m。T12和CuO的質(zhì)量比為2:1?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸葹?0nnm。
[0147](7)采用真空蒸鍍法在空穴阻擋層上形成電子傳輸層。真空蒸鍍的真空度為2X 10_3Pa,蒸發(fā)速度為lnm/s。電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為70nm。
[0148](8)采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。真空蒸鍍的真空度為2X 10_3Pa,蒸發(fā)速度為lnm/s。電子注入層的材料為CsN3,厚度為lnm。
[0149](9)采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。真空蒸鍍的真空度為2X 10_3Pa，蒸發(fā)速度lOnm/s。陰極的材料為Au，厚度為80nm。
[0150]實(shí)施例3
[0151](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃的一個(gè)表面采用磁控濺射法制備導(dǎo)電陽極薄膜。磁控濺射的加速電壓為800V，磁場(chǎng)為200G，功率密度為lOW/cm2。導(dǎo)電陽極薄膜的材料為ΑΖ0，厚度為150nm。
[0152](2)采用真空蒸鍍法在導(dǎo)電陽極基板上形成空穴注入層。真空蒸鍍的真空度為5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閂2O5，厚度為55nm。
[0153](3)采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門APC，厚度為60nm。
[0154](4)采用熱阻蒸鍍法在空穴傳輸層上形成電子阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為5X l(T5Pa,蒸發(fā)速度為0.lnm/s ο電子阻擋層的材料為V2O5和Ir (MDQ) 2 (acac)的混合物。V2O5和Ir (MDQ)2 (acac)的質(zhì)量比為4:0.1。電子阻擋層的厚度為5nm。
[0155](5)采用真空蒸鍍法在電子阻擋層上形成發(fā)光層。真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.lnm/s。發(fā)光層的材料為DCJTB，厚度為5nm。
[0156](6)采用熱阻蒸鍍法在發(fā)光層上形成空穴阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟門12和CuI的混合物，T12粒徑為50nm。T12和CuI的質(zhì)量比為5:1。空穴阻擋層的厚度為60nm。
[0157](7)采用真空蒸鍍法在空穴阻擋層上形成電子傳輸層。真空蒸鍍的真空度為5X l(T5Pa,蒸發(fā)速度為0.lnm/s ο電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm。
[0158](8)采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為0.lnm/s ο電子注入層的材料為CsF,厚度為10nm。
[0159](9)采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度lnm/s。陰極的材料為Pt，厚度為250nm。
[0160]實(shí)施例4
[0161](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃的一個(gè)表面采用磁控濺射法制備導(dǎo)電陽極薄膜。磁控濺射的加速電壓為600V，磁場(chǎng)為100G，功率密度為30W/cm2。導(dǎo)電陽極薄膜的材料為IT0，厚度為50nm。
[0162](2)采用真空蒸鍍法在導(dǎo)電陽極基板上形成空穴注入層。真空蒸鍍的真空度為2 X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閃O3，厚度為80nm。
[0163](3)采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。真空蒸鍍的真空度為2X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s。空穴傳輸層的材料為TCTA，厚度為60nm。
[0164](4)采用熱阻蒸鍍法在空穴傳輸層上形成電子阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為2X l(T4Pa,蒸發(fā)速度為0.5nm/s。電子阻擋層的材料為MoOjP Ir (piq) 3的混合物。MoOjPIr(Piq)3的質(zhì)量比為5:0.1。電子阻擋層的厚度為3nm。
[0165](5)采用真空蒸鍍法在電子阻擋層上形成發(fā)光層。真空蒸鍍的真空度為2 X 1-4Pa,蒸發(fā)速度為0.5nm/s。發(fā)光層的材料為ADN,厚度為8nm。
[0166](6)采用熱阻蒸鍍法在發(fā)光層上形成空穴阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為2X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟門12和CuI的混合物，T12粒徑為40nm。T12和CuI的質(zhì)量比為3.5:1?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸葹?0nm。
[0167](7)采用真空蒸鍍法在空穴阻擋層上形成電子傳輸層。真空蒸鍍的真空度為2 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s。電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為250nm。
[0168](8)采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。真空蒸鍍的真空度為2X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5nm/s。電子注入層的材料為Cs2CO3，厚度為0.5nm。
[0169](9)采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。真空蒸鍍的真空度為2X 10_4Pa，蒸發(fā)速度6nm/s。陰極的材料為Al，厚度為140nm。
[0170]實(shí)施例5
[0171](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃的一個(gè)表面采用磁控濺射法制備導(dǎo)電陽極薄膜。磁控濺射的加速電壓為700V，磁場(chǎng)為120G，功率密度為25W/cm2。導(dǎo)電陽極薄膜的材料為ΙΤ0，厚度為llOnm。
[0172](2)采用真空蒸鍍法在導(dǎo)電陽極基板上形成空穴注入層。真空蒸鍍的真空度為8 X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟镸oO3，厚度為30nm。
[0173](3)采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。真空蒸鍍的真空度為8X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB，厚度為56nm。
