跨過(guò)凹部104的開口來(lái)布置的封閉結(jié)構(gòu)802。在各種實(shí)施例中，封閉結(jié)構(gòu)802可以被布置成在聲學(xué)上封閉在芯片座區(qū)域102a中由凹部104形成的穿孔的一端。封閉結(jié)構(gòu)802可以由下述組成或可以包含下述:各種粘合劑、封閉劑、環(huán)氧膠、聚合物、塑料、樹脂、薄膜、聚酰胺、金屬化材料、元素金屬、金屬箔、以及各種類型的金屬合金。封閉結(jié)構(gòu)可以由對(duì)給定應(yīng)用可以是期望的任何材料組成或可以包含對(duì)給定應(yīng)用可以是期望的任何材料。
[0032]依據(jù)各種實(shí)施例，如由在圖9中的示意性表示900描繪的，MEMS傳感器106可以被耦合到引線框架102的芯片座區(qū)域102a。MEMS傳感器結(jié)構(gòu)106可以通過(guò)如以上詳細(xì)討論的各種技術(shù)被耦合和/或安裝到芯片座區(qū)域102a。同樣地在示意性表示900中描繪的是集成電路110，其可以被耦合到多個(gè)電引線102b和/或被安裝在多個(gè)電引線102b上。依據(jù)各種實(shí)施例，示意性表示900進(jìn)一步描繪密封層112和間隔區(qū)結(jié)構(gòu)116。在示意性表示900中進(jìn)一步圖解的是其中凹部104被實(shí)施為在芯片座區(qū)域102a中的穿孔的示范性實(shí)施例。在示意性表示900中描繪的示范性實(shí)施例中，凹部104橫向延伸到芯片座區(qū)域102a中。依據(jù)各種實(shí)施例，臺(tái)階狀MEMS傳感器結(jié)構(gòu)400可以通過(guò)各種半導(dǎo)體器件加工技術(shù)被制造，各種半導(dǎo)體器件加工技術(shù)中的一些可以采用各種器件單體化技術(shù)，例如切塊。在示意性表示900中描繪的示范性實(shí)施例中，臺(tái)階狀MEMS傳感器結(jié)構(gòu)400的最終封裝外形由參考數(shù)字602指示。在各種實(shí)施例中，如在示意性表示900中圖解的和以上討論的，封閉結(jié)構(gòu)802可以被布置成在聲學(xué)上封閉在芯片座區(qū)域102a中由凹部104形成的穿孔的一端。
[0033]依據(jù)各種實(shí)施例，如由在圖10中的示意性表示1000描繪的，臺(tái)階狀MEMS傳感器結(jié)構(gòu)400的引線框架102可以包含若干開口和/或開口 702。在各種實(shí)施例中，開口 702可以被實(shí)施以結(jié)構(gòu)化和/或限定多個(gè)電引線102b。
[0034]下面示例關(guān)于進(jìn)一步示范性實(shí)施例。
[0035]在示例1中，傳感器結(jié)構(gòu)，該傳感器結(jié)構(gòu)可以包含:用于支撐MEMS傳感器的引線框架；在引線框架的表面中的凹部；以及MEMS傳感器，耦合到引線框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔。
[0036]在示例2中，示例1的傳感器結(jié)構(gòu)，其中引線框架可以被實(shí)施為半導(dǎo)體芯片座區(qū)域和多個(gè)電引線，該多個(gè)電引線被配置成連接到電路板并且圍繞半導(dǎo)體芯片座區(qū)域的外圍來(lái)布置。
[0037]在示例3中，示例2的傳感器結(jié)構(gòu)，其中凹部可以在芯片座區(qū)域中形成。
[0038]在示例4中，示例1的傳感器結(jié)構(gòu)，其中MEMS傳感器可以包含至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)。
[0039]在示例5中，示例1的傳感器結(jié)構(gòu)也可以包含:電耦合到MEMS傳感器的集成電路；其中集成電路可以被配置成處理由MEMS傳感器生成的信號(hào)。
[0040]在示例6中，示例5的傳感器結(jié)構(gòu)，其中集成電路可以通過(guò)線鍵合工藝被電耦合到MHMS傳感器。
[0041]在示例7中，示例5的傳感器結(jié)構(gòu)，其中集成電路可以被電耦合到引線框架。
[0042]在示例8中，示例5的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:可以設(shè)置在引線框架的表面之上的密封層；其中密封層可以至少部分地包封MEMS傳感器和集成電路。
[0043]在示例9中，示例8的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:在密封層中的開口 ；其中開口可以被布置，使得MEMS傳感器的部分不被密封層覆蓋。
[0044]在示例10中，示例8的傳感器結(jié)構(gòu)，其中密封層可以通過(guò)轉(zhuǎn)移模制工藝被沉積。
[0045]在示例11中，示例9的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:布置在開口的邊緣區(qū)域處的間隔區(qū)結(jié)構(gòu)；其中間隔區(qū)結(jié)構(gòu)可以被配置成防止密封層被沉積在開口中。
[0046]在示例12中，傳感器結(jié)構(gòu)，該傳感器結(jié)構(gòu)可以包含:用于支撐MEMS傳感器的引線框架；在引線框架的部分中形成的通孔；以及MEMS傳感器，耦合到引線框架的表面并且布置在通孔的開口之上以形成拱頂結(jié)構(gòu)。
[0047]在示例13中，示例12的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:配置成封閉通孔中的開口的結(jié)構(gòu)；其中該結(jié)構(gòu)可以被布置在通孔的與MEMS傳感器相對(duì)的端處。
[0048]在示例14中，示例13的傳感器結(jié)構(gòu)，其中引線框架可以被實(shí)施為半導(dǎo)體芯片座區(qū)域和多個(gè)電引線，該多個(gè)電引線被配置成連接到電路板并且圍繞半導(dǎo)體芯片座區(qū)域的外圍來(lái)布置。
