質(zhì)量份以下，優(yōu)選為2質(zhì)量份以下。熱固 化催化劑的配混比例為上述上限以下時，可以使軟磁性樹脂組合物在室溫下的長期保存性 良好。而熱固化催化劑的配混比例為上述下限以上時，能夠以低溫度且短時間對半固化狀 態(tài)的軟磁性薄膜進行加熱固化、高效制造固化狀態(tài)的軟磁性薄膜。
[0066] 軟磁性樹脂組合物也可以進一步根據(jù)需要而含有其他添加劑。作為添加劑，例如 可列舉出：交聯(lián)劑、無機填充材料等市售或公知的物質(zhì)。
[0067] 作為交聯(lián)劑，例如可列舉出：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對亞苯基 二異氰酸酯、1，5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等多異氰酸酯化合物。
[0068] 作為交聯(lián)劑的含有比例，相對于熱固化性樹脂成分100質(zhì)量份，例如為7質(zhì)量份以 下，此外高于〇質(zhì)量份。
[0069] 此外，軟磁性樹脂組合物可以根據(jù)其用途而適當(dāng)配混無機填充劑。由此，能夠提高 軟磁性薄膜的導(dǎo)熱性、彈性模量。
[0070] 作為無機填充劑，可列舉出：例如二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、 氧化鈹、炭化硅、氮化硅等陶瓷類，例如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊錫等金屬或合 金類，還有碳等。這些無機填充劑可以單獨使用或使用2種以上。
[0071] 無機填充劑的平均粒徑例如為0. 1 μm以上且80 μm以下。
[0072] 配混無機填充劑時，相對于熱固化性樹脂成分100質(zhì)量份，配混比例例如為80質(zhì) 量份以下，優(yōu)選為70質(zhì)量份以下，此外高于0質(zhì)量份。
[0073] 接下來，對本發(fā)明的軟磁性薄膜的制造方法進行說明。
[0074] 要想制作軟磁性薄膜，首先通過將上述成分混合來得到軟磁性樹脂組合物，接著 通過將軟磁性樹脂組合物溶解或分散于溶劑來制備軟磁性樹脂組合物溶液。
[0075] 作為溶劑，可列舉出：例如丙酮、甲乙酮（MEK)等酮類，例如醋酸乙酯等酯類，例如 N，N-二甲基甲酰胺等酰胺類，丙二醇單甲醚等醚類等有機溶劑等。此外，作為溶劑，還可舉 出：例如水，例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇等醇等水系溶劑。
[0076] 軟磁性樹脂組合物溶液中的固體成分量例如為5質(zhì)量％以上，優(yōu)選為10質(zhì)量％以 上，此外還例如為50質(zhì)量％以下，優(yōu)選為20質(zhì)量％以下。
[0077] 接著，將軟磁性樹脂組合物溶液以規(guī)定厚度涂布在基材（隔離體、芯材等）的表面 形成涂布膜后，將涂布膜在規(guī)定條件下干燥。由此，可得到軟磁性薄膜。
[0078] 作為涂布方法，沒有特別限定，例如可列舉出：刮刀法、輥涂覆、簾涂覆、照相凹版 涂覆等。
[0079] 作為干燥條件，干燥溫度例如為70°C以上且160°C以下，干燥時間例如為1分鐘以 上且5分鐘以下。
[0080] 作為隔離體，例如可列舉出：聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚 丙烯薄膜、紙等。它們在其表面通過例如氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑、有機硅 類剝離劑等進行了脫模處理。
[0081] 作為芯材，例如可列舉出：塑料薄膜（例如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲 酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等）、金屬薄膜（例如鋁箱等）、 用例如玻璃纖維、塑料制無紡布纖維等強化了的樹脂基板、硅基板、玻璃基板等。
[0082] 隔離體或芯材的平均厚度例如為1 μπι以上且500 μπι以下。
[0083] 如此得到的軟磁性薄膜在室溫（具體而言為25°C )下為半固化狀態(tài)（Β階），是具 備良好的粘接性的軟磁性接著薄膜。由此，能夠確實地與天線、線圈或表面形成有它們的電 路基板等被粘物粘接，因此如果使用該半固化狀態(tài)的軟磁性薄膜，則能夠與電路基板等粘 接/固定而不需要粘接劑層。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)使用軟磁性薄膜的電子設(shè)備的小型化。
