00 μπι的范圍內(nèi)、例如在從大約500 μm到大約1 mm的范圍內(nèi)。
[0013]依據(jù)各種實(shí)施例，MEMS傳感器106可以被耦合到引線框架102的表面。MEMS傳感器106可以通過封閉層118a被耦合到引線框架102的表面。封閉層118a可以是或可以包含如對給定應(yīng)用可以是期望的各種粘合劑、封閉劑、和環(huán)氧膠，比如傳導(dǎo)或非傳導(dǎo)環(huán)氧膠、或基于硅酮的膠。封閉層118a可以是導(dǎo)電的或可以是電絕緣體，如對給定應(yīng)用可以要求的。封閉層118a可以是或可以包含聚合物粘合劑，諸如SU-8或苯并環(huán)丁烯(BCB)。依據(jù)各種實(shí)施例，封閉層118a可以是或可以包含各種粘性箔。封閉層118a可以具有如對給定應(yīng)用可以是期望的厚度，比如在從大約5 μm到大約50 μm的范圍內(nèi)，例如在從大約5 μπι到大約20 μm的范圍內(nèi)，例如在從大約20 μπι到大約50 μπι的范圍內(nèi)。
[0014]在各種實(shí)施例中，MEMS傳感器106可以被實(shí)施為MEMS麥克風(fēng)、MEMS揚(yáng)聲器、或MEMS壓力傳感器。在其中MEMS傳感器106可以被實(shí)施為MEMS麥克風(fēng)的實(shí)施例中，MEMS麥克風(fēng)可以具有背容積120，該背容積120為大約5立方毫米，例如在從大約0.5立方毫米到大約1立方毫米的范圍內(nèi)、例如在從大約1立方毫米到大約1.5立方毫米的范圍內(nèi)、例如在從大約1.5立方毫米到大約3立方毫米的范圍內(nèi)、例如在從大約3立方毫米到大約5立方毫米的范圍內(nèi)。在各種實(shí)施例中，MEMS麥克風(fēng)背容積120可以具有深度D2，該深度D2在從大約50 μπι到大約1 mm的范圍內(nèi)，例如在從大約50 μπι到大約100 μπι的范圍內(nèi)、在從大約100 μm到大約200 μm的范圍內(nèi)、例如在從大約200 μπι到大約300 μπι的范圍內(nèi)、例如在從大約300 μπι到大約500 μm的范圍內(nèi)、例如在從大約500 μπι到大約1mm的范圍內(nèi)。
[0015]在各種實(shí)施例中，MEMS傳感器106可以被布置在凹部104之上以形成腔108。腔108可以由凹部104和MEMS麥克風(fēng)背容積120來形成。封閉層108a可以在聲學(xué)上封閉在凹部104和MEMS麥克風(fēng)背容積120之間的界面。依據(jù)各種實(shí)施例，凹部104可以延伸和/或擴(kuò)大MEMS麥克風(fēng)背容積120，而沒有增加MEMS傳感器結(jié)構(gòu)100的總體高度H1。增加背體積120的大小可以導(dǎo)致針對MEMS麥克風(fēng)的增加的信噪比。
[0016]依據(jù)各種實(shí)施例，如在圖1中圖解的，集成電路110可以被布置和/或被安裝在多個電引線102b中的至少一個的表面上。在各種實(shí)施例中，集成電路110可以通過封閉層118b被緊固到電引線102b的表面。封閉層118b可以是或可以包含如對給定應(yīng)用可以是期望的各種粘合劑、封閉劑、和環(huán)氧膠，比如傳導(dǎo)或非傳導(dǎo)環(huán)氧膠、或基于硅酮的膠。封閉層118b可以是導(dǎo)電的或可以是電絕緣體，如對給定應(yīng)用可以要求的。封閉層118b可以是或可以包含聚合物粘合劑，諸如SU-8或苯并環(huán)丁烯(BCB)。依據(jù)各種實(shí)施例，封閉層118b可以是或可以包含各種粘性箔。封閉層118b可以具有如對給定應(yīng)用可以是期望的厚度，比如在從大約5 μm到大約50 μm的范圍內(nèi)，例如在從大約5 μπι到大約20 μπι的范圍內(nèi)，例如在從大約20 μm到大約50 μπι的范圍內(nèi)。
[0017]在各種實(shí)施例中，集成電路110可以被電耦合和/或連接到多個電引線102b中的至少一個。集成電路110可以經(jīng)由線鍵合元件122被電連接到多個電引線102b中的任何數(shù)目。在一些實(shí)施例中，集成電路可以經(jīng)由在集成電路的表面上的傳導(dǎo)焊盤(未被示出)被電連接到多個電引線中的任何電引線。
[0018]在各種實(shí)施例中，集成電路110可以被實(shí)施為專用集成電路(ASIC)。集成電路110可以被實(shí)施為各種類型的ASIC，例如門陣列ASIC、標(biāo)準(zhǔn)單元ASIC、全定制ASIC、結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)ASIC、單元庫ASIC、和各種知識產(chǎn)權(quán)(IP)核ASIC。
