国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      使用雙重圖案化的自對(duì)準(zhǔn)納米線的形成的制作方法_4

      文檔序號(hào):9418925閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      方向上。X方向和C方向形成角Θ,角Θ在O度和90度之間但不包括O度和90度。再次地,交替地分配節(jié)距Pl和P2,且交替地分配節(jié)距P3和P4。
      [0058]本發(fā)明的實(shí)施例具有一些有利的特征。通過在兩個(gè)方向上使用自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝來(lái)形成納米線的圖案,半導(dǎo)體納米線的尺寸可以被減小為小于光刻工藝的極限。圖案之間的套刻失配的風(fēng)險(xiǎn)低。
      [0059]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,一種方法包括在半導(dǎo)體襯底上方形成圖案預(yù)留層。半導(dǎo)體襯底具有主表面。執(zhí)行第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝來(lái)圖案化圖案預(yù)留層。圖案預(yù)留層的剩余部分包括在平行于半導(dǎo)體襯底的主表面的第一方向上延伸的圖案預(yù)留條。執(zhí)行第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝以在平行于半導(dǎo)體襯底的主表面的第二方向上圖案化圖案預(yù)留層。圖案預(yù)留層的剩余部分包括圖案化的部件。圖案化的部件用作蝕刻掩模以通過蝕刻半導(dǎo)體襯底來(lái)形成半導(dǎo)體納米線。
      [0060]根據(jù)本發(fā)明的可選實(shí)施例,一種方法包括在半導(dǎo)體襯底上方形成圖案預(yù)留層,使用第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝蝕刻該圖案預(yù)留層以形成圖案預(yù)留條,形成填充材料以填充圖案預(yù)留條之間的空間,以及使用第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝蝕刻圖案預(yù)留條。圖案預(yù)留條的剩余部分形成圖案化的部件。第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝和第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝中的每個(gè)均包括形成芯軸條,其中第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝的芯軸條具有第一縱向方向,其不同于第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝的芯軸條的第二縱向方向。第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝和第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝中的每個(gè)均還包括在芯軸條的側(cè)壁上形成間隔件,以及去除芯軸條。芯軸條用作蝕刻掩模以在第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝和第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝中蝕刻圖案預(yù)留層。圖案化的部件用作蝕刻掩模以通過蝕刻半導(dǎo)體襯底來(lái)形成半導(dǎo)體納米線。
      [0061]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)可選實(shí)施例,集成電路結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底以及位于半導(dǎo)體襯底上方的多條半導(dǎo)體納米線。多條半導(dǎo)體納米線被設(shè)置成多個(gè)行和多個(gè)列。多個(gè)行具有第一節(jié)距和不同于第一節(jié)距的第二節(jié)距,其中第一節(jié)距和第二節(jié)距以交替的圖案分配。多個(gè)列具有第三節(jié)距和不同于第三節(jié)距的第四節(jié)距,其中第三節(jié)距和第四節(jié)距以交替的圖案分配。
      [0062]上面論述了若干實(shí)施例的部件,使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解,可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或更改其他用于達(dá)到與這里所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)的工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到,這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍,并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種方法,包括: 在半導(dǎo)體襯底上方形成圖案預(yù)留層,其中,所述半導(dǎo)體襯底包括主表面; 執(zhí)行第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝以圖案化所述圖案預(yù)留層,其中,所述圖案預(yù)留層的剩余部分包括在平行于所述半導(dǎo)體襯底的主表面的第一方向上延伸的圖案預(yù)留帶; 執(zhí)行第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝以在平行于所述半導(dǎo)體襯底的主表面的第二方向上圖案化所述圖案預(yù)留層,其中,所述圖案預(yù)留層的剩余部分包括圖案化的部件;以及 使用所述圖案化的部件作為蝕刻掩模以通過蝕刻所述半導(dǎo)體襯底來(lái)形成半導(dǎo)體納米線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝和所述第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝均包括: 