4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。發(fā)光層50的厚度為5nm?40nm。優(yōu)選的，發(fā)光層50的材料為Alq3，厚度為35nm。
[0106]S150中，真空蒸鍍的真空度為2X10_3Pa?5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?lnm/S。
[0107]S160、采用熱阻蒸鍍法在發(fā)光層上形成空穴阻擋層。
[0108]空穴阻擋層的材料為混合物D、混合物E或混合物F。
[0109]混合物D為二氧化鈦與銅化合物的混合物。二氧化鈦(T12)為市售二氧化鈦，粒徑在20nm?50nm。銅化合物為硫化銅(CuS)、氧化銅(CuO)或碘化銅(CuI)。
[0110]混合物E為錸化合物與雙極性有機傳輸材料的混合物。錸化合物為七氧化二錸(Re2O7)、二氧化錸(ReO2)、三氧化二錸(Re2O3)或三氧化錸(ReO3)。雙極性有機傳輸材料為2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)_1，3，5-三嗪(TRZ4)，2，6- 二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶(2，6Dczppy)，3’，3〃 - (4-(萘-1-基)-4H-1，2，4-三唑-3，5-二基)雙(N，N-二(聯(lián)苯基)-4-氨)(p-TPAm-NTAZ)，2，5-雙(4-(9-( 2-乙基己基)_9H_ 咔唑-3-基)苯基)-1，3，4-噁二唑(CzOXD)。
[0111]混合物F為富勒烯衍生物與磷光材料的混合物。富勒烯衍生物可以為足球烯(C60)、碳 70 (C70)、[6，6]-苯基-061-丁酸甲酯(卩061810或[6，6]-苯基氣71-丁酸甲酯(P71BM)。磷光材料可以為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)或三(2_苯基卩比唳)合銥(Ir (ppy)3)。磷光材料的選擇與發(fā)光層的發(fā)光材料的選擇一致。例如，當發(fā)光層為藍色發(fā)光材料時對應(yīng)選擇藍光磷光材料，當發(fā)光層為綠色發(fā)光材料時對應(yīng)選擇綠光磷光材料。
[0112]S160中，熱阻蒸鍍的真空度為2X10_3Pa?5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?lnm/S。
[0113]空穴阻擋層采用熱阻蒸鍍法進行制備，熱阻蒸鍍法具有蒸鍍速率較快，成膜性好的優(yōu)點，且對材料的分子結(jié)構(gòu)不容易造成破壞。
[0114]在本實施方式的有機電致發(fā)光器件中，電子阻擋層的材料為質(zhì)量比為4:0.1?10:0.1的雙極性金屬氧化物與磷光材料的混合物。電子阻擋層的厚度為Inm?5nm?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟橘|(zhì)量比為2:1?5:1的二氧化鈦與銅化合物的混合物?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸葹?0nm?60nm。本實施方式中，電子阻擋層的雙極性金屬氧化物可降低空穴的注入勢壘，有利于提聞空穴的傳輸速率。憐光材料性質(zhì)穩(wěn)定，光效較聞，可提聞有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率?？昭ㄗ钃鯇拥亩趸亴颖缺砻娣e大，孔隙率高，可使光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間，提高出光效率。銅化合物能隙較高，可有效提高空穴的注入勢壘，使空穴被阻擋在空穴阻擋層靠近發(fā)光層的一側(cè)，從而提高發(fā)光層的激子復合幾率，提高發(fā)光效率。
[0115]在其他實施方式的有機電致發(fā)光器件中，電子阻擋層的材料還可以為質(zhì)量比為5:1?10:1的有機娃小分子與磷光材料的混合物。電子阻擋層的厚度可以為5nm?15nm?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟橘|(zhì)量比為2:1?20:1的富勒烯衍生物與磷光材料的混合物?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸瓤梢詾?nm?10nm。該有機電致發(fā)光器件的電子阻擋層的有機硅小分子能級較寬，其LUMO能級較高，可以將電子阻擋在電子阻擋層靠近發(fā)光層的一側(cè)，可有效阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復合界面的改變。同時，有機硅小分子本身是一種空穴傳輸材料，可提聞空穴傳輸速率。憐光材料性質(zhì)穩(wěn)定，光效較聞，可提聞有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率?？昭ㄗ钃鯇拥母焕障┦歉浑娮硬牧?，可提高電子的傳輸速率。由于磷光材料和發(fā)光材料的能級差別不大，空穴阻擋層摻雜了磷光材料后，能夠使空穴阻擋層與發(fā)光層之間的能級降到了最低，這可使激子的復合區(qū)域控制在發(fā)光層與空穴阻擋層的邊緣，使光色穩(wěn)定，提高色純度，提高發(fā)光效率。
[0116]在另一個實施方式的有機電致發(fā)光器件中，電子阻擋層的材料還可以為15:1?30:1的鋰鹽與磷光材料的混合物。電子阻擋層的厚度可以為5nm?20nm?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟橘|(zhì)量比為5:1?10:1的錸化合物與雙極性有機傳輸材料的混合物。空穴阻擋層的厚度可以為15nm?30nm。該有機電致發(fā)光器件的電子阻擋層的鋰鹽功函數(shù)較高，可以將電子阻擋在電子阻擋層靠近發(fā)光層的一側(cè)，可阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復合界面的改變。摻雜磷光材料后，磷光材料性質(zhì)穩(wěn)定，光效較高，可提高器件的發(fā)光效率?？昭ㄗ钃鯇拥腻n化合物的HOMO能級較低，可阻擋空穴穿越到陰極一端與電子發(fā)生復合而發(fā)生淬滅。雙極性有機傳輸材料也可阻止空穴穿越到陰極而造成空穴淬滅，同時也具有傳輸電子的作用，因此，可進一步提聞發(fā)光效率。
[0117]S170、采用真空蒸鍍法在空穴阻擋層上形成電子傳輸層。
[0118]電子傳輸層70的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)。電子傳輸層70的厚度為40nm?250nm。優(yōu)選的，電子傳輸層70的材料為TPBi，厚度為80nm。
[0119]S170中，真空蒸鍍的真空度為2 X 1-3Pa?5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?lnm/
O O
[0120]S180、采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。
[0121]電子注入層80的材料為氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、碳酸銫(Cs2CO3)或疊氮銫(CsN3)0電子注入層80的厚度為0.5nm?10nm。優(yōu)選的，電子注入層80的材料為LiF，厚度為1.lnm。
