蓋，且第一電極保護(hù)圖案3向有源層圖案5延伸出第一延伸部31，第一延伸部31被有源層圖案5的第一側(cè)覆蓋;
[0039]第二電極圖案12除下表面外被第二電極保護(hù)圖案4所覆蓋，且第二電極保護(hù)圖案4向有源層圖案5延伸出第二延伸部41，第二延伸部41被有源層圖案5的第二側(cè)覆蓋。為了防止在形成包覆第一電極圖案11的第一電極保護(hù)圖案3，和形成包覆第二電極圖案12的第二電極保護(hù)圖案4時(shí)，導(dǎo)致第一電極圖案11和第二電極圖案12的Cu在形成第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4的時(shí)候被氧化，故上述陣列基板還包括:設(shè)置在第一電極圖案11和第一電極保護(hù)圖案3之間的第一緩沖層圖案21，和設(shè)置在第二電極圖案12和第二電極保護(hù)圖案4之間的第二緩沖層圖案22。該第一緩沖層圖案21和第二緩沖層圖案22分別覆蓋在第一電極圖案11和第二電極圖案12的上方，有效的防止了再形成第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4時(shí)，第一電極圖案11和第二電極圖案12表面的Cu被氧化。
[0040]可理解的是，上述第一電極保護(hù)圖案3、第二電極保護(hù)圖案4、第一緩沖層圖案21和/或第二緩沖層圖案22的材質(zhì)為防止Cu氧化以及Cu擴(kuò)散的材質(zhì)，例如:鉬鈮合金(MoNb)或鈦(Ti)。[0041 ] 上述陣列基板還包括:設(shè)置在第一電極保護(hù)圖案3、第二電極保護(hù)圖案4和有源層圖案5上方的柵絕緣層圖案6，以及設(shè)置在柵絕緣層圖案6上方的柵極圖案7和像素電極圖案8。
[0042]其中，柵絕緣層圖案6包括過孔，該過孔用于使像素電極圖案8與第一電極保護(hù)圖案3或第二電極保護(hù)圖案4電連接。
[0043]在本實(shí)施例中，上述的第一電極圖案11和第二電極圖案12可以為源極圖案和漏極圖案，也就是說，在第一電極圖案11代表源極圖案時(shí)，則第二電極圖案12代表漏極圖案，相應(yīng)的，包覆第一電極圖案11的第一電極保護(hù)圖案3相當(dāng)于與源極圖案電連接，以及包覆第二電極圖案12的第二電極保護(hù)圖案4相當(dāng)于與漏極圖案電連接，像素電極圖案8則與與漏極圖案電連接的第二電極保護(hù)圖案4電連接，相反的，若第一電極圖案11代表漏極圖案，第二電極圖案12代表源極圖案時(shí)，則像素電極圖案8則與與漏極圖案電連接的第一電極保護(hù)圖案3電連接；應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)施例附圖7中是以第一電極圖案11代表源極圖案，第二電極圖案12代表漏極圖案進(jìn)行舉例說明的。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制備方法的流程示意圖，如圖1所示，該方法包括以下步驟:
[0045]步驟101、在襯底基板9上形成第一電極圖案11和第二電極圖案12 ；
[0046]步驟102、形成包覆第一電極圖案11的第一電極保護(hù)圖案3和包覆第二電極圖案12的第二電極保護(hù)圖案4 ；
[0047]步驟103、在第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4之間形成有源層圖案5 ；
[0048]其中，第一電極保護(hù)圖案和第二電極保護(hù)圖案分別與有源層圖案的兩側(cè)連接。
[0049]上述方法通過先采用低電阻特性的材料制成的第一電極圖案11和第二電極圖案12，然后分別在第一電極圖案11和第二電極圖案12上形成包覆第一電極圖案11的第一電極保護(hù)圖案3，以及包覆第二電極圖案12的第二電極保護(hù)圖案4，通過第一電極保護(hù)圖案3以及第二電極保護(hù)圖案4有效保護(hù)了第一電極圖案11和第二電極圖案12的Cu擴(kuò)散；在第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4之間形成有源層圖案5相對(duì)于直接在第一電極圖案11和第二電極圖案12之間形成有源層圖案5，有效避免了刻蝕有源層圖案5的過程中導(dǎo)致Cu氧化，進(jìn)而避免了有源層圖案5與第一電極圖案11和第二電極圖案12之間電阻過高的問題。
[0050]下面對(duì)上述陣列基板的制備方法的流程進(jìn)行詳細(xì)說明，該陣列基板的制備方法的流程可以包括以下步驟:
[0051]步驟201、在襯底基板9上形成電極材料層I，在形成電極材料層I之后，形成緩沖材料層2，如圖2所示；
