散熱半導(dǎo)體芯片封裝件及其制造方法
【專利說明】散熱半導(dǎo)體芯片封裝件及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2014年6月24日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2014-0077400號(hào)的權(quán)益，其全部公開內(nèi)容通過弓I用并入本文中用于所有目的。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]下面的描述涉及散熱半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)。下面的描述還涉及低成本的半導(dǎo)體芯片封裝件以及使用液化涂布液來制造該半導(dǎo)體芯片封裝件的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]包括液晶顯示器的設(shè)備，例如筆記本電腦、平板電腦、或智能手機(jī)，為實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示而使用高集成度的晶體管。由于在驅(qū)動(dòng)液晶顯示器時(shí)高集成度的晶體管產(chǎn)生高熱量，所以高集成度晶體管使用減少發(fā)熱的技術(shù)?，F(xiàn)在，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)電視或超高清(UHD)LED電視中使用的關(guān)鍵晶體管芯片的這種發(fā)熱問題正在提出對(duì)這類顯示技術(shù)的設(shè)計(jì)上的問題。此外，顯示屏的尺寸越大，例如50英寸以上，會(huì)呈現(xiàn)越多的發(fā)熱問題。
[0005]例如，由于分辨率的水平值和垂直的增加，對(duì)于給定的顯示器框，需要處理多于兩倍的像素，所以超高清LED電視比現(xiàn)有的全高清分辨率電視顯示器產(chǎn)生更多的熱量，并因此這類設(shè)備的圖像數(shù)據(jù)處理速度必須比現(xiàn)有技術(shù)的速度快兩倍以上。
[0006]因此，由于來自內(nèi)部部件的放熱使電視過熱，會(huì)發(fā)生例如屏幕上顯示不出圖像或顯示雪花的故障。例如，這種放熱會(huì)發(fā)生在顯示器驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)內(nèi)，其中顯示器驅(qū)動(dòng)IC控制超高清LED電視面板的顏色和圖像質(zhì)量以實(shí)現(xiàn)屏幕顯示。因此，正在實(shí)現(xiàn)釋放顯示器驅(qū)動(dòng)IC的熱量的用于實(shí)現(xiàn)散熱效果的方法。使用絕緣帶使得在顯示器驅(qū)動(dòng)IC上包括散熱層以釋放多余熱量的技術(shù)占傳統(tǒng)技術(shù)的大多數(shù)。但是，使用絕緣帶形成散熱層的方法不能很好地適用于例如上述的產(chǎn)生高熱量的超高清LED電視的設(shè)備。同時(shí)，因?yàn)檫€使用了發(fā)生費(fèi)用的用來添加散熱層的絕緣帶，所以制造成本增加。
[0007]某些技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝件的散熱結(jié)構(gòu)，其中散熱元件可安裝在半導(dǎo)體封裝件內(nèi)以將內(nèi)部熱量散至外部。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
來以簡化的形式介紹在下面的【具體實(shí)施方式】中進(jìn)一步描述的一組精選概念。本
【發(fā)明內(nèi)容】
既無意于確定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征和基本特征，也無意于幫助用來確定所要求保護(hù)主題的范圍。
[0009]實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體芯片封裝件及其制造方法，使其能夠通過簡單的制造工藝及廉價(jià)的制造成本制造。
[0010]實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體芯片封裝件及其制造方法，其能夠形成直接接觸半導(dǎo)體芯片的散熱層。
[0011]實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體芯片封裝件及其制造方法，其能夠形成直接接觸半導(dǎo)體芯片的散熱層，以為使用高度集成電路電子產(chǎn)品的提供穩(wěn)定性。
[0012]在一個(gè)一般性方面，一種制造散熱半導(dǎo)體芯片封裝件的方法包括:將半導(dǎo)體芯片的第一表面附接到絕緣膜上，將涂布液注入到半導(dǎo)體芯片的第二表面上以形成液化涂布層，以及使所述液化涂布層固化以形成散熱層，其中所述涂布液包括用于散熱的液化模塑混合物和細(xì)的氧化鋁顆粒。
[0013]使所述涂布層固化包括進(jìn)行預(yù)固化和進(jìn)行后固化。
[0014]使半導(dǎo)體芯片的第一表面附接至絕緣膜上還包括將環(huán)氧模塑混合物填充至絕緣膜和半導(dǎo)體芯片之間的空間中。
[0015]填充環(huán)氧模塑混合物還包括進(jìn)行用于固化環(huán)氧模塑混合物的預(yù)固化以及進(jìn)行用于固化所述環(huán)氧模塑混合物的后固化。
[0016]進(jìn)行后固化可包括在100°C至200°C的溫度下固化該液化的涂布層或環(huán)氧模塑混合物。
[0017]進(jìn)行后固化可包括在100°C至200°C的溫度下固化該液化的涂布層。
[0018]涂布液的粘度可為1000cP至300000cP。
[0019]散熱層的熱導(dǎo)率可為1.0ff/mK至4.0W/mK。
