用于使產(chǎn)品基底從承載基底脫離的系統(tǒng)的制作方法
【專利說明】用于使產(chǎn)品基底從承載基底脫離的系統(tǒng)
[0001]本申請是申請?zhí)?01180070028.7、申請日2011年04月11日、發(fā)明名稱為“柔性的承載支架、用于使承載基底脫離的裝置以及方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種用于使產(chǎn)品基底從承載基底脫離的系統(tǒng)以及用于使承載基底從廣品基底脫尚的系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0003]在半導(dǎo)體工業(yè)中常常暫時(shí)使結(jié)構(gòu)晶片或產(chǎn)品晶片結(jié)合到承載晶片或承載基底上，以便可對其進(jìn)行操作。在對產(chǎn)品基底處理之后應(yīng)盡可能簡單、快速且成本有利以及清潔地將其從承載基底移開。用于將產(chǎn)品晶片結(jié)合在承載晶片上的最常用的方法是在壓力下在兩種基底中的一個(gè)(或兩種基底)上施加粘附層并且使之接觸。在分開(脫離)時(shí)在降低膠粘劑的粘附力之后(溫度、UV輻射等)使承載晶片與產(chǎn)品晶片分開一例如通過彼此平行地移動晶片。在此，晶片通過由于負(fù)壓的所謂的卡住(Chucks)來保持。
[0004]在脫離時(shí)需考慮多個(gè)緊要的因素，而最主要的首要工作在于使易碎的且由于預(yù)加工而非常昂貴的產(chǎn)品晶片經(jīng)受盡可能小的應(yīng)力并且不損壞該產(chǎn)品晶片。在另一方面應(yīng)成本有利且快速地以盡可能最小的能量消耗實(shí)現(xiàn)承載基底的分開。在已知的多種分離工藝中，尤其為了取消在晶片之間的粘附層的粘附特性，需要將由承載晶片和結(jié)構(gòu)晶片/產(chǎn)品晶片構(gòu)成的“堆疊部(Stack)”(堆垛)加熱到對于膠粘劑來說特定的溫度上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明的目的在于如此改進(jìn)這種類型的用于分開承載基底的裝置和方法使得能夠?qū)崿F(xiàn)小心翼翼且同時(shí)明顯更快的分開。同時(shí)，應(yīng)降低能量消耗。
[0006]該目的利用權(quán)利要求1、4、8、12和17的特征來實(shí)現(xiàn)。在從屬權(quán)利要求中給出本發(fā)明的有利的改進(jìn)方案。由在說明、權(quán)利要求和/或附圖中給出的特征中的至少兩個(gè)組成的所有組合也落在本發(fā)明的范圍中。對于值域，處在所提及的極限之內(nèi)的值也應(yīng)作為極限值公開并且可以任意的組合提出保護(hù)。
[0007]本發(fā)明的基本思想是如此設(shè)計(jì)用于在使承載基底與產(chǎn)品基底脫離時(shí)固定承載基底的承載支架，即，該承載支架構(gòu)造成允許承載基底彎曲。根據(jù)本發(fā)明，該承載支架具有足夠的抗彎強(qiáng)度，以尤其通過從承載基底的邊緣抬起引起用于分開承載基底與產(chǎn)品基底的脫離力。
[0008]根據(jù)本發(fā)明，在此應(yīng)實(shí)現(xiàn)僅僅輕微的彎曲，尤其< 45°的彎曲角度，優(yōu)選<40°的彎曲角度，還要優(yōu)選地<30°的彎曲角度，特別優(yōu)選地<20°的彎曲角度，還要更加優(yōu)選地<10°的彎曲角度，最為優(yōu)選地<5°的彎曲角度。以這種方式保護(hù)還具有一定的、尤其與承載支架相似的抗彎強(qiáng)度的承載基底不受損壞并且首先保護(hù)產(chǎn)品基底不受損壞。由于彎曲，脫離力的大部分作用在移動的脫離前部(LSsefront)處，該脫離前部尤其從承載基底的邊緣朝中心的方向上移動。
[0009]因此，本發(fā)明的核心是用于在使承載基底與產(chǎn)品基底脫離時(shí)固定承載基底的柔性的承載支架，其中，在該承載支架處設(shè)置有脫離器件以用于在承載基底彎曲的情況下分開廣品基底。
[0010]因此根據(jù)本發(fā)明還可考慮承載支架的全面的(vollflkhige)、非環(huán)形的實(shí)施方案，尤其由帶有一定的彈性或抗彎強(qiáng)度的聚合體制成的承載支架。為了固定和容納承載基底，該承載支架具有真空通道。在此，為了提高保持力，可尤其附加地設(shè)置成將承載基底靜電地固定在承載支架處。