形成芯軸層; 蝕刻所述芯軸層以形成芯軸帶,其中,所述第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝的所述芯軸帶具有在所述第一方向上的縱向方向; 在所述芯軸層上方形成間隔件層; 去除所述間隔件層的水平部分,其中,所述芯軸層的垂直部分形成間隔件; 去除所述芯軸帶;以及 使用所述芯軸帶作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻所述圖案預(yù)留層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,還包括:在所述圖案預(yù)留層上方形成氧化物層,其中,在所述第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝期間,所述氧化物層被圖案化。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,在所述第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝之后,所述氧化物層包括位于所述圖案預(yù)留帶上方的剩余的氧化物帶,并且所述方法還包括以填充材料填充所述剩余的氧化物帶之間的空間,所述填充材料在所述第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝中被圖案化。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一方向垂直于所述第二方向。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一方向既不垂直于也不平行于所述第二方向。7.一種方法,包括: 在半導(dǎo)體襯底上方形成圖案預(yù)留層; 使用第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝蝕刻所述圖案預(yù)留層以形成圖案預(yù)留帶; 形成填充材料以填充所述圖案預(yù)留帶之間的空間; 使用第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝來(lái)蝕刻所述圖案預(yù)留帶,其中,所述圖案預(yù)留帶的剩余部分形成圖案化的部件,所述第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝和所述第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝均包括: 形成芯軸帶,其中,所述第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝的芯軸帶具有第一縱向方向,所述第一縱向方向不同于所述第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝的芯軸帶的第二縱向方向; 在所述芯軸帶的側(cè)壁上形成間隔件;和 去除所述芯軸帶,其中,所述芯軸帶用作蝕刻掩模以在所述第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝和所述第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝中蝕刻所述圖案預(yù)留層;以及 使用所述圖案化的部件作為蝕刻掩模以通過蝕刻所述半導(dǎo)體襯底來(lái)形成半導(dǎo)體納米線。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,形成所述芯軸帶包括: 形成非晶硅層;以及 圖案化所述非晶硅層。9.一種集成電路結(jié)構(gòu),包括: 半導(dǎo)體襯底;以及 多條半導(dǎo)體納米線,位于所述半導(dǎo)體襯底上方,所述多條半導(dǎo)體納米線設(shè)置成多個(gè)行和多個(gè)列,其中: 所述多個(gè)行具有第一節(jié)距和不同于所述第一節(jié)距的第二節(jié)距,其中,所述第一節(jié)距和所述第二節(jié)距以交替的圖案分配;和 所述多個(gè)列具有第三節(jié)距和第四節(jié)距,其中,所述第三節(jié)距和所述第四節(jié)距以交替的圖案分配。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路結(jié)構(gòu),其中,所述第四節(jié)距不同于所述第三節(jié)距。
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種方法,包括在半導(dǎo)體襯底上方形成圖案預(yù)留層。該半導(dǎo)體襯底具有主表面。執(zhí)行第一自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝以圖案化圖案預(yù)留層。該圖案預(yù)留層的剩余部分包括在平行于半導(dǎo)體襯底的主表面的第一方向上延伸的圖案預(yù)留帶。執(zhí)行第二自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化工藝以在平行于半導(dǎo)體襯底的主表面的第二方向上圖案化圖案預(yù)留層。圖案預(yù)留層的剩余部分包括圖案化的部件。圖案化的部件用作蝕刻掩模以通過蝕刻半導(dǎo)體襯底來(lái)形成半導(dǎo)體納米線。本發(fā)明還提供了利用上述方法形成的集成電路結(jié)構(gòu)。
      【IPC分類】H01L21/02, H01L21/77
      【公開號(hào)】CN105140100
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410808255
      【發(fā)明人】傅勁逢, 陳德芳, 嚴(yán)佑展, 李佳穎, 李俊鴻, 林煥哲
      【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
      【公開日】2015年12月9日
      【申請(qǐng)日】2014年12月22日
      【公告號(hào)】DE102015106581A1, US20150348848
      當(dāng)前第4頁(yè)1 2 3 4 
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
      1