[0020]用于散熱的模塑混合物可以為硅基模塑混合物或環(huán)氧基模塑混合物。
[0021 ] 細(xì)氧化鋁顆?？蓸?gòu)成涂布液的60wt %至90wt %。
[0022]細(xì)氧化招顆粒的尺寸可為3 μπι至70 μπι。
[0023]散熱層的面積是5mm至1mm乘以1mm至40mm，且所述散熱層的厚度為0.5mm至3.0mm0
[0024]在另一個(gè)一般性方面，一種散熱半導(dǎo)體器件封裝件，包括附接至絕緣膜上的半導(dǎo)體芯片的第一表面，注入到半導(dǎo)體芯片的第二表面上的涂布液以形成液化的涂布層；以及散熱層，其通過固化所述液化的涂布層而形成，其中涂布液包括用于散熱的液化的模塑混合物和細(xì)氧化鋁顆粒。
[0025]固化涂布層可包括進(jìn)行預(yù)固化和進(jìn)行后固化。
[0026]將半導(dǎo)體芯片的第一表面附接至絕緣膜上還可包括將環(huán)氧模塑混合物填充至絕緣膜和半導(dǎo)體芯片之間的空間中。
[0027]填充環(huán)氧模塑混合物還可包括進(jìn)行用于固化該環(huán)氧模塑混合物的預(yù)固化，以及進(jìn)行用于固化該環(huán)氧模塑混合物的后固化。
[0028]進(jìn)行后固化可包括在100°C至200°C的溫度下固化該液化的涂布層或環(huán)氧模塑混合物。
[0029]進(jìn)行后固化可包括在100°C至200°C的溫度下固化該液化的涂布層。
[0030]用于散熱的模塑混合物可以為硅基模塑混合物或環(huán)氧基模塑混合物。
[0031]散熱層的面積可以為5mm至1mm乘以1mm至40mm，散熱層的厚度為0.5mm至3.0mm0
[0032]所描述的技術(shù)具有一定的優(yōu)點(diǎn)。但是，這并不要求具體的實(shí)例總是包括以下所有的優(yōu)點(diǎn)或僅限于以下的優(yōu)點(diǎn)。
[0033]根據(jù)實(shí)施例，散熱半導(dǎo)體芯片封裝件和制造散熱半導(dǎo)體芯片封裝件的方法形成了與半導(dǎo)體芯片直接接觸的散熱層以使散熱效果最大化。
[0034]根據(jù)實(shí)施例，散熱半導(dǎo)體芯片封裝件和制造散熱半導(dǎo)體芯片封裝件的方法形成了與半導(dǎo)體芯片直接接觸的散熱層以降低了制造成本。
[0035]根據(jù)實(shí)施例，散熱半導(dǎo)體芯片封裝件和制造散熱半導(dǎo)體芯片封裝件的方法，形成了與半導(dǎo)體芯片直接接觸的散熱層以為使用高集成度電路的電子產(chǎn)品提供穩(wěn)定性。
[0036]根據(jù)下面的具體實(shí)施方案、附圖和權(quán)利要求，其他的特征和方面將是明顯的。
【附圖說明】
[0037]圖1是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的散熱半導(dǎo)體芯片封裝件的側(cè)視圖。
[0038]圖2是示出了根據(jù)另一實(shí)施例的散熱半導(dǎo)體芯片封裝件的側(cè)視圖。
[0039]圖3是示出了用于制造散熱半導(dǎo)體芯片封裝件的工藝的圖。
[0040]圖4是示出了通過制造散熱半導(dǎo)體芯片封裝件的方法制造的樣品半導(dǎo)體芯片封裝件的圖片。
[0041]圖5是示出了根據(jù)散熱半導(dǎo)體芯片封裝件中散熱層的面積的降溫效果。
[0042]貫穿附圖和【具體實(shí)施方式】，除非另有說明或設(shè)定，應(yīng)將相同的附圖標(biāo)記理解為指代相同的元件、特征和結(jié)構(gòu)。為了清楚、說明和方便起見，附圖可能不按比例，并且附圖中元件的相對(duì)尺寸、比例以及描繪可能被放大。
【具體實(shí)施方式】
[0043]提供以下【具體實(shí)施方式】以幫助讀者獲得對(duì)本文中描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，本文中描述的系統(tǒng)、裝置和/或方法的多種變化方案、修改方案和等同方案對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言將是明顯的。所描述的處理步驟和/或操作的進(jìn)程是實(shí)例；然而，順序和/或操作不限于本文中所述，并且除了必須按照一定的順序發(fā)生的步驟和/或操作之外，順序和/或操作可以根據(jù)本領(lǐng)域所已知的進(jìn)行變化。同樣，為了更加清楚和簡潔，可以省略對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所公知的功能和結(jié)構(gòu)的描述。
[0044]本文中描述的特征可以實(shí)施為不同的形式，并且不應(yīng)將其理解為僅限于本文中所描述的實(shí)施例。相反，提供本文中描述的實(shí)施例使得本公開內(nèi)容更加全面和完整，并且將本公開的全部范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。
[0045]在本公開中所述的術(shù)語應(yīng)按以下方式理解。
[0046]盡管可以使用術(shù)語例如“第一”和“第二”等來描述各種組件，但是不應(yīng)將這些組件理解為受限于上述術(shù)語。上述術(shù)語僅用于使一個(gè)元件區(qū)分于另一元件。例如，在不脫離本公開內(nèi)容的權(quán)利的范圍的情況下，第一組件可以被稱為第二組件，同樣地第二組件可以被稱為第一組件。
[0047]應(yīng)理解，當(dāng)元件被稱為“耦接至”另一元件時(shí)，該元件可以直接耦接至另一個(gè)元件或者還可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接耦接至”另一元件時(shí)，不存在中間元件。此外，除非有明確的相反描述，否則詞“包括”和變體如“包含”或“含有”應(yīng)被理解為意指包括所述的元件但不排除任意其他元件。同時(shí)，可以類似地解釋描述組件之間的關(guān)系的其他表達(dá)如“在……之間”、“