）納米顆粒上的第一基團(tuán)， 使用第二硅烷涂覆（功能化）納米顆粒上的第二基團(tuán)等。
[0078] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供具有下述組成的緩沖層：
[0079] 80 - 99重量％金屬氧化物
[0080] 0.1-5 重量％硅。
[0081] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供具有下述組成的緩沖層：
[0082] 80-99重量％金屬氧化物
[0083] 〇.1-5重量％硅
[0084] 0.1-5重量 ％磷。
[0085] 本文所述的這些層具有有益性質(zhì)，且具有如下所述的有利應(yīng)用。已發(fā)現(xiàn)在其中Ag 電極直接接觸發(fā)明性ETL層的設(shè)備結(jié)構(gòu)中，發(fā)明性層顯示良好的設(shè)備性能。
[0086] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所述的緩沖層，其包含80-99重量％， 優(yōu)選地90-98重量％ ZnO納米顆粒和1-20重量％，優(yōu)選地2-10重量％ Dieth-P。
[0087] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所述的緩沖層，其包含80-99重量％， 優(yōu)選地90-98重量％ AZO納米顆粒和1-20重量％，優(yōu)選地2-10重量％ Dieth-P。
[0088] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所述的電子設(shè)備，其中所述緩沖層的膜厚 度是3 - 1000 nm,優(yōu)選地10 - 500nm,非常優(yōu)選地15-100nm。厚度可通過輪廓儀或原子力顯 微鏡來測定。
[0089] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所述的電子設(shè)備，其中所述氧化物納米顆 粒的一級(jí)粒徑為I - 200nm，優(yōu)選地4 - 50nm(通過氮?dú)馕?、X射線衍射或透視電子顯微鏡 來測定）。
[0090] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所述的電子設(shè)備，其中所述氧化物納米顆 粒呈現(xiàn)雙?；蚨嗄３叽绶植肌?jù)信雙?；蚨嗄３叽绶植嫉玫礁叩念w粒堆積密度，由此得 到更低的層孔隙率。
[0091] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所述的電子設(shè)備，其中所述緩沖層的平均 表面粗糙度低于100納米，特別是低于30納米（用電子顯微鏡、原子力顯微鏡或輪廓儀測 定法來測定）。
[0092] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所述的電子設(shè)備，其中所述緩沖層的電導(dǎo) 率是10 8 - 102S/cm，優(yōu)選地10 6 - lS/cm(通過4點(diǎn)電導(dǎo)率測量來測定）。
[0093] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所述的電子設(shè)備，其中所述緩沖層以單層 的形式存在。
[0094] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及0LED，其中ETL (i)通過如本文所述的方法來獲得 或（ii)由如本文所述的使用未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納 米顆粒組成。在本實(shí)施方式中，OLED優(yōu)選地包括選自有機(jī)聚合物（例如PET)或玻璃的基 材。
[0095] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及有機(jī)太陽能電池（OPV)，其中ETL(i)通過如本文 所述的方法來獲得或（ii)由如本文所述的使用未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷涂 覆的金屬氧化物納米顆粒組成。在本實(shí)施方式中，OPV優(yōu)選地包括選自有機(jī)聚合物、金屬或 玻璃的基材。
[0096] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及有機(jī)光電檢測器，其中ETL(i)通過如本文所述的 方法來獲得或（ii)由如本文所述的使用至少一種未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷 涂覆的金屬氧化物納米顆粒組成。
[0097] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及電子設(shè)備，其中ETL(i)通過如本文所述的方法來 獲得或（ii)由如本文所述的使用至少一種未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的 金屬氧化物納米顆粒組成。
[0098] 在第二方面中，本發(fā)明涉及中間體商品，包括使用多個(gè)層涂覆的片狀基材。本發(fā) 明的這個(gè)方面如下文所進(jìn)一步描述。
[0099] 中間體商品：如上所述，存在通過基于溶液的過程制造有機(jī)電子的需要。因此，中 間體商品通過合適的基于溶液的過程例如涂覆或印刷來制造；然后完成（finish)這樣得 到的材料來獲得最終設(shè)備（有機(jī)電子）。
[0100] 在一種實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中所述層具有下 述順序：電極/HEL/活性材料/EEL/電極。（"正常結(jié)構(gòu)"）。
[0101] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中所述層具有下 述順序：電極/EEL/活性材料/HEL/電極。（"反向結(jié)構(gòu)"）。
[0102] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中所述層包括下 述順序：電極/EEL/活性材料/HEL。該中間體還可為串聯(lián)電池的基礎(chǔ)。
[0103] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中所述層包括下 述順序：電極/HEL/活性材料/EEL。該中間體還可為串聯(lián)電池的基礎(chǔ)。
