br>[0074]在示例40中，形成傳感器結(jié)構(gòu)的方法，該方法可以包含:提供用于支撐MEMS傳感器的引線框架；形成在引線框架的表面中的凹部；并且將MEMS傳感器耦合到引線框架的表面并且將MEMS傳感器布置在凹部之上以形成腔。
[0075]在示例41中，示例40的方法，其中引線框架可以被實(shí)施為半導(dǎo)體芯片座區(qū)域和多個(gè)電引線，該多個(gè)電引線被配置成連接到電路板并且圍繞半導(dǎo)體芯片座區(qū)域的外圍來布置。
[0076]在示例42中，示例41的方法，其中凹部可以在半導(dǎo)體芯片座區(qū)域中形成。
[0077]在示例43中，示例40的方法，其中該方法可以進(jìn)一步包含:提供集成電路并且將集成電路電耦合到MEMS傳感器并且將集成電路配置成處理由MEMS傳感器生成的信號(hào)。
[0078]在示例44中，示例43的方法，其中集成電路可以通過線鍵合工藝被電耦合到MEMS傳感器。
[0079]在示例45中，示例43的方法，其中集成電路可以被電耦合到引線框架。
[0080]在示例46中，示例43的方法可以進(jìn)一步包含:將密封層沉積在引線框架的表面之上；其中密封層可以至少部分地包封MEMS傳感器和集成電路。
[0081]在示例47中，示例46的方法可以進(jìn)一步包含:在密封材料中形成開口 ；并且布置開口使得MEMS傳感器的部分不被密封層覆蓋。
[0082]在示例48中，示例46的方法，其中密封層可以通過轉(zhuǎn)移模制工藝被沉積。
[0083]在示例49中，示例47的方法可以進(jìn)一步包含:提供布置在開口的邊緣區(qū)域處的間隔區(qū)結(jié)構(gòu)；并且配置間隔區(qū)結(jié)構(gòu)以防止密封材料被沉積在開口中。
[0084]在示例50中，形成傳感器結(jié)構(gòu)的方法，該方法可以包含:提供用于支撐MEMS傳感器的引線框架；形成在引線框架的部分中的通孔；并且將MEMS傳感器耦合到引線框架的表面并且將MEMS傳感器布置在通孔的開口之上以形成拱頂結(jié)構(gòu)。
[0085]在示例51中，示例50的方法可以進(jìn)一步包含:配置結(jié)構(gòu)以封閉通孔的開口 ；并且將該結(jié)構(gòu)布置在通孔的與MEMS傳感器相對(duì)的端處。
[0086]在示例52中，示例50的方法，其中引線框架可以被實(shí)施為半導(dǎo)體芯片座區(qū)域和多個(gè)電引線，該多個(gè)電引線被配置成連接到電路板并且圍繞半導(dǎo)體芯片座區(qū)域的外圍來布置。
[0087]在示例53中，示例52的方法，其中通孔可以在半導(dǎo)體芯片座區(qū)域中形成。
[0088]在示例54中，示例50的方法，其中MEMS傳感器可以被實(shí)施為至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)。
[0089]在示例55中，示例50的方法可以進(jìn)一步包含:電耦合到MEMS傳感器的集成電路；其中集成電路可以被配置成處理由MEMS傳感器生成的信號(hào)。
[0090]在示例56中，示例50的方法可以進(jìn)一步包含:將密封層沉積在引線框架的表面之上；其中密封層可以至少部分地包封MEMS傳感器和集成電路。
[0091]在示例57中，示例56的方法可以進(jìn)一步包含:在密封材料中形成開口 ；并且布置開口使得MEMS傳感器的部分可以不被密封層覆蓋。
[0092]在示例58中，示例56的方法可以進(jìn)一步包含:將間隔區(qū)結(jié)構(gòu)布置在開口的邊緣區(qū)域處；并且配置間隔區(qū)結(jié)構(gòu)以防止密封材料被沉積在開口中。
[0093]在示例59中，示例56的方法，其中通孔的部分可以橫向延伸到密封層中超過MEMS傳感器的周界。
[0094]在示例60中，示例59的方法，其中橫向延伸到密封層中超過MEMS傳感器的周界的通孔的部分可以通過刻蝕工藝來形成。
[0095]在示例61中，示例59的方法，其中可以橫向延伸到密封層中超過MEMS傳感器的周界的通孔的部分可以被實(shí)施為多個(gè)互連的球狀結(jié)構(gòu)。
[0096]在示例62中，示例61的方法，其中互連的球狀結(jié)構(gòu)可以使用氣體注入模制工藝來形成。
[0097]盡管參考特定實(shí)施例已特定示出和描述公開內(nèi)容，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變，而沒有脫離如由所附權(quán)利要求限定的公開內(nèi)容的精神和范圍。公開內(nèi)容的范圍因而由所附權(quán)利要求指示并且因此意圖涵蓋在權(quán)利要求的等價(jià)物的含義和范圍內(nèi)的所有改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種傳感器結(jié)構(gòu)，包括: 用于支撐MEMS傳感器的引線框架； 在所述引線框架的表面中的凹部；以及 MEMS傳感器，耦合到所述引線框架的表面并且布置在所述凹部之上以形成腔。2.權(quán)利要求1的所述傳感器結(jié)構(gòu)，所述引線框架包括半導(dǎo)體芯片座區(qū)域和多個(gè)電引線，所述多個(gè)電引線圍繞所述半導(dǎo)體芯片座區(qū)域的外圍來布置；其中包括所述半導(dǎo)體芯片座區(qū)域和所述多個(gè)電引線的組中的至少一個(gè)構(gòu)件被配置成電連接到電路板。3.權(quán)利要求2的所述傳感器結(jié)構(gòu)，其中所述凹部在所述芯片座區(qū)域中形成。4.