0 (氧化物-氮化物-氧化物-氮化物-氧化物)、SONOS (硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)、BE-SONOS (能隙工程硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)、TANOS (鉭氮化物、氧化鋁、氮化硅、氧化硅、硅)以及MABE-S0N0S (金屬-高k帶間隙-工程硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)。
[0114]第二導(dǎo)電材料的第一層可包括具有N型或P型摻雜的高功函數(shù)金屬或多晶硅，且用于作為字線的傳導(dǎo)線。一金屬的功函數(shù)(work funct1n)表示需要從金屬移除一電子的最小熱力學(xué)功(亦即，能量)。功函數(shù)為一種金屬的表面的特性。例如，高功函數(shù)金屬可包括化學(xué)元素TiN、TaN, Pt、W等。高深寬比沉積技術(shù)(例如多晶硅的低壓力化學(xué)氣相沉積)可被利用，以完全填滿在疊層之間的溝槽，甚至完全填滿像具有高深寬比的10毫微米寬那樣的非常狹小的溝槽。
[0115]圖5顯示在圖4所顯示的結(jié)構(gòu)上面的第二可移除硬性掩模(例如590)，例如先進(jìn)圖案化薄膜(Advanced Patterning Film，APF)。第二可移除硬性掩模具有多個(gè)掩模區(qū)域以及多個(gè)隔開的開放刻蝕區(qū)域，分別對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電條帶的第二組疊層中的導(dǎo)電條帶的疊層與第二組溝槽中的溝槽。
[0116]圖6顯示用于制造如同圖1的一儲(chǔ)存裝置的工藝中的第二刻蝕階段。在第一儲(chǔ)存層(例如410)與一第二導(dǎo)電材料的第一層(例如420)形成于第一組溝槽(例如315、325)中之后，第一組疊層是譬如通過使用一第二可移除硬性掩模(例如590，圖5)及反應(yīng)性離子刻蝕(Reactive 1n Etching, RIE)而被刻蝕，用于界定在第二組溝槽(例如641、651、661)之間的導(dǎo)電條帶的第二組疊層(例如640、642、650、652、660、662)。第一組疊層(例如310)中的每個(gè)疊層被分為第二組疊層的導(dǎo)電條帶中的兩個(gè)疊層(例如640、642)。例如，一疊層640可包括與絕緣條帶612、614及616交錯(cuò)的導(dǎo)電條帶611、613及615，且一疊層662可包括與絕緣條帶632、634及636交錯(cuò)的導(dǎo)電條帶631、633及635。第二組疊層中的每個(gè)疊層(例如642)是被界定在第一組溝槽中的一第一溝槽(例如315)與第二組溝槽中的一第二溝槽(例如641)之間。第二組疊層中的一疊層具有一實(shí)質(zhì)上等于目標(biāo)寬度或'IF'的寬度。在界定第二組疊層的導(dǎo)電條帶(例如640、642、650、652、660、662)之后，例如通過使用02/H2等離子體灰化機(jī)而移除可移除硬性掩模(例如590)，以停止于一在可移除硬性掩模下方的絕緣層。
[0117]因?yàn)榈谝唤M溝槽中的溝槽是在界定第二組疊層的導(dǎo)電條帶之前以第一儲(chǔ)存層及第二導(dǎo)電材料填滿，所以鄰近以第一儲(chǔ)存層及第二導(dǎo)電材料填滿的第一組溝槽中的一溝槽(例如315)的第二組疊層中的兩個(gè)疊層(例如642、650)，在結(jié)構(gòu)上是比鄰近一并未被填滿的溝槽的兩個(gè)疊層更強(qiáng)。因此，可利用較高的深寬比來刻蝕溝槽，且可制造出疊層中的更多層的存儲(chǔ)單元。