[0052]舉例來說，上述的襯底基板9可以為玻璃基板、石英基板或有機(jī)樹脂基板；電極材料層I材質(zhì)為低電阻特性且活性較強(qiáng)的材質(zhì)，例如銅或銅合金，本實(shí)施例均以Cu進(jìn)行舉例說明；第一緩沖層圖案21和第二緩沖層圖案22的材質(zhì)為防止Cu氧化以及Cu擴(kuò)散的材質(zhì)，例如:鉬鈮合金(MoNb)或鈦(Ti)等。
[0053]步驟202、通過一次構(gòu)圖工藝形成第一電極圖案11、第二電極圖案12以及覆蓋在第一電極圖案11表面上的第一緩沖層圖案21和覆蓋在第二電極圖案12表面上的第二緩沖層圖案22，如圖3所示。
[0054]步驟203、形成包覆第一緩沖層圖案21和第一電極圖案11的第一電極保護(hù)圖案3，以及形成包覆第二緩沖層圖案22和第二電極圖案12的第二電極保護(hù)圖案4。
[0055]如圖4所示，上述第一電極保護(hù)圖案3包覆除與襯底基板9貼覆部分的第一電極圖案11，且第一電極保護(hù)圖案3的兩端包括設(shè)置在襯底基板9上的第一延伸部31 ;
[0056]第二電極保護(hù)圖案4包覆除與襯底基板9貼覆部分的第二電極圖案12，且第二電極圖案12的兩端包括設(shè)置在襯底基板9上的第二延伸部41。
[0057]其中，第一電極保護(hù)圖案3的第一延伸部31與第二電極保護(hù)圖案4的第二延伸部41分別與有源層圖案5的兩側(cè)連接。
[0058]上述步驟103中形成第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4可以理解為在第一電極圖案11、第一緩沖層圖案21、第二電極圖案12、第二緩沖層圖案22上沉積電極保護(hù)材料層，然后通過刻蝕的構(gòu)圖工藝形成第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4。該實(shí)施方式僅用于舉例說明，本實(shí)施例不對(duì)其具體的實(shí)施方式進(jìn)行限定。
[0059]上述第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4的材質(zhì)為防止Cu氧化以及Cu擴(kuò)散的材質(zhì)，例如:鉬鈮合金(MoNb)或鈦(Ti)等。
[0060]在上述步驟201至步驟203中，采用低電阻特性的電極材料層I可以制造出分辨率更高、性能更好，且尺寸較大的陣列基板；另外在電極材料層上形成緩沖材料層2，可以有效的防止電極材料層的Cu擴(kuò)散，以及在后續(xù)刻蝕形成第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4的過程中，防止大面積的Cu被氧化；通過一次構(gòu)圖工藝形成第一電極圖案11、第二電極圖案12以及覆蓋在第一電極圖案表面上的第一緩沖層圖案21和覆蓋在第二電極圖案表面上的第二緩沖層圖案22，在簡(jiǎn)化形成第一電極圖案11和第二電極圖案12的工藝的同時(shí)還有效的保護(hù)了第一電極圖案11和第二電極圖案12的Cu擴(kuò)散和氧化的問題。
[0061]步驟204、在第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4之間形成分別與第一電極保護(hù)圖案3和第二電極保護(hù)圖案4相連的有源層圖案5，如圖5所示。
[0062]步驟205、在第一電極保護(hù)圖案3、第二電極保護(hù)圖案4、有源層圖案5上沉積柵絕緣層，并對(duì)所述柵絕緣層做圖案化處理形成包括過孔的柵絕緣層圖案6，如圖6所示；
[0063]步驟206、在柵絕緣層圖案6上沉積透明導(dǎo)電層(例如:ΙΤ0)，并對(duì)該透明導(dǎo)電層通過同一次構(gòu)圖工藝形成柵極圖案7和像素電極圖案8，如圖7所示。
[0064]其中，像素電極圖案8通過過孔與所述第一電極保護(hù)圖案3或第二電極保護(hù)圖案4電連接。
[0065]可理解的是，采用上述第一電極保護(hù)圖案3對(duì)第一電極圖案11進(jìn)行保護(hù)并且第一電極保護(hù)圖案3與第一電極圖案11電連接，以及采用第二電極保護(hù)圖案4對(duì)第二電極圖案12進(jìn)行保護(hù)并且第二電極保護(hù)圖案4與第二電極圖案12電連接，從而使像素電極圖案8在與第一電極保護(hù)圖案3或第二電極保護(hù)圖案4電連接，相當(dāng)于與第一電極圖案11或第二電極圖案12電連接，同時(shí)防止了在第一電極圖案11或第二電極圖案12上的Cu擴(kuò)散或氧化時(shí)，導(dǎo)致像素電極圖案8無法與第一電極圖案11或第二電極圖案12電連接的問題，進(jìn)而提