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      Din型互調(diào)防水電橋的制作方法

      文檔序號:8924239閱讀:295來源:國知局
      Din型互調(diào)防水電橋的制作方法
      【技術領域】
      [0001 ] 本發(fā)明涉及電橋技術領域。
      【背景技術】
      [0002]目前廣泛使用的3dB電橋的頻率在800-2500MHZ之間,隨著技術的發(fā)展,對通信技術要求越來越高,在常用的800-2500MHZ頻率的電橋、耦合器、功分器、負載、衰減器等無源產(chǎn)品,不但為了提高功率使用更多的DIN型聯(lián)結器,更是提出了三介互調(diào)、IP65防水等更高的要求,其中電橋最為明顯,提出了更高的高功率、同進同出、三介互調(diào)、IP65防水等要求,而如果在800-2500MHZ的電橋中全部實現(xiàn)這些要求,很難實現(xiàn),因為要求大功率,所以不能使用微帶線設計,微帶線的金屬厚度只有0.035_,很難承受高功率,又因為要求同進同出,常用的帶狀線結構的電橋也不行,而柱狀結構的設計,可能賣價連成本都不夠,更何況還有三介互調(diào)、IP65防水等要求需要滿足。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的是提供一種DIN型高互調(diào)防水電橋,它不但功率高、可同進同出,而且能三介互調(diào),能防水,既滿足了功能上的需要,而且降低了生產(chǎn)成本。
      [0004]為了解決【背景技術】所存在的問題,本發(fā)明是采用以下技術方案:它由下腔體、內(nèi)蓋板、外蓋板構成,下腔體上方安裝有內(nèi)蓋板,內(nèi)蓋板上方設置有外蓋板。
      [0005]所述的內(nèi)蓋板與下腔體的上表面一齊,內(nèi)蓋板與下腔體之間有個防水槽。
      [0006]所述的腔體內(nèi)設置有微帶線,微帶線的上下方分別設置有介質(zhì)板,介質(zhì)板的外面分別設置有附加介質(zhì)板,所述的微帶線包括有一級耦合區(qū),
      所述的附加介質(zhì)板設置在微帶線一級耦合區(qū)位置的上下介質(zhì)板的外層。
      [0007]所述的附加介質(zhì)板的長、寬、厚分別可以在28_34mm、16_24mm、4.5-5.5mm的范圍內(nèi)變化。
      [0008]所述的介質(zhì)板厚度為5mm。
      [0009]本發(fā)明是先在微帶線的上下方分別設置介質(zhì)板,介質(zhì)板的外面分別設置附加介質(zhì)板,然后再將此放入到下腔體的腔體內(nèi),調(diào)整好位置后安裝內(nèi)蓋板,用螺釘擰緊,下腔體與內(nèi)蓋板形成緊密內(nèi)腔,整個內(nèi)腔的封閉性好,下腔體與蓋板的接觸緊密,使得電橋的三介互調(diào)性能達到_150dBc,同時由于內(nèi)蓋板裝上后,其上表面與下腔體上表面一齊,內(nèi)蓋板與下腔體之間形成一個防水槽,然后將防水圈放到防水槽內(nèi),再安裝上蓋板用螺釘擰緊,這樣既能三介互調(diào),又能防水。
      [0010]本發(fā)明它不但功率高、可同進同出,而且能三介互調(diào),能防水,既滿足了功能上的需要,而且降低了生產(chǎn)成本。
      【附圖說明】
      [0011]圖1為本發(fā)明的結構示意圖; 圖2為圖1的A-A向剖視圖。
      【具體實施方式】
      [0012]參照圖1-2,一種DIN型高互調(diào)防水電橋,它由下腔體1、內(nèi)蓋板2、外蓋板構成3,下腔體I上方安裝有內(nèi)蓋板2,內(nèi)蓋板2上方設置有外蓋板3。
      [0013]所述的內(nèi)蓋板2與下腔體I的上表面一齊,內(nèi)蓋板2與下腔體I之間有個防水槽4。
