70]接下來，從第三氣體供給管245a供給N2氣體，進(jìn)行簇射頭230的吹掃。閥275以及閥277設(shè)為關(guān)閉，而閥270、閥238設(shè)為打開。其他排氣系統(tǒng)的閥保持關(guān)閉。即，在進(jìn)行簇射頭230的吹掃時，將處理空間201與APC276之間切斷，并且將APC276與排氣管264之間切斷，停止由APC276所進(jìn)行的壓力控制，另一方面將緩沖空間232與DP278、間隙232b與DP278之間連通。由此，殘留在包括間隙232b的簇射頭230 (緩沖空間232)內(nèi)的11(:14氣體，經(jīng)由排氣管262由DP278從簇射頭230被排氣。此外，此時，也可以將APC276的下游側(cè)的閥277設(shè)為打開。
[0171]此外，在本工序中，滯留于間隙232b的11(:14氣體經(jīng)由貫通孔235c、配管237被排氣。因此，能夠顯著減少間隙232b的殘留物。另外，能夠抑制與后述第二氣體供給工序中供給的氣體反應(yīng)而生成副產(chǎn)物。
[0172]當(dāng)簇射頭230的吹掃結(jié)束時，將閥277、閥275設(shè)為打開以再次開始由APC276所進(jìn)行的壓力控制，并且將閥270、閥238設(shè)為關(guān)閉以將簇射頭230與排氣管264之間切斷。其他排氣系統(tǒng)的閥保持關(guān)閉。此時，還持續(xù)從第三氣體供給管245a供給N2氣體，持續(xù)進(jìn)行簇射頭230以及處理空間201的吹掃。此外，吹掃工序S204中，設(shè)為在經(jīng)由排氣管262的吹掃的前后進(jìn)行經(jīng)由排氣管263的吹掃，但是也可以僅是經(jīng)由排氣管262的吹掃。另外，也可以設(shè)為同時進(jìn)行經(jīng)由排氣管262的吹掃和經(jīng)由排氣管263的吹掃。
[0173](第二處理氣體供給工序S206)
[0174]吹掃工序S204后，打開閥244d以經(jīng)由遠(yuǎn)程等離子體單元244e、簇射頭230開始對處理空間201內(nèi)供給等離子體狀態(tài)的氨氣。
[0175]此時，調(diào)整質(zhì)量流量控制器244c，使得氨氣的流量成為規(guī)定的流量。此外，氨氣的供給流量為例如lOOsccm以上且5000sccm以下。此外，也可以與氨氣一起，從第二惰性氣體供給系統(tǒng)流出隊氣體而作為運(yùn)載氣體。另外，該工序中，第三氣體供給系統(tǒng)的閥245d也設(shè)為打開，從第三氣體供給管245a供給N2氣體。
[0176]經(jīng)由第一分散機(jī)構(gòu)241供給到處理容器202的等離子體狀態(tài)的氨氣，被供給到晶片200上。通過利用氨氣的等離子體對已形成的含鈦層進(jìn)行改性，從而在晶片200上形成例如含有鈦元素以及氮元素的層。另一方面，從第一分散機(jī)構(gòu)241供給的氨氣還滯留于間隙 232b。
[0177]與例如處理容器203內(nèi)的壓力、含氮氣體的流量、襯底載置臺212的溫度、等離子體生成部206的電力供給情況等相應(yīng)地，按規(guī)定厚度、規(guī)定分布、規(guī)定的氮成分等相對于含鈦層的進(jìn)入深度而形成改性層。
[0178]進(jìn)過規(guī)定時間后，將閥244d關(guān)閉并停止含氮氣體的供給。
[0179]S206中，也與上述S202同樣，閥275以及閥277設(shè)為打開，利用APC276進(jìn)行控制使得處理空間201的壓力成為規(guī)定的壓力。另外，閥275以及閥277以外的排氣系統(tǒng)的閥全部設(shè)為關(guān)閉。
[0180](吹掃工序S208)
[0181]接下來，執(zhí)行與S204同樣的吹掃工序。各部分的工作與S204中說明的相同，所以省略此處的說明。
[0182]此外，簇射頭吹掃工序中，滯留于間隙232b的氨氣經(jīng)由貫通孔235c、配管237被排氣。因此，能夠顯著減少間隙232b的殘留物。S卩，在如后述那樣實施第一氣體供給工序的情況下，能夠抑制供給的第一氣體與氨氣反應(yīng)生成副產(chǎn)物。
[0183](判定S210)
