所述待封裝晶圓200的作用。
[0054]接著，參考圖6，對(duì)所述待封裝晶圓200進(jìn)行封裝處理。
[0055]具體地，首先，從所述待封裝晶圓200的第二表面200b對(duì)所述待封裝晶圓200進(jìn)行減薄，以便于后續(xù)通孔的刻蝕，對(duì)所述待封裝晶圓200的減薄可以采用機(jī)械研磨、化學(xué)機(jī)械研磨工藝等；接著，從所述待封裝晶圓200的第二表面200b對(duì)所述待封裝晶圓200進(jìn)行刻蝕，形成通孔(未標(biāo)示)，所述通孔暴露出所述待封裝晶圓200第一表面200a —側(cè)的焊墊212 ;接著，在所述待封裝晶圓200的第二表面200b上以及所述通孔的側(cè)壁上形成絕緣層213，所述絕緣層213暴露出所述通孔底部的焊墊212，所述絕緣層213可以為所述待封裝晶圓200的第二表面200b提供電絕緣，還可以為所述通孔暴露出的所述待封裝晶圓200的襯底提供電絕緣，所述絕緣層213的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者絕緣樹脂；接著，在所述絕緣層213表面形成連接所述焊墊212的金屬層214，所述金屬層214可以作為再布線層，將所述焊墊212引至所述待封裝晶圓200的第二表面200b上，再與外部電路連接，所述金屬層214經(jīng)過金屬薄膜沉積和對(duì)金屬薄膜的刻蝕后形成；接著，在所述金屬層214表面及所述絕緣層213表面形成具有開口(未標(biāo)示)的阻焊層215，所述開口暴露出部分所述金屬層214的表面，所述阻焊層215的材料為氧化硅、氮化硅等絕緣介質(zhì)材料，用于保護(hù)所述金屬層214 ;再接著，在所述阻焊層215的表面上形成外接凸起216，所述外接凸起216填充所述開口，所述外接凸起216可以為焊球、金屬柱等連接結(jié)構(gòu)，材料可以為銅、招、金、錫或鉛等金屬材料。
[0056]對(duì)所述待封裝晶圓200進(jìn)行封裝處理后，可以使得后續(xù)切割獲得的芯片封裝結(jié)構(gòu)通過所述外接凸起216與外部電路連接。所述芯片單元的感應(yīng)區(qū)域211在將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)后，所述電信號(hào)可以依次通過所述焊墊212、金屬層214和外接凸起216，傳輸至外部電路進(jìn)行處理。
[0057]接著，參考圖7至圖9，沿所述待封裝晶圓200的切割道區(qū)域220 (同時(shí)參考圖3)對(duì)所述待封裝晶圓200和所述封蓋基板300進(jìn)行切割，形成多個(gè)如圖10所示的芯片封裝結(jié)構(gòu)。參考圖10，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括芯片單元210和位于所述芯片單元210上的由切割所述封蓋基板300形成的上蓋板結(jié)構(gòu)330，所述上蓋板結(jié)構(gòu)330包括位于所述芯片單元210一側(cè)的第一表面330a和與所述第一表面330a相對(duì)的第二表面330b，且上述切割使得所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的第二表面330b的面積小于第一表面330a的面積。
[0058]本實(shí)施例中，對(duì)所述待封裝晶圓200和所述封蓋基板300的切割包括了第一切割工藝、第二切割工藝和第三切割工藝。具體地，參考圖7，首先，執(zhí)行第一切割工藝，所述第一切割工藝沿如圖3所示的切割道區(qū)域220從所述待封裝晶圓200的第二表面200b開始切害J，直至到達(dá)所述待封裝晶圓200的第一表面200a形成第一切割溝槽410。所述第一切割工藝可以采用切片刀切割或者激光切割，所述切片刀切割可以采用金屬刀或者樹脂刀。
[0059]接著，參考圖8，執(zhí)行第二切割工藝，所述第二切割工藝沿與圖3所述的切割道區(qū)域220對(duì)應(yīng)的區(qū)域從所述封蓋基板300的第二表面300b開始切割，直至到達(dá)預(yù)設(shè)深度，形成第二切割溝槽420，所述第二切割溝槽420的寬度沿從所述封蓋基板300的第二表面300b到第一表面300a的方向逐漸減小。在一些實(shí)施例中，所述第二切割工藝采用鉆頭研磨工藝，所述鉆頭研磨工藝采用具有特定形狀的鉆頭加壓后在所述封蓋基板300的第二表面300b旋轉(zhuǎn)研磨并移動(dòng)，形成所述第二切割溝槽420。所述鉆頭的頂端寬度小于低端寬度，可以使得所形成的第二切割溝槽420從所述封蓋基板300的第二表面300b到第一表面300a的寬度逐漸減小。根據(jù)鉆頭的形狀，所述第二切割溝槽420的剖面形狀可以為倒三角形、倒梯形、圓弧形或者拋物線形等，所述第二切割溝槽420的側(cè)壁與所述封蓋基板300的第二表面300b之間的夾角為120°?150°。本實(shí)施例中，所述第二切割溝槽420的側(cè)壁與所述封蓋基板300的第二表面300b之間的夾角為135°。所述第二切割溝槽420的預(yù)設(shè)深度為所述封蓋基板300厚度的1/5?4/5。例如，本實(shí)施例中，所述第二切割溝槽420的預(yù)設(shè)深度為所述封蓋基板300厚度的1/2。
[0060]接著，參考圖9，執(zhí)行第三切割工藝，在一些實(shí)施例中，所述第三切割工藝沿所述第二切割溝槽420繼續(xù)切割所述封蓋基板300，直至到達(dá)所述待封裝晶圓200的第一表面200a形成第三切割溝槽430。所述第三切割溝槽430貫通所述第二切割溝槽420和所述第一切割溝槽410，從而完成整個(gè)切割工藝，形成多個(gè)芯片封裝結(jié)構(gòu)。所述第三切割工藝也可以采用切片刀切割或者激光切割。但需要說明的是，所述第三切割工藝所形成的第三切割溝槽430的寬度應(yīng)當(dāng)小于所述第二切割溝槽420的平均寬度。
[0061]在其他一些實(shí)施例中，所述第三切割工藝也可以沿所述第一切割溝槽410繼續(xù)切割所述封蓋基板300，直至形成貫通所述第一溝槽410和所述第二溝槽420的第三切割溝槽430。