      [0014]所述的下腔體I內(nèi)設置有微帶線5,微帶線5的上下方分別設置有介質(zhì)板6,介質(zhì)板6的外面分別設置有附加介質(zhì)板7,所述的微帶線5包括有一級耦合區(qū)5.1,
      所述的附加介質(zhì)板7設置在微帶線5 —級耦合區(qū)5.1位置的上下介質(zhì)板6的外層。
      [0015]所述的附加介質(zhì)板7的長、寬、厚分別為30mm、20mm、5mm。
      [0016]所述的介質(zhì)板6厚度為5mm。
      [0017]本發(fā)明是先在微帶線的上下方分別設置介質(zhì)板,介質(zhì)板的外面分別設置附加介質(zhì)板,然后再將此放入到下腔體的腔體內(nèi),調(diào)整好位置后安裝內(nèi)蓋板,用螺釘擰緊,下腔體與內(nèi)蓋板形成緊密內(nèi)腔,整個內(nèi)腔的封閉性好,下腔體與蓋板的接觸緊密,使得電橋的三介互調(diào)性能達到_150dBc,同時由于內(nèi)蓋板裝上后,其上表面與下腔體上表面一齊,內(nèi)蓋板與下腔體之間形成一個防水槽,然后將防水圈放到防水槽內(nèi),再安裝上蓋板用螺釘擰緊,這樣既能三介互調(diào),又能防水。
      [0018]本發(fā)明它不但功率高、可同進同出,而且能三介互調(diào),能防水,既滿足了功能上的需要,而且降低了生產(chǎn)成本。
      【主權項】
      1.一種DIN型高互調(diào)防水電橋,其特征在于它由下腔體(I)、內(nèi)蓋板(2)、外蓋板構成(3),下腔體(I)上方安裝有內(nèi)蓋板(2),內(nèi)蓋板(2)上方設置有外蓋板(3)。2.根據(jù)權利要求1所述的DIN型高互調(diào)防水電橋,其特征在于,所述的內(nèi)蓋板(2)與下腔體(I)的上表面一齊,內(nèi)蓋板(2)與下腔體(I)之間有個防水槽(4)。3.根據(jù)權利要求1所述的DIN型高互調(diào)防水電橋,其特征在于,所述的下腔體(I)內(nèi)設置有微帶線(5),微帶線(5)的上下方分別設置有介質(zhì)板(6),介質(zhì)板(6)的外面分別設置有附加介質(zhì)板(7),所述的微帶線(5)包括有一級耦合區(qū)(5.1)。4.根據(jù)權利要求3所述的DIN型高互調(diào)防水電橋,其特征在于,所述的附加介質(zhì)板(7)設置在微帶線(5)—級耦合區(qū)(5.1)位置的上下介質(zhì)板(6)的外層。5.根據(jù)權利要求3或4所述的DIN型高互調(diào)防水電橋,其特征在于,所述的附加介質(zhì)板(7)的長、寬、厚分別可以在28-34mm、16-24mm、4.5-5.5mm的范圍內(nèi)變化。6.根據(jù)權利要求3所述的DIN型高互調(diào)防水電橋,其特征在于,所述的介質(zhì)板(6)厚度為 Smnin
      【專利摘要】一種DIN型高互調(diào)防水電橋,它涉及電橋技術領域。它由下腔體、內(nèi)蓋板、外蓋板構成,下腔體上方安裝有內(nèi)蓋板,內(nèi)蓋板上方設置有外蓋板,內(nèi)蓋板與下腔體之間有個防水槽,腔體內(nèi)設置有微帶線,微帶線的上下方分別設置有介質(zhì)板,介質(zhì)板的外面分別設置有附加介質(zhì)板。本發(fā)明它不但功率高、可同進同出,而且能三介互調(diào),能防水,既滿足了功能上的需要,而且降低了生產(chǎn)成本。
      【IPC分類】H01P5/12
      【公開號】CN104900963
      【申請?zhí)枴緾N201410518938
      【發(fā)明人】岳朝風
      【申請人】合肥佳瑞林電子技術有限公司
      【公開日】2015年9月9日
      【申請日】2014年10月6日
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