[0184]控制器280判定上述1個循環(huán)是否實施了規(guī)定次數(shù)(η次循環(huán))。
[0185]在未實施規(guī)定次數(shù)時(S210中否的情況)，反復(fù)進(jìn)行第一處理氣體供給工序S202、吹掃工序S204、第二處理氣體供給工序S206、吹掃工序S208的循環(huán)。在實施了規(guī)定次數(shù)時(S210中是的情況)，結(jié)束圖3所示的處理。
[0186](第三實施方式)
[0187]接下來，利用圖7對第三實施方式進(jìn)行說明。第三實施方式中，取代第一實施方式的貫通孔235c而在凸緣241b設(shè)置有貫通孔241c。以下對第三實施方式進(jìn)行說明，但是對于與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)省略說明，以不同點為中心進(jìn)行說明。
[0188]圖7是在圖1的第一分散構(gòu)造241的周圍說明頂板231、第一分散構(gòu)造241、氣體引導(dǎo)件235、排氣管237的關(guān)系的圖。在凸緣241b設(shè)置有貫通孔241c。S卩，與貫通孔241c相比設(shè)置在頂板231側(cè)。在貫通孔241c連接有排氣配管239。排氣配管239連接于排氣管262。在排氣管239設(shè)置有閥240。通過這樣構(gòu)成，從而使第一分散構(gòu)造241與氣體引導(dǎo)件235之間的232b (空間)與、排氣配管239相連通。
[0189]如后述那樣，閥240是在簇射頭的吹掃工序中設(shè)為打開而在供給處理氣體時設(shè)為關(guān)閉的閥。在處理氣體供給時將閥設(shè)為關(guān)閉，從而防止氣體向排氣管262流動。這樣一來，所供給的氣體流高效地向分散板234方向流動，所以能夠抑制氣體的無謂消耗。
[0190]接下來，說明第三實施方式中的襯底處理工序。
[0191]圖4的從S102到S108與第一實施方式相同，所以省略說明。以下，利用圖5說明第二實施方式的襯底處理工序。
[0192](第一處理氣體供給工序S202)
[0193]當(dāng)對晶片200進(jìn)行加熱而到達(dá)所期望的溫度時，將閥243d打開并調(diào)整質(zhì)量流量控制器243c使得11(:14氣體的流量成為規(guī)定的流量。此外，TiCl 4的供給流量為例如lOOsccm以上且5000sccm以下。此時，將第三氣體供給系統(tǒng)的閥245d打開，從第三氣體供給管245a供給N2氣體。另外，也可以從第一惰性氣體供給系統(tǒng)流出N2氣體。另外，也可以在該工序之前，開始從第三氣體供給管245a供給N2氣體。另外，在供給TiCl 4氣體期間，將閥240設(shè)為關(guān)閉。通過將閥240設(shè)為關(guān)閉，從而在供給11(:14氣體期間，能夠防止TiCl 4氣體從貫通孔241c被排氣，并且將11(:14氣體朝向分散板234均勻地供給。
[0194]經(jīng)由第一分散機(jī)構(gòu)241供給到處理容器202的TiCl4氣體，被供給到晶片200上。在晶片200的表面，由于11(:14氣體接觸到晶片200上而形成有作為“含有第一元素層”的含鈦層。另一方面，從第一分散機(jī)構(gòu)241供給的TiCl4氣體也滯留于間隙232b。
[0195]與例如處理容器202內(nèi)的壓力、TiCl4氣體的流量、襯托器217的溫度、通過處理空間201花費的時間等相應(yīng)地，按規(guī)定厚度以及規(guī)定分布形成含鈦層。此外，也可以在晶片200上預(yù)先形成規(guī)定的膜。另外，也可以在晶片200或規(guī)定的膜上預(yù)先形成規(guī)定的圖案。
[0196]從開始11(:14氣體的供給起經(jīng)過規(guī)定時間后，將閥243d關(guān)閉并停止TiC14氣體的供給。上述S202的工序中，如圖4所示，閥275以及閥277設(shè)為打開，利用APC276進(jìn)行控制使得處理空間201的壓力成為規(guī)定的壓力。S202中，閥275以及閥277以外的排氣系統(tǒng)的閥全部設(shè)為關(guān)閉。
[0197](吹掃工序S204)