[0122]S180中，真空蒸鍍的真空度為2X10_3Pa?5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?lnm/
O O
[0123]S190、采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極。
[0124]陰極90的材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)。陰極90的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選的，陰極90的材料為Ag,厚度為140nm。
[0125]S190中，真空蒸鍍的真空度為2 X KT3Pa?5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度lnm/s?10nm/s。
[0126]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，通過在導電陽極基板上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極得到有機電致發(fā)光器件。制備方法簡單，容易操作。
[0127]下面為具體實施例部分。
[0128]實施例1
[0129](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃的一個表面采用磁控濺射法制備導電陽極薄膜。磁控濺射的加速電壓為700V，磁場為120G，功率密度為25W/cm2。導電陽極薄膜的材料為IT0，厚度為120nm。
[0130](2)采用真空蒸鍍法在導電陽極基板上形成空穴注入層。真空蒸鍍的真空度為8 X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟镸oO3，厚度為35nm。
[0131](3)采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。真空蒸鍍的真空度為8X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s。空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為48nm。
[0132](4)采用熱阻蒸鍍法在空穴傳輸層上形成電子阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為8X l(T4Pa,蒸發(fā)速度為0.2nm/s。電子阻擋層的材料為MoOjP Ir (ppy) 3的混合物。MoOjPIr(ppy)3的質(zhì)量比為6:0.1，厚度為2.5nm。
[0133](5 )采用真空蒸鍍法在電子阻擋層上形成發(fā)光層。真空蒸鍍的真空度為8 X 1-4Pa,蒸發(fā)速度為0.2nm/s。發(fā)光層的材料為Alq3,厚度為12nm。
[0134](6)采用熱阻蒸鍍法在發(fā)光層上形成空穴阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為8X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟門12和CuS的混合物，T12粒徑為30nm。T12和CuS的質(zhì)量比為4:1，厚度為40nm。
[0135](7)采用真空蒸鍍法在空穴阻擋層上形成電子傳輸層。真空蒸鍍的真空度為8 X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s。電子傳輸層的材料為TPBi，厚度為195nm。
[0136](8)采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。真空蒸鍍的真空度為8X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s。電子注入層的材料為LiF，厚度為1.2nm。
[0137](9)采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極，得到有機電致發(fā)光器件。真空蒸鍍的真空度為8X 10_4Pa，蒸發(fā)速度2nm/s。陰極的材料為Ag，厚度為150nm。
[0138]圖3為實施例1的有機電致發(fā)光器件和對比例I的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。其中，曲線I為實施例1的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。曲線2為對比例I的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。
[0139]從圖3可以看到，在不同亮度下，實施例1的流明效率都比對比例I的要大。實施例I的最大的流明效率為4.21Lm/W。而對比例I的僅為3.24Lm/W，而且對比例I的流明效率隨著亮度的增大而快速下降。這說明，實施例1的有機電致發(fā)光器件的電子阻擋層的MoO3能夠降低空穴的注入勢壘，提高空穴的傳輸速率；空穴阻擋層的CuS使空穴被阻擋在空穴阻擋層靠近發(fā)光層的一側(cè)，從而使電子和空穴在發(fā)光層復合，提高器件的發(fā)光效率和出光效率。
[0140]實施例2
[0141](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃的一個表面采用磁控濺射法制備導電陽極薄膜。磁控濺射的加速電壓為300V，磁場為50G，功率密度為40W/cm2。導電陽極薄膜的材料為ΙΖ0，厚度為300nm。
[0142](2)采用真空蒸鍍法在導電陽極基板上形成空穴注入層。真空蒸鍍的真空度為2 X10_3Pa，蒸發(fā)速度為lnm/s。空穴注入層的材料為V2O5，厚度為20nm。
[0143](3)采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。真空蒸鍍的真空度為2 X10_3Pa，蒸發(fā)速度為lnm/s?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門APC，厚度為50nm。
[0144](4)采用熱阻蒸鍍法在空穴傳輸層上形成電子阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為2 X 10?,蒸發(fā)速度為lnm/s。電子阻擋層的材料為WO3和FIrpic的混合物，WO3和FIrpic的質(zhì)量比為10:0.1。電子阻擋層的厚度為lnm。
[0145](5)采用真空蒸鍍法在電子阻擋層上形成發(fā)光層。真空蒸鍍的真空度為2 X 10?,蒸發(fā)速度為lnm/s。發(fā)光層的材料為BCzVBi，厚度為40nm。
[0146](6)采用熱阻蒸鍍法在發(fā)光層上形成空穴阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為2X10_3Pa，蒸發(fā)速度為lnm/s?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟門12和CuO的混合物，T12粒徑在20n