[0049]在示例15中，示例14的傳感器結(jié)構(gòu)，其中通孔可以在半導(dǎo)體芯片座區(qū)域中形成。
[0050]在示例16中，示例13的傳感器結(jié)構(gòu)，其中MEMS傳感器可以被實(shí)施為至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)。
[0051]在示例17中，示例13的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:電耦合到MEMS傳感器的集成電路；其中集成電路可以被配置成處理由MEMS傳感器生成的信號(hào)。
[0052]在示例18中，示例13的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:設(shè)置在引線框架的表面之上的密封層；其中密封層可以至少部分地包封MEMS傳感器和集成電路。
[0053]在示例19中，示例18的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:在密封層中的開口 ；其中開口可以被布置，使得MEMS傳感器的部分不被密封層覆蓋。
[0054]在示例20中，示例18的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:布置在開口的邊緣區(qū)域處的間隔區(qū)結(jié)構(gòu)；其中間隔區(qū)結(jié)構(gòu)可以被配置成防止密封層被沉積在開口中。
[0055]在示例21中，示例18的傳感器結(jié)構(gòu)，其中通孔的部分可以橫向延伸到引線框架中超過(guò)MEMS傳感器的周界。
[0056]在示例22中，傳感器結(jié)構(gòu)，該傳感器結(jié)構(gòu)可以包含:用于支撐MEMS傳感器的引線框架；在引線框架的表面中的凹部；以及被布置在凹部之上以形成腔的MEMS傳感器。
[0057]在示例23中，示例22的傳感器結(jié)構(gòu)，其中引線框架可以被實(shí)施為半導(dǎo)體芯片座區(qū)域和多個(gè)電引線，該多個(gè)電引線被配置成連接到電路板并且圍繞半導(dǎo)體芯片座區(qū)域的外圍來(lái)布置。
[0058]在示例24中，示例22的傳感器結(jié)構(gòu)，其中MEMS傳感器可以被實(shí)施為至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)。
[0059]在示例25中，示例22的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:電耦合到MEMS傳感器的集成電路；其中集成電路可以被配置成處理由MEMS傳感器生成的信號(hào)。
[0060]在示例26中，示例22的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:設(shè)置在引線框架的表面之上的密封層；其中密封層可以至少部分地包封MEMS傳感器和集成電路。
[0061]在示例27中，示例26的傳感器結(jié)構(gòu)，其中密封層可以將MEMS傳感器和集成電路固定到引線框架。
[0062]在示例28中，示例26的傳感器結(jié)構(gòu)，其中密封層可以被配置成封閉由MEMS傳感器和凹部形成的腔。
[0063]在示例29中，傳感器結(jié)構(gòu)，該傳感器結(jié)構(gòu)可以包含:用于支撐MEMS傳感器的引線框架；在引線框架的部分中形成的通孔；以及布置在通孔的開口之上以形成拱頂結(jié)構(gòu)的MHMS傳感器。
[0064]在示例30中，示例29的傳感器結(jié)構(gòu)，其中引線框架可以被實(shí)施為半導(dǎo)體芯片座區(qū)域和多個(gè)電引線，該多個(gè)電引線被配置成連接到電路板并且圍繞半導(dǎo)體芯片座區(qū)域的外圍來(lái)布置。
[0065]在示例31中，示例30的傳感器結(jié)構(gòu)，其中通孔可以在半導(dǎo)體芯片座區(qū)域中形成。
[0066]在示例32中，示例30的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:設(shè)置在引線框架的表面之上的密封層；其中密封層可以至少部分地包封MEMS傳感器和集成電路。
[0067]在示例33中，示例32的傳感器結(jié)構(gòu)，其中通孔的部分可以橫向延伸到密封層中超過(guò)MEMS傳感器的周界。
[0068]在示例34中，示例30的傳感器結(jié)構(gòu)，其中MEMS傳感器可以被實(shí)施為至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)。
[0069]在示例35中，示例32的傳感器結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包含:配置成封閉通孔的開口的封閉結(jié)構(gòu)；其中封閉結(jié)構(gòu)可以被布置在通孔的與MEMS傳感器相對(duì)的端處。
[0070]在示例36中，示例35的傳感器結(jié)構(gòu)，其中封閉結(jié)構(gòu)可以被實(shí)施為金屬箔。
[0071]在示例37中，示例36的傳感器結(jié)構(gòu)，其中金屬箔可以比至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)不那么有延展性。
[0072]在示例38中，示例36的傳感器結(jié)構(gòu)，其中金屬箔可以比至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)不那么柔性。
[0073]在示例39中，示例36的傳感器結(jié)構(gòu)，其中金屬箔可以比至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)基本上更剛硬。<