[0019]依據(jù)各種實(shí)施例，集成電路110可以被電耦合和/或連接到MEMS傳感器106。集成電路110可以經(jīng)由線鍵合元件124被電連接到MEMS傳感器106。在一些實(shí)施例中，集成電路110可以被配置成處理由MEMS傳感器106生成的至少一個電信號。比如，在MEMS傳感器106可以被實(shí)施為MEMS麥克風(fēng)的情況中，集成電路110可以被配置成測量例如由入射在MEMS傳感器106上的聲波在MEMS傳感器106中生成的電容性信號并且將所述信號轉(zhuǎn)換成關(guān)于聲波的幅度的可用信息。在其它示范性實(shí)施例中，MEMS傳感器106可以被實(shí)施為MEMS壓力傳感器并且集成電路110可以被配置成測量和處理由MEMS壓力傳感器生成的關(guān)于環(huán)境壓力的改變的電信號。在另一個示范性實(shí)施例中，MEMS傳感器106可以被實(shí)施為MEMS揚(yáng)聲器并且集成電路110可以被配置成處理電信號和傳輸電信號到MEMS揚(yáng)聲器，其中所述信號可以造成MEMS揚(yáng)聲器以如對給定應(yīng)用可以是期望的各種幅度和頻率生成聲波。
[0020]依據(jù)各種實(shí)施例，如在圖1中圖解的，MEMS傳感器結(jié)構(gòu)100可以包含密封層112。密封層112可以基本上分別密封和/或覆蓋引線框架102、MEMS傳感器106、集成電路110、以及線鍵合元件122和124。密封層112可以通過下述各種工藝被形成和/或被沉積:例如轉(zhuǎn)移模制、壓縮模制、注入模制、柱塞模制、薄膜輔助模制、頂部密封(glob top)工藝、以及各種燒結(jié)工藝諸如熱壓縮模制和等靜壓(isostatic pressing)。依據(jù)各種實(shí)施例，密封層112可以由下述組成或可以包含下述:模制材料諸如各種熱固聚合物、熱固塑料、熱固樹月旨、聚酯樹脂、薄膜、聚酰胺、以及各種環(huán)氧膠或環(huán)氧樹脂。在一些實(shí)施例中，密封層112可以由對給定應(yīng)用可以是期望的任何材料組成或可以包含對給定應(yīng)用可以是期望的任何材料。
[0021]依據(jù)各種實(shí)施例，MEMS傳感器結(jié)構(gòu)100可以包含在密封層112中形成的開口 114。開口 114可以被布置，使得MEMS傳感器106的部分不被密封層112覆蓋。在各種示范性實(shí)施例中，開口 114可以在密封層112中形成并且被配置成允許MEMS傳感器106的部分保持暴露和/或與圍繞MEMS傳感器結(jié)構(gòu)100的環(huán)境連通。在其中MEMS傳感器結(jié)構(gòu)100可以被實(shí)施為MEMS麥克風(fēng)的示范性實(shí)施例中，開口 114可以允許聲波造成麥克風(fēng)的隔膜元件偏轉(zhuǎn)。在其中MEMS傳感器結(jié)構(gòu)100可以被實(shí)施為MEMS壓力傳感器的示范性實(shí)施例中，開口114可以允許圍繞MEMS傳感器結(jié)構(gòu)100的環(huán)境壓力的改變造成在壓力傳感器的膜元件中的偏轉(zhuǎn)。在各種實(shí)施例中，依據(jù)各種實(shí)施例，開口 114可以通過下述各種技術(shù)被形成在密封層112中:例如激光鉆孔、各種研磨技術(shù)、深反應(yīng)離子刻蝕、各向同性氣相刻蝕、汽相刻蝕、濕法刻蝕、各向同性干法刻蝕、等離子體刻蝕等。在各種實(shí)施例中，開口 114可以在形狀上是方形的或基本上方形的。開口 114可以在形狀上是長方形的或基本上長方形的。依據(jù)各種實(shí)施例，開口 114可以在形狀上是圓或基本上圓的。開口 114可以在形狀上是橢圓或基本上橢圓狀的。依據(jù)各種實(shí)施例，開口 114可以在形狀上是三角形或基本上三角形的。開口 114可以是十字或基本上十字形的。依據(jù)各種實(shí)施例，開口 114可以被形成為對給定應(yīng)用可以期望的任何形狀。
[0022]依據(jù)各種實(shí)施例，如在圖1中圖解的，MEMS傳感器結(jié)構(gòu)100可以包含至少一個間隔區(qū)結(jié)構(gòu)116。間隔區(qū)結(jié)構(gòu)116可以被布置在開口 114的邊緣區(qū)域處。依據(jù)各種實(shí)施例，間隔區(qū)結(jié)構(gòu)116可以由下述組成或可以包含下述:半導(dǎo)體材料，諸如硅、鍺、硅鍺、碳化硅、氮化鎵、銦、氮化銦鎵、砷化銦鎵、銦鎵鋅氧化物、或其它元素和/或化合物半導(dǎo)體(例如ιιι-ν化合物半導(dǎo)體諸如例如砷化鎵或磷化銦，或I1-VI化合物半導(dǎo)體或三元化合物半導(dǎo)體或四元化合物半導(dǎo)體)，如對給定應(yīng)用可以期望的。在各種實(shí)施例中，間隔區(qū)結(jié)構(gòu)116可以由下述組成或可以包含下述:各種光聚合物、光樹脂、熱塑性塑料、和光致抗蝕劑，例如各種丙烯酸鹽、異丁烯酸鹽、光敏引發(fā)劑、環(huán)氧樹脂、負(fù)性光致抗蝕劑、以及正性光致抗蝕劑。在各種實(shí)施例中，間隔區(qū)結(jié)構(gòu)116可以具有高度H2，該高度H2在從大約5 μπι到大約500 μπι的范圍內(nèi)，例如在從大約5 μπι到大約10 μπι的范圍內(nèi)、例如在從大約10 μπι到大約20 μπι的范圍內(nèi)、例如在從大約20 μπι到大約30 μπι的范圍內(nèi)、例如在從大約30 μπι到大約50μm的范圍內(nèi)、例如在從大約50 μm到大約100 μm的范圍內(nèi)、例如在從大