[0104] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中所述層具有下 述順序：
[0105] (a)透明的電極/HEL/活性材料/EEL
[0106] (b)非透明的電極/HEL/活性材料/EEL
[0107] (c)透明的電極/EEL/活性材料/HEL
[0108] (d)非透明的電極/EEL/活性材料/HEL，
[0109] 其中，所述透明的電極選自下組：PED0T:PSS、金屬納米線（包括銀納米線、銅納米 線、鎳納米線）、石墨烯、碳納米管和ITO ;以及
[0110] 其中非透明的電極選自下組：致密銀、致密鋁、致密銅、致密金、厚的（不透明的） 碳納米管層和厚的（不透明的）基于石墨烯的層。
[0111] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中不存在額外的 層。
[0112] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中所述緩沖層的 厚度是3-1000nm，優(yōu)選地10-500nm,非常優(yōu)選地15-100nm。
[0113] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中所述緩沖層的 平均表面粗糙度低于30nm。
[0114] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中所述基材如本 發(fā)明的第一方面所定義。
[0115] 在其它實(shí)施方式中，本發(fā)明提供如本文所定義的中間體商品，其中所述緩沖層的 硅含量是〇. 1-5%。
[0116] 在第三方面中,本發(fā)明涉及為懸浮液形式的組合物，所述組合物包含金屬氧化物 納米顆粒、溶劑和烷基-烷氧基-硅烷。本發(fā)明的這個(gè)方面如下文所進(jìn)一步描述。
[0117] 術(shù)語懸浮液如上所定義。包括組分（i)金屬氧化物納米顆粒，（ii)溶劑和（iii) 烷基-烷氧基-硅烷的懸浮液是已知的，并如雷多夫（Leidolph)等所述。如上所述，當(dāng)組 合組分（i), (ii)和（iii)時(shí)，硅烷將涂覆金屬氧化物來形成涂覆的金屬氧化物納米顆粒。 在將烷基-烷氧基-硅烷涂覆（硅烷化）到納米顆粒表面上之前，烷基-烷氧基基團(tuán)水 解，并作為烷基-醇從硅烷釋放。然后，硅烷的水解的基團(tuán)與通常包含金屬氫氧化物基團(tuán)的 氧化物表面反應(yīng)。通過相應(yīng)的反應(yīng)，將水作為縮合產(chǎn)物釋放，形成高度穩(wěn)定的金屬硅氧烷鍵 (Me-O-Si-R) 〇
[0118] 將這種懸浮液用作聚合物中的UV穩(wěn)定劑是已知的。但是，將這種懸浮液用于制造 薄膜例如緩沖層是新穎的，并是本發(fā)明的主題。
[0119] 因此，本發(fā)明提供將使用未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化 物納米顆粒用于制造如本文所定義的中間體商品。此外，本發(fā)明提供將使用未取代的或取 代的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆粒用于制造如本文所述的電子設(shè)備，特 別是選自下組的電子設(shè)備：〇LED和OPV。
[0120] 此外，本發(fā)明提供將懸浮液用于制造如本文所定義的中間體商品或用于制造如本 文所述的電子設(shè)備（特別是選自〇LED、OPV和有機(jī)光電檢測器的電子設(shè)備），所述懸浮液包 括如本文所述的使用未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆粒和 溶劑（優(yōu)選地選自下組：水、醇（例如二醇-醚）和酮）。
[0121] 此外，如上所定義的懸浮液中的一些是新穎的，并是本發(fā)明的主題。因此，本發(fā)明 提供為懸浮液形式的組合物，其包括（i)選自金屬氧化物納米顆粒但排除ZnO納米顆粒的 納米顆粒，和（ii) 一種或多種溶劑和（iii)具有通式（II)的烷基-烷氧基-硅烷
[0122] (R1O)3-Si-R2-FG (II)
[0123] 其中
[0124] R1表示H，C fC4烷基，優(yōu)選地表示甲基，乙基，正丙基，異丙基，甲氧基乙基，
[0125] R2表示C ^C1。烷基，飽和的或不飽和的C ^C1。碳環(huán)基團(tuán)，
[0126] FG 表示-OH, -NH2, -P(O) (OR1')2, -OP(O) (OM)R1', -SH, -C(O) (OH), -C(O) (0R1)，-乙 烯基，-丙烯酸酯，-環(huán)氧基團(tuán)，-醛，NR13X(X是鹵素），-疊氮，-鹵素，-異氰酸酯，-噻 吩，吡啶基，苯基，芐基，-硝基，-C(0)NR1，-苯并三唑，其中R1是C ^C6烷基，C「C4-烷 氧基-C1-C4-烷基和M是氛或喊金屬，優(yōu)選地是Na。
[0127] 在一實(shí)施方式中，取代基如權(quán)利要求中所定義。
[0128] 在一實(shí)施方式中，這種硅烷包含半導(dǎo)體官能團(tuán)或π共輒的鍵序列，具體如上所定 義。
[0129] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，這種硅烷是3-三羥基-甲硅烷基丙基甲基-磷酸酯的鈉 鹽（甲硅烷基-P)。
[0130] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，這種硅烷是二乙基磷酸根-乙基-三乙氧基硅烷 (Dieth-P)〇
[0131] 在其它實(shí)施方式中，使用兩種或更多種不同的硅烷。一種硅烷可負(fù)責(zé)用于懸浮液 穩(wěn)定性，另一種負(fù)責(zé)用于不同的功能（例如功函調(diào)節(jié)或電導(dǎo)率增強(qiáng)）。不同的硅烷可同時(shí)存 在于單獨(dú)的納米顆粒上（各種硅烷部分地覆蓋顆粒表面），或者它們可分別存在于不同的 納米顆粒上。
[0132] 在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，懸浮液中的納米顆粒的流體動(dòng)力學(xué)尺寸D9。小于100 納米（通過動(dòng)態(tài)光散射或者離心沉降技術(shù)測得）。
[0133] 在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，通過氣相過程優(yōu)選地火焰噴射合成來合成納米顆 粒。
[0134] 取決于預(yù)期應(yīng)用，納米