[0198]接下來，從第三氣體供給管245a供給N2氣體，進(jìn)行簇射頭230以及處理空間201的吹掃。此時，閥275、閥277也設(shè)為打開以利用APC276進(jìn)行控制使得處理空間201的壓力成為規(guī)定的壓力。另一方面，閥275以及閥277以外的排氣系統(tǒng)的閥全部設(shè)為關(guān)閉。由此，第一處理氣體供給工序S202中無法結(jié)合于晶片200的TiCl4氣體，被DP278經(jīng)由排氣管263從處理空間201去除。
[0199]接下來，從第三氣體供給管245a供給N2氣體，進(jìn)行簇射頭230的吹掃。閥275以及閥277設(shè)為關(guān)閉，而閥270、閥240設(shè)為打開。其他排氣系統(tǒng)的閥保持關(guān)閉。即，在進(jìn)行簇射頭230的吹掃時，將處理空間201與APC276之間切斷，并且將APC276與排氣管264之間切斷，停止由APC276所進(jìn)行的壓力控制，另一方面將緩沖空間232與DP278、間隙232b與DP278之間連通。由此，殘留在包括間隙232b的簇射頭230 (緩沖空間232)內(nèi)的TiCl4氣體，經(jīng)由排氣管262通過DP278從簇射頭230被排氣。此外，此時，APC276的下游側(cè)的閥277也可以設(shè)為打開。
[0200]此外，本工序中，滯留于間隙232b的TiCl4氣體經(jīng)由貫通孔235c、配管237被排氣。因此，能夠顯著減少間隙232b的殘留物。另外，能夠防止與后述第二氣體供給工序中供給的氣體反應(yīng)而生成副產(chǎn)物。
[0201]當(dāng)簇射頭230的吹掃結(jié)束時，將閥277、閥275設(shè)為打開以再次開始由APC276所進(jìn)行的壓力控制，并且將閥270、閥238設(shè)為關(guān)閉以將簇射頭230與排氣管264之間切斷。其他排氣系統(tǒng)的閥保持關(guān)閉。此時，也持續(xù)從第三氣體供給管245a供給N2氣體，持續(xù)進(jìn)行簇射頭230的處理空間201的吹掃。此外，吹掃工序S204中，設(shè)為在經(jīng)由排氣管262的吹掃的前后進(jìn)行經(jīng)由排氣管263的吹掃，但是也可以是僅經(jīng)由排氣管262的吹掃。另外，也可以設(shè)為同時進(jìn)行經(jīng)由氣管262的吹掃和經(jīng)由排氣管263的吹掃。
[0202](第二處理氣體供給工序S206)
[0203]吹掃工序S204后，打開閥244d以經(jīng)由遠(yuǎn)程等離子體單元244e、簇射頭230開始對處理空間201內(nèi)供給等離子體狀態(tài)的氨氣。
[0204]此時，調(diào)整質(zhì)量流量控制器244c，使得氨氣的流量成為規(guī)定的流量。此外，氨氣的供給流量為例如lOOsccm以上且5000sccm以下。此外，也可以與氨氣一起，從第二惰性氣體供給系統(tǒng)流出隊氣體而作為運(yùn)載氣體。另外，該工序中，也可以，第三氣體供給系統(tǒng)的閥245d設(shè)為打開，從第三氣體供給管245a供給N2氣體。
[0205]經(jīng)由第一分散機(jī)構(gòu)241供給到處理容器202的等離子體狀態(tài)的氨氣，被供給到晶片200上。通過利用氨氣的等離子體對已形成的含鈦層進(jìn)行改性，從而在晶片200上形成例如含有鈦元素以及氮元素的層。另一方面，從第一分散機(jī)構(gòu)241供給的氨氣也滯留于間隙 232b。
[0206]與例如處理容器203內(nèi)的壓力、含氮氣體的流量、襯底載置臺212的溫度、等離子體生成部206的電力供給情況等相應(yīng)地，按規(guī)定厚度、規(guī)定分布、規(guī)定的氮成分等相對于含鈦層的進(jìn)入深度形成改性層。
[0207]經(jīng)過規(guī)定時間后，將閥244d關(guān)閉并停止含氮氣體的供給。
[0208]S206中，也與上述S202同樣，閥275以及閥277設(shè)為打開，利用APC276進(jìn)行控制使得處理空間201的壓力成為規(guī)定的壓力。另外，閥275以及閥277以外的排氣系統(tǒng)的閥全部設(shè)為關(guān)閉。
[0209](吹掃工序S208)
[0210]接下來，執(zhí)行與S204相同的