權(quán)利要求1的所述傳感器結(jié)構(gòu)，其中所述MEMS傳感器包括至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)。5.權(quán)利要求1的所述傳感器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括: 電耦合到所述MEMS傳感器的集成電路； 其中所述集成電路被配置成處理由所述MEMS傳感器生成的信號(hào)。6.權(quán)利要求5的所述傳感器結(jié)構(gòu)，其中所述集成電路通過線鍵合工藝被電耦合到所述MHMS傳感器。7.權(quán)利要求5的所述傳感器結(jié)構(gòu)，其中所述集成電路被電耦合到所述引線框架。8.權(quán)利要求5的所述傳感器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括: 設(shè)置在所述引線框架的表面之上的密封層； 其中所述密封層至少部分地包封所述MEMS傳感器和所述集成電路。9.權(quán)利要求8的所述傳感器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括: 在所述密封層中的開口； 其中所述開口被布置，使得所述MEMS傳感器的部分不被所述密封層覆蓋。10.權(quán)利要求8的所述傳感器結(jié)構(gòu)，其中所述密封層通過轉(zhuǎn)移模制工藝來沉積。11.權(quán)利要求9的所述傳感器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括: 布置在所述開口的邊緣區(qū)域處的間隔區(qū)結(jié)構(gòu)； 其中所述間隔區(qū)結(jié)構(gòu)被配置成防止所述密封層被沉積在所述開口中。12.—種傳感器結(jié)構(gòu)，包括: 用于支撐MEMS傳感器的引線框架； 在所述引線框架的部分中形成的通孔；以及 MEMS傳感器，耦合到所述引線框架的表面并且布置在所述通孔的開口之上以形成拱頂結(jié)構(gòu)。13.權(quán)利要求12的所述傳感器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括: 配置成封閉所述通孔的開口的結(jié)構(gòu)； 其中所述結(jié)構(gòu)被布置在所述通孔的與所述MEMS傳感器相對(duì)的端處。14.權(quán)利要求13的所述傳感器結(jié)構(gòu)，其中所述引線框架包括半導(dǎo)體芯片座區(qū)域和多個(gè)電引線，所述多個(gè)電引線被配置成連接到電路板并且圍繞所述半導(dǎo)體芯片座區(qū)域的外圍來布置。15.權(quán)利要求14的所述傳感器結(jié)構(gòu)，其中所述通孔在所述半導(dǎo)體芯片座區(qū)域中形成。16.權(quán)利要求13的所述傳感器結(jié)構(gòu)，其中所述MEMS傳感器包括至少一個(gè)隔膜結(jié)構(gòu)。17.權(quán)利要求13的所述傳感器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括: 電耦合到所述MEMS傳感器的集成電路； 其中所述集成電路被配置成處理由所述MEMS傳感器生成的信號(hào)。18.權(quán)利要求13的所述傳感器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括: 設(shè)置在所述引線框架的表面之上的密封層； 其中所述密封層至少部分地包封所述MEMS傳感器和所述集成電路。19.權(quán)利要求18的所述傳感器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括: 在所述密封層中的開口； 其中所述開口被布置，使得所述MEMS傳感器的部分不被所述密封層覆蓋。20.權(quán)利要求18的所述傳感器結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括: 布置在所述開口的邊緣區(qū)域處的間隔區(qū)結(jié)構(gòu)； 其中所述間隔區(qū)結(jié)構(gòu)被配置成防止所述密封層被沉積在所述開口中。21.權(quán)利要求18的所述傳感器結(jié)構(gòu)，其中所述通孔的部分橫向延伸到所述引線框架中超過所述MEMS傳感器的周界。
【專利摘要】本發(fā)明涉及基于引線框架的MEMS傳感器結(jié)構(gòu)。公開一種傳感器結(jié)構(gòu)。該傳感器結(jié)構(gòu)可以包含：用于支撐MEMS傳感器的引線框架；在引線框架的表面中的凹部；以及耦合到引線框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔的MEMS傳感器。替選地，引線框架可以具有穿過它形成的穿孔并且MEMS傳感器可以被耦合到引線框架的表面并且布置在穿孔的開口之上。
【IPC分類】H01L23/043, B81B7/02
【公開號(hào)】CN105280561
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510276881
【發(fā)明人】C.加雷馬尼, D.科爾, U.辛德勒, H.托伊斯
【申請(qǐng)人】英飛凌科技股份有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請(qǐng)日】2015年5月27日
【公告號(hào)】DE102015108335A1, US9346667, US20150344294