[0118]圖7顯示用于制造如同圖1的一儲(chǔ)存裝置的工藝中的一第二填補(bǔ)階段。圖7顯示使第二儲(chǔ)存層(例如710)形成在第二組溝槽(例如641、651、661)的第二組疊層中的導(dǎo)電條帶的側(cè)表面上，以及使第二層的第二導(dǎo)電材料(例如720)形成在第二儲(chǔ)存層(例如710)上面并具有與第二儲(chǔ)存層(例如710)共形的表面的結(jié)果。第二儲(chǔ)存層是以一種保形方式被沉積在第二組疊層的導(dǎo)電條帶中的疊層上面。第二儲(chǔ)存層(例如710)可通過可包括電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存材料的毯覆式沉積而形成，如同于第一儲(chǔ)存層(例如410，圖4)所說明的。
[0119]第二導(dǎo)電材料的第二層可包括具有N型或P型摻雜的高功函數(shù)金屬或多晶硅，且用于作為字線的傳導(dǎo)線。可利用高深寬比沉積技術(shù)(例如多晶硅的低壓力化學(xué)氣相沉積)以完全填滿在疊層之間的溝槽。
[0120]圖8顯示在圖7所顯示的結(jié)構(gòu)上面的第三可移除硬性掩模(例如890)。第三可移除硬性掩模具有掩模區(qū)域以及隔開的開放刻蝕區(qū)域。掩模區(qū)域?qū)?yīng)于第二組疊層中的導(dǎo)電條帶的疊層，以及待被界定在第一組溝槽中的第一組溝槽中的第一組傳導(dǎo)線?？臻g隔開開放刻蝕區(qū)域?qū)?yīng)于第二導(dǎo)電材料的第一層中的待被移除的導(dǎo)電材料，以及待被移除的第一儲(chǔ)存層中的儲(chǔ)存材料。
[0121]圖9顯示一第三刻蝕階段以界定第一組溝槽中的多條傳導(dǎo)線。多條傳導(dǎo)線可作為供儲(chǔ)存裝置用的字線。第三刻蝕階段可利用第三可移除硬性掩模(例如890，圖8)，以刻蝕在傳導(dǎo)線之間的高深寬比溝槽。多晶硅可通過使用一種對(duì)氧化硅或氮化硅上面的多晶硅而言是高度選擇性的刻蝕工藝而被刻蝕。在界定第一組溝槽中的多條傳導(dǎo)線之后，例如通過使用02/H2等離子體灰化機(jī)而移除可移除硬性掩模(例如890)，以停止于一在可移除硬性掩模下方的絕緣層。
[0122]在第二儲(chǔ)存層(例如710)形成于第二組溝槽(例如641、651、661)的第二組疊層(例如640、642、650、652、660、662)中的導(dǎo)電條帶的側(cè)表面上，且使第二導(dǎo)電材料的第二層(例如720)形成在第二儲(chǔ)存層上面并具有一與第二儲(chǔ)存層共形的表面之后，第二導(dǎo)電材料的第一層(例如420，圖4)是被刻蝕，以界定在第一組溝槽(例如315、325)中的第一組傳導(dǎo)線(例如921、922)，第一組傳導(dǎo)線是正交地配置在第一組疊層的導(dǎo)電條帶上面，并具有與第一儲(chǔ)存層(例如410)共形的表面，以界定在位于第一組疊層中的導(dǎo)電條帶的側(cè)表面與第一組溝槽中的第一組傳導(dǎo)線之間的交點(diǎn)的接口區(qū)域的存儲(chǔ)單元。
[0123]在一個(gè)實(shí)施例中，于刻蝕第二導(dǎo)電材料的第一層以界定第一組傳導(dǎo)線的同時(shí)，第一儲(chǔ)存層是被刻蝕以界定第一組溝槽中的一第一儲(chǔ)存組成物(例如911、912)。第一儲(chǔ)存組成物包括如關(guān)于儲(chǔ)存裝置所說明的儲(chǔ)存材料，例如電荷儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)。第一儲(chǔ)存組成物是正交地配置在第一組疊層中的導(dǎo)電條帶上面，并具有與第一組傳導(dǎo)線中的傳導(dǎo)