[0174](4)采用熱阻蒸鍍法在空穴傳輸層上形成電子阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為8 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s。電子阻擋層的材料為UGHl和Ir (ppy) 3的混合物。UGHl和Ir(ppy)3的質(zhì)量比為7:1。電子阻擋層的厚度為10nm。
[0175](5 )采用真空蒸鍍法在電子阻擋層上形成發(fā)光層。真空蒸鍍的真空度為8 X 1-4Pa,蒸發(fā)速度為0.2nm/s。發(fā)光層的材料為Alq3,厚度為27nm。
[0176](6)采用熱阻蒸鍍法在發(fā)光層上形成空穴阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為8X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟镻C6IBM和Ir (ppy) 3的混合物。PC6IBM和Ir(ppy)3的質(zhì)量比為5:1。空穴阻擋層的厚度為4nm。
[0177](7)采用真空蒸鍍法在空穴阻擋層上形成電子傳輸層。真空蒸鍍的真空度為8 X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s。電子傳輸層的材料為TPBi，厚度為150nm。
[0178](8)采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。真空蒸鍍的真空度為8 X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s。電子注入層的材料為Cs2CO3，厚度為4nm。
[0179](9)采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。真空蒸鍍的真空度為8X 10_4Pa，蒸發(fā)速度2nm/s。陰極的材料為Ag，厚度為150nm。
[0180]圖4為實(shí)施例5的有機(jī)電致發(fā)光器件和對(duì)比例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。其中，曲線I為實(shí)施例5的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。曲線2為對(duì)比例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關(guān)系圖。
[0181]從圖4可以看到，在不同亮度下，實(shí)施例5的流明效率都比對(duì)比例2的要大。實(shí)施例5的最大的流明效率為4.04Lm/W。而對(duì)比例2的僅為2.81Lm/ff,而且對(duì)比例2的流明效率隨著亮度的增大而快速下降。這說明，實(shí)施例5的有機(jī)電致發(fā)光器件的電子阻擋層的UGHl的能級(jí)較寬，其LUMO能級(jí)較高，能夠有效地將電子阻擋在電子阻擋層靠近發(fā)光層的一偵牝且UGHl是一種空穴傳輸材料，能夠提高空穴傳輸速率?？昭ㄗ钃鯇拥腜C61BM是富電子材料，能夠有效提高電子的傳輸速率，空穴阻擋層能夠?qū)⒖昭ㄓ行У淖钃踉诳昭ㄗ钃鯇涌拷l(fā)光層的一側(cè)，使激子的復(fù)合區(qū)域控制在發(fā)光層，提高發(fā)光效率。
[0182]實(shí)施例6
[0183](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃的一個(gè)表面采用磁控濺射法制備導(dǎo)電陽極薄膜。磁控濺射的加速電壓為300V，磁場(chǎng)為50G，功率密度為40W/cm2。導(dǎo)電陽極薄膜的材料為AZO，厚度為300nm。
[0184](2)采用真空蒸鍍法在導(dǎo)電陽極基板上形成空穴注入層。真空蒸鍍的真空度為2 X10_3Pa，蒸發(fā)速度為lnm/s?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閃O3，厚度為20nm。
[0185](3)采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。真空蒸鍍的真空度為2 X10_3Pa，蒸發(fā)速度為lnm/s。空穴傳輸層的材料為TAPC，厚度為50nm。
[0186](4)采用熱阻蒸鍍法在空穴傳輸層上形成電子阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為2X 10?,蒸發(fā)速度為lnm/s。電子阻擋層的材料為UGH2和FIrpic的混合物。UGH2和FIrpic的質(zhì)量比為10:1。電子阻擋層的厚度為5nm。
[0187](5)采用真空蒸鍍法在電子阻擋層上形成發(fā)光層。真空蒸鍍的真空度為2 X 10?,蒸發(fā)速度為lnm/s。發(fā)光層的材料為BCzVBi，厚度為40nm。
[0188](6)采用熱阻蒸鍍法在發(fā)光層上形成空穴阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為2X10_3Pa，蒸發(fā)速度為lnm/s?？昭ㄗ钃鯇拥牟牧蠟镃60和FIrpic的混合物。C60和FIrpic的質(zhì)量比為2:1。空穴阻擋層的厚度為10nm。
[0189](7)采用真空蒸鍍法在空穴阻擋層上形成電子傳輸層。真空蒸鍍的真空度為2X 10_3Pa,蒸發(fā)速度為lnm/s。電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為70nm。
[0190](8)采用真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層。真空蒸鍍的真空度為2 X10_3Pa，蒸發(fā)速度為lnm/s。電子注入層的材料為L(zhǎng)iF，厚度為lnm。
[0191](9)采用真空蒸鍍法在電子注入層上形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。真空蒸鍍的真空度為2X 10_3Pa，蒸發(fā)速度lOnm/s。陰極的材料為Pt，厚度為80nm。
[0192]實(shí)施例7
[0193](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃的一個(gè)表面采用磁控濺射法制備導(dǎo)電陽極薄膜。磁控濺射的加速電壓為800V，磁場(chǎng)為200G，功率密度為lW/cm2。導(dǎo)電陽極薄膜的材料為IZO，厚度為150nm。
[0194](2)采用真空蒸鍍法在導(dǎo)電陽極基板上形成空穴注入層。真空蒸鍍的真空度為5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閂2O5，厚度為55nm。
[0195](3)采用真空蒸鍍法在空穴注入層上形成空穴傳輸層。真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lnm/s?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門CTA，厚度為60nm。
[0196](4)采用熱阻蒸鍍法在空穴傳輸層上形成電子阻擋層。熱阻蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.