[0011]承載支架也可至少部分地包括金屬、陶瓷或復(fù)合材料。所使用的材料必須僅允許根據(jù)本發(fā)明的功能性。
[0012]此外，作為獨(dú)立的發(fā)明，提供有一種用于在脫離方向L上使承載基底與產(chǎn)品基底脫離的裝置，其帶有以下特征:
一用于固定承載基底的、在脫離方向L上柔性的承載支架，
一用于固定產(chǎn)品基底的基底支架，以及
一用于在承載基底彎曲的情況下使承載基底與產(chǎn)品基底分開的脫離器件。
[0013]根據(jù)本發(fā)明，脫離方向L基本上一尤其剛好一垂直于承載基底和/或產(chǎn)品基底的表面。承載支架和/或由承載支架容納的承載基底的彎曲部的彎曲軸線垂直于脫離方向L。該彎曲軸線尤其處成平行于產(chǎn)品基底和/或承載基底的表面。
[0014]在有利的實(shí)施方案中，根據(jù)本發(fā)明的裝置可包括壓力腔，其可以過壓來加載，以便將利用負(fù)壓固定在承載支架處的承載基底還更強(qiáng)地固定在該承載支架處。在腔內(nèi)的壓力在此可> lbar，優(yōu)選地> 2bar，還更優(yōu)選地> 5bar，還更優(yōu)選地> lObar，尤其小于lOObar。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的有利的實(shí)施方式設(shè)置成，承載支架可在脫離方向L上彈性地變形。根據(jù)本發(fā)明，通過承載支架的彈性使得脫離力能夠相應(yīng)地集中在移動的脫離前部處，即使將拉力僅施加在承載基底的周緣處。
[0016]在本發(fā)明的另一有利的實(shí)施方式中設(shè)置成通過脫離器件可施加作用在基底支架的周緣處的至少一個(gè)拉力和與拉力相反地作用在承載支架的周緣處的至少一個(gè)反力以沿著脫離前部產(chǎn)生脫離力矩。由此可尤其在開始分開時(shí)降低總負(fù)載。以這種方式還引起更強(qiáng)地保護(hù)承載基底和產(chǎn)品基底。在此，尤其設(shè)置成將拉力合計(jì)成在基底支架的中心中的合成的拉力一尤其通過將拉力均勻地施加在基底支架的周緣處，而一個(gè)或多個(gè)反力合計(jì)成在承載支架的邊緣處的合成的反力以及在移動的脫離前部處的相應(yīng)的脫離力矩。因此使承載支架相對于基底支架傾斜。
[0017]為了還尤其在非常敏感的或非常昂貴的產(chǎn)品基底的情況下更強(qiáng)地保護(hù)產(chǎn)品基底，根據(jù)本發(fā)明設(shè)置成將基底支架構(gòu)造為剛性的、尤其全面地容納產(chǎn)品基底的容納部。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一有利的實(shí)施方式設(shè)置成，承載支架構(gòu)造為尤其敞開的、帶有可調(diào)整的內(nèi)徑D1的環(huán)。通過環(huán)形也可通過環(huán)幾何結(jié)構(gòu)一尤其環(huán)寬度B相對于環(huán)直徑D 3和/或環(huán)的高度H來最優(yōu)地針對承載基底調(diào)整抗彎強(qiáng)度。此外，環(huán)形引起在環(huán)開口的區(qū)域中允許承載基底的更強(qiáng)的運(yùn)動自由度，從而實(shí)現(xiàn)承載支架的抗彎強(qiáng)度和承載基底的抗彎強(qiáng)度的共同作用。在此，承載支架的抗彎強(qiáng)度尤其至少等于或高于承載基底的抗彎強(qiáng)度。
[0019]有利地，根據(jù)本發(fā)明如此選擇承載支架的抗彎強(qiáng)度，S卩，其處在承載基底的抗彎強(qiáng)度的1/20至20倍之間，尤其1/10至10倍之間，優(yōu)選1/5至5倍之間，還更優(yōu)選地1/2至2倍之間的范圍中。作為承載基底，尤其可考慮由帶有在500 μπι與750 μm之間一優(yōu)選600 μπι —的厚度d的硅制成的晶片。該晶片可具有200mm或300mm的直徑Dt。
[0020]在此特別有利的是設(shè)置有尤其在整個(gè)環(huán)周緣上伸延的、尤其呈回彈的周向肩部的形式的保持器件。由此可以可成本有利地制造的簡單的幾何形狀將脫離力施加到承載基底上，尤其施加在承載基底的整個(gè)周緣處，并且在開始分開時(shí)使脫離前部的特別緊要的初始化在承載基底的周緣處集中到一個(gè)或多個(gè)部位處。
[0021]根據(jù)本發(fā)明，在改進(jìn)方案中設(shè)置成承載支架構(gòu)造成在側(cè)向基本上完全包圍承載基底，尤其包圍周緣的至少98%，優(yōu)選至少99%，還更優(yōu)選地至少