[0084] 軟磁性薄膜（半固化狀態(tài)）的平均膜厚例如為500 μ m以下，優(yōu)選為300 μ m以下， 更優(yōu)選為200 μ m以下，進一步優(yōu)選為150 μ m以下，最優(yōu)選為100 μ m以下，此外例如為5 μ m 以上，優(yōu)選為50 μ m以上。
[0085] 軟磁性顆粒相對于軟磁性薄膜中的固體成分的填充率（在軟磁性薄膜中軟磁性 顆粒相對于固體成分所占的、排除了空隙的體積比率）相對于軟磁性薄膜例如含有50體 積％以上，優(yōu)選含有55體積％以上，此外例如含有95體積％以下，優(yōu)選含有90體積％以 下。
[0086] 此外，軟磁性薄膜優(yōu)選軟磁性薄膜中含有的軟磁性顆粒沿軟磁性薄膜的2維的面 內(nèi)方向排列。即，扁平狀軟磁性顆粒的長度方向（與厚度方向正交的方向）沿軟磁性薄膜 的面方向取向。因此，軟磁性薄膜的相對導(dǎo)磁率更進一步優(yōu)異。
[0087] 接著，根據(jù)需要而通過加熱使軟磁性薄膜（半固化狀態(tài)）固化。由此，可得到固化 狀態(tài)（C階）的軟磁性薄膜。
[0088] 加熱溫度例如為80°C以上，優(yōu)選為100°C以上，此外還例如為200°C以下，優(yōu)選為 175°C以下。
[0089] 加熱時間例如為0. 1小時以上，優(yōu)選為0. 2小時以上，此外還例如為24小時以下， 優(yōu)選為3小時以下，更優(yōu)選為2小時以下。
[0090] 優(yōu)選一邊按壓軟磁性薄膜（半固化狀態(tài)）一邊進行加熱固化。壓力例如為IOMPa 以上，優(yōu)選為20MPa以上，此外例如為500MPa以下，優(yōu)選為200MPa以下。
[0091] 此外，可以僅對軟磁性薄膜1層加熱，也可以層疊多層（例如為2~20層，優(yōu)選為 2~5層）軟磁性薄膜后進行加熱和按壓。由此，能夠進一步高填充化，使得軟磁性薄膜的 相對導(dǎo)磁率更進一步良好。
[0092] 加熱后的軟磁性薄膜（固化狀態(tài)）的膜厚例如為5 μ m以上，優(yōu)選為50 μ m以上， 此外例如為500 μ m以下，優(yōu)選為250 μ m以下。
[0093] 此外，軟磁性薄膜（固化狀態(tài)）的相對導(dǎo)磁率例如為180以上，優(yōu)選為200以上， 更優(yōu)選為210以上。
[0094] 加熱后的軟磁性薄膜（固化狀態(tài)）的各成分的質(zhì)量含有比率和取向狀態(tài)等與加熱 前的軟磁性薄膜（半固化狀態(tài)）實質(zhì)上相同。
[0095] 此外，對于軟磁性薄膜（固化狀態(tài)）中的軟磁性顆粒的體積比率，例如含有50體 積％以上，優(yōu)選含有55體積％以上，此外例如含有95體積％以下，優(yōu)選含有90體積％以 下。由此使得相對導(dǎo)磁率優(yōu)異。
[0096] 本發(fā)明的軟磁性薄膜例如可以制成僅由單層軟磁性薄膜形成的單層結(jié)構(gòu)、在芯材 的單面或兩面層疊有軟磁性薄膜的多層結(jié)構(gòu)、在軟磁性薄膜的單面或兩面層疊有隔離體的 多層結(jié)構(gòu)等形態(tài)。
[0097] 該軟磁性薄膜可以適宜地用作例如用于層疊在天線、線圈或在表面形成有它們的 電路基板上的軟磁性薄膜（磁性薄膜）。更具體而言，可以用于智能手機、個人電腦、位置檢 測裝置等用途。
[0098] 為了將軟磁性薄膜層疊于電路基板，可列舉出：將固化狀態(tài)的軟磁性薄膜通過粘 接劑層固定于電路基板的方法，將半固化狀態(tài)的軟磁性薄膜直接貼附于電路基板后將粘接 薄膜加熱固化來固定于電路基板的方法等。
[0099] 從不需要粘接劑層、能夠使電子設(shè)備小型化的角度來看，可列舉出將半固化狀態(tài) 的軟磁性薄膜直接貼附于電路基板后將軟磁性薄膜加熱固化的方法。
[0100] 此外，從能夠更確實地保證絕緣性的角度來看，可列舉出將固化狀態(tài)的軟磁性薄 膜通過粘接劑層固定于電路基板的方法。
[0101] 粘接劑層通過使用通常用作電路基板的粘接劑層的公知的物質(zhì)，涂布和干燥例如 環(huán)氧系粘接劑、聚酰亞胺系粘接劑、丙烯酸類粘接劑等粘接劑而形成。粘接劑層的厚度例如 為 10 ~100 μ m〇
[0102] 接著，該軟磁性樹脂組合物含有扁平狀的軟磁性顆粒和熱固化性樹脂成分，軟磁 性顆粒的平均粒徑為100 μ m以上且300 μ m以下，軟磁性顆粒的平均厚度為0. 5 μ m以上且 2. Ομπι以下，軟磁性顆粒的含有比率（固體成分）為50體積％以上。
[0103] 根據(jù)該軟磁性樹脂組合物，由于含有具有特定的形狀和大小的特定量的軟磁性顆 粒和熱固化性樹脂成分，因此在軟磁性樹脂組合物中，可抑制軟磁性顆粒的聚集沉淀的產(chǎn) 生。因此，能夠通過涂布確實地成形為薄膜狀。
[0104] 該軟磁性薄膜由含有扁平狀的軟磁性顆粒和熱固化性樹脂成分、軟磁性顆粒的平 均粒徑為100 μπι以上且300 μL?以下、軟磁性顆粒的平均厚度為0. 5 μL?以上且2. 0 μL?以 下、軟磁性顆粒的含有比率為50體積％