[0062]經(jīng)過上述切割工藝后，形成了如圖10所示的芯片封裝結(jié)構(gòu)。下面結(jié)合圖11對(duì)圖10所示的芯片封裝結(jié)構(gòu)的工作過程進(jìn)行說明，圖11為圖10中虛線框內(nèi)部分的局部放大圖。上述切割工藝使得所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的第二表面330b的面積小于第一表面330a的面積，具體地，本實(shí)施例中也就是所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的第二表面330b與側(cè)壁構(gòu)成的夾角部分被去除。使得最終形成的芯片封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)壁包括了垂直壁330s和傾斜壁330t，所述傾斜壁330t的第一端與所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的第二表面330b的邊緣連接，其相對(duì)的第二端與所述垂直壁330s的頂端連接。與圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)形成的影像傳感器相比，相同的入射光線II，在圖1中，會(huì)在影像傳感器的側(cè)壁30s會(huì)發(fā)生全反射，干擾感應(yīng)區(qū)域20的成像；而參考圖11，在本發(fā)明實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)中，由于所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的第二表面330b與垂直壁330s構(gòu)成的夾角部分已被去除，所述光線Il根本不會(huì)入射所述上蓋板330，也就不會(huì)對(duì)感應(yīng)區(qū)域211產(chǎn)生干擾。
[0063]需要說明的是，所述上蓋板結(jié)構(gòu)330中的傾斜壁330t與垂直壁330s構(gòu)成的夾角部分是在上述的第二切割工藝中形成，其形狀也取決于所述第二切割溝槽420 (參考圖9)的形狀。參考圖11，在一些實(shí)施例中，上述的第二切割溝槽420的預(yù)設(shè)深度基于所述芯片封裝結(jié)構(gòu)中上蓋板結(jié)構(gòu)330的厚度、所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)壁(本實(shí)施例中也就是所述空腔壁320靠近感應(yīng)區(qū)域211的側(cè)壁)到所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的側(cè)壁330s之間的距離d、以及所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的折射率確定。
[0064]具體地，所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的折射率與上蓋板結(jié)構(gòu)330外的空氣或其他介質(zhì)的折射率決定了入射至所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的光線在所述側(cè)壁330處發(fā)生全反射的臨界角。繼續(xù)參考圖11，本實(shí)施例中，假設(shè)所述臨界角為α，所述空腔壁320靠近感應(yīng)區(qū)域211的側(cè)壁到上蓋板結(jié)構(gòu)330的側(cè)壁330s之間的距離d，且所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的側(cè)壁330s與所述空腔壁320的頂表面垂直，當(dāng)光線13入射所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的部分光線在所述側(cè)壁330s上的入射角為α?xí)r，反射光線14與所述空腔壁320的頂表面的夾角也為α，根據(jù)三角函數(shù)關(guān)系可以確定一個(gè)高度:h = tan(a )*d。所述高度h可以使得，當(dāng)可能發(fā)生全反射的光線13照射至高度h以下的垂直壁330s時(shí)，如果發(fā)生了全反射，其反射光線14也只會(huì)照射至所述空腔壁320的頂表面，而不會(huì)照射至所述感應(yīng)區(qū)域211，不會(huì)對(duì)所述感應(yīng)區(qū)域211的成像產(chǎn)生干擾。因此，本實(shí)施例中所述第二切割溝槽420的預(yù)設(shè)深度設(shè)置為大于所述上蓋板結(jié)構(gòu)320與所述高度h的差值，可以使得從所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的側(cè)壁全反射光線的不能進(jìn)入所述感應(yīng)區(qū)域211。
[0065]在其他一些實(shí)施例中，所述第二切割溝槽420的深度的確定還需要考慮所述感應(yīng)區(qū)域211與所述空腔壁320內(nèi)側(cè)壁的距離，所述空腔壁320的厚度，以及第三切割工藝形成的的第三切割溝槽430的寬度等因素。總之，所述第二切割溝槽420的形狀使得在所述芯片封裝結(jié)構(gòu)中，從所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的側(cè)壁全反射的光線不能進(jìn)入所述感應(yīng)區(qū)域211。
[0066]對(duì)應(yīng)于上述的封裝方法所形成的芯片封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種封裝結(jié)構(gòu)。
[0067]參考圖10，所述封裝結(jié)構(gòu)包括:芯片單元210，所述芯片單元210的第一表面210a包括感應(yīng)區(qū)域211 ;上蓋板結(jié)構(gòu)330，所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的第一表面330a具有多個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)310，所述凹槽結(jié)構(gòu)由所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的第一表面330a和位于所述第一表面330a上的空腔壁320圍成；其中，所述芯片單元210的第一表面210a與所述上蓋板結(jié)構(gòu)330的第一表面330a相對(duì)結(jié)合，使得所述感應(yīng)區(qū)域211位于所述凹槽結(jié)構(gòu)310和所述芯片單元330的第一表面330