低電壓led芯片及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片制造技術領域，具體涉及一種低電壓LED芯片及其制造方法。
【背景技術】
[0002]隨著當今電子技術和電子產業(yè)的發(fā)展，LED照明設備已經被廣泛的應用于人們的生活和生產中，同時LED照明設備因其低能耗、環(huán)保，控制方便等優(yōu)點，具有極好的市場前景?，F在階段，在全球追求健康，環(huán)保壓力，能源危機極大的情況下，半導體照明已被世界公認為一種健康節(jié)能環(huán)保的重要途徑，正以更快的速度拓展其應用范圍。
[0003]長期以來，國內外學者都不斷提出各種方案，國內外一些科研院所和公司也對此進行大量研究和實驗，取得了一些成果。常見的中大功率LED芯片的引線一般為手指型，在小尺寸芯片的制造過程中，亮度和電壓是一對矛盾體，即想要降低電壓必須增加電極引線，增加引線會使芯片亮度降低；反之，減少引線電壓又會升高。

【發(fā)明內容】

[0004]針對現有技術的不足，本發(fā)明提供了一種低電壓LED芯片及其制造方法，能夠解決傳統(tǒng)手指型引線導致的電壓與亮度相互影響的問題。
[0005]為實現以上目的，本發(fā)明通過以下技術方案予以實現:一種低電壓LED芯片，包括P電極、N電極和N電極引線。所述的P電極為圓形，其中心與芯片中心重合；所述的N電極引線呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N電極為扇形，N電極中心與芯片頂點重合。
[0006]其中，所述的P電極半徑為15 μπι-20 μπι。
[0007]其中，所述的N電極扇形的角度為90度，扇形半徑為15μηι-20μηι。
[0008]其中，所述的N電極的中心與芯片四個頂點中任一頂點重合。
[0009]其中，所述的N電極引線寬度為2 μm-3 μm。
[0010]一種低電壓LED芯片制造方法，包括以下步驟:
[0011]S1:根據待加工芯片尺寸設計光罩；
[0012]S2:根據待加工芯片尺寸調整待加工P電極、N電極和N電極引線尺寸；
[0013]S3:對待加工芯片進行Mesa光刻；
[0014]S4:對待加工芯片進行ITO蝕刻；
[0015]S5:對待加工芯片進行Pad光刻。
[0016]本發(fā)明提供了一種低電壓LED芯片及其制造方法，使用閉合式的口字型引線取代傳統(tǒng)的手指型引線，能夠降低同一方向上電流密度，使電流最大限度的擴展開，從而達到降低小尺寸版型LED芯片電壓而不影響亮度的目的。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1是本發(fā)明的俯視結構示意圖。
[0019]圖中1、P電極，2、N電極，3、口字型引線。
【具體實施方式】
[0020]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0021]如圖1所示，本發(fā)明實施例所述的一種低電壓LED芯片，包括P電極1、N電極2和N電極引線3。所述的P電極I位于芯片中心，P電極I中心與芯片中心重合；所述的N電極引線3呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N電極2為扇形，N電極2中心與芯片頂點重合。在小尺寸芯片版圖設計時，將N電極引線3設計為圍繞P電極I的閉合式口字型引線，這樣N電極引線3足夠長且不占用發(fā)光面。通過使用閉合式的口字型引線取代傳統(tǒng)的手指型引線，使電流最大限度的擴展開，從而降低小尺寸版型LED芯片電壓。
[0022]其中，所述的P電極半徑為15 μ m-20 μ m。所述的N電極扇形角度為90度，扇形半徑為15μπι-20μπι，Ν電極中心可與芯片四個頂點中任一頂點重合。所述的N電極引線寬度為2 μπι-3 μπι。能夠適應不同尺寸的芯片從而增加產品的適用面。
[0023]—種低電壓LED芯片制造方法，包括以下步驟:
[0024]S1:根據待加工芯片尺寸設計光罩；
[0025]S2:根據待加工芯片尺寸調整待加工P電極、N電極和N電極引線尺寸；
[0026]S3:對待加工芯片進行Mesa光刻；
[0027]S4:對待加工芯片進行ITO蝕刻；
[0028]S5:對待加工芯片進行Pad光刻。
[0029]綜上所述本發(fā)明提供的一種低電壓LED芯片及其制造方法，能夠解決傳統(tǒng)手指型引線導致的電壓與亮度相互影響的問題。使用閉合式的口字型引線取代傳統(tǒng)的手指型引線，能夠降低同一方向上電流密度，使電流最大限度的擴展開，與無引線、手指型引線相比電壓降低0.1V-0.2V，從而達到降低電壓而不影響亮度的目的。
[0030]需要說明的是，在本文中術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
[0031]以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精神和范圍。
【主權項】
1.一種低電壓LED芯片，包括P電極、N電極和N電極引線，其特征在于:所述的P電極為圓形，其中心與芯片中心重合；所述的N電極引線呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N電極為扇形，N電極中心與芯片頂點重合。2.如權利要求1所述的低電壓LED芯片，其特征在于:所述的P電極半徑為15 μ m-20 μ m。3.如權利要求1所述的低電壓LED芯片，其特征在于:所述的N電極扇形角度為90度，扇形半徑為15 μ m-20 μ m。4.如權利要求1和3所述的低電壓LED芯片，其特征在于:所述的N電極的中心與芯片四個頂點中任一頂點重合。5.如權利要求1所述的低電壓LED芯片，其特征在于:所述的N電極引線寬度為2 μ m-3 μ m。6.一種低電壓LED芯片制造方法，其特征在于包括以下步驟: 51:根據待加工芯片尺寸設計光罩； 52:根據待加工芯片尺寸調整待加工P電極、N電極和N電極引線尺寸； 53:對待加工芯片進行Mesa光刻； 54:對待加工芯片進行ITO蝕刻； 55:對待加工芯片進行Pad光刻。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種低電壓LED芯片及其制造方法，涉及LED芯片制造技術領域。包括P電極、N電極和N電極引線，所述的P電極位于芯片中心，P電極中心與芯片中心重合；所述的N電極引線呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N電極為扇形，N電極中心與芯片頂點重合。能夠解決傳統(tǒng)手指型引線導致的電壓與亮度相互影響的問題。使用閉合式的口字型引線取代傳統(tǒng)的手指型引線，能夠降低同一方向上電流密度，使電流最大限度的擴展開，從而達到降低電壓而不影響亮度的目的。
【IPC分類】H01L33/62, H01L33/00, H01L33/38
【公開號】CN105047781
【申請?zhí)枴緾N201510341388
【發(fā)明人】吳化勝, 劉莉, 宣圣柱, 嚴貞貞
【申請人】合肥彩虹藍光科技有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年6月18日