薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)及其可撓性線路載板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝結(jié)構(gòu)及其線路載板，且特別是有關(guān)于一種薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)及其可撓性線路載板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的改良，使得液晶顯示器具有低的消耗電功率、薄型量輕、解析度高、色彩飽和度高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，因而廣泛地應(yīng)用在移動(dòng)電話、筆記型電腦或桌上型電腦的液晶屏幕及液晶電視等與生活息息相關(guān)的電子產(chǎn)品。其中，顯示器的驅(qū)動(dòng)芯片(driver1C)更是液晶顯示器不可或缺的重要元件。
[0003]因應(yīng)液晶顯示裝置驅(qū)動(dòng)芯片各種應(yīng)用的需求，一般是采用卷帶自動(dòng)接合(tape automatic bonding, TAB)封裝技術(shù)進(jìn)行芯片封裝，其中又分成薄膜倒裝芯片(Chip-On-Film, C0F)封裝及卷帶承載封裝(Tape Carrier Package, TCP)。通常而言，以卷帶自動(dòng)接合方式進(jìn)行芯片封裝的工藝，是首先使芯片上的凸塊與可撓性基板上的內(nèi)引腳產(chǎn)生共晶接合而電性連接。接著，于芯片與可撓性基板之間形成封裝膠體，借以保護(hù)凸塊與內(nèi)弓丨腳之間的電性接點(diǎn)。
[0004]通常而言，薄膜倒裝芯片封裝的封裝膠體是以點(diǎn)膠(potting)的方式形成于封裝基材上，以填充于芯片與封裝基材之間以及芯片的四周。在以點(diǎn)膠針頭繞行芯片的周邊以將封裝膠體注入時(shí)，封裝膠體130會(huì)借由毛細(xì)現(xiàn)象而自芯片的周邊往內(nèi)部延伸而填滿(mǎn)芯片與封裝基材之間所構(gòu)成的空間，其中為使封裝膠能順利流動(dòng)，未固化的封裝膠體具有相當(dāng)程度的流動(dòng)性。然而，基于封裝膠體的流動(dòng)性，使其亦會(huì)朝向遠(yuǎn)離芯片的方向流動(dòng)，進(jìn)而造成封裝膠體的涂布范圍(potting area)的管控不易，較難符合一些特殊設(shè)計(jì)規(guī)范。
[0005]另一方面，由于薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)之后會(huì)做彎折以進(jìn)行后續(xù)的應(yīng)用，因應(yīng)部分產(chǎn)品設(shè)計(jì)的要求，例如指紋辨識(shí)傳感器等，其彎折的位置非?？拷酒袒蟮姆庋b膠體會(huì)阻礙可撓性基板的彎折，故封裝膠體的涂布范圍有逐漸縮減的趨勢(shì)。然而，基于封裝膠體的流動(dòng)性，使封裝膠體涂布范圍(potting area)的管控不易，以至于涂布范圍無(wú)法有效縮減，而難以符合產(chǎn)品設(shè)計(jì)的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)及其可撓性線路載板，其可符合縮減封裝膠體的涂布范圍的設(shè)計(jì)趨勢(shì)，并可使涂布范圍落在容許公差值內(nèi)。
[0007]本發(fā)明提出一種薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括可撓性線路載板、芯片以及封裝膠體?？蓳闲跃€路載板包括可撓性基材、圖案化線路層以及擋止材料?？蓳闲曰木哂斜砻嬉约拔挥谇笆霰砻娴男酒雍蠀^(qū)與溝渠，且溝渠環(huán)繞于芯片接合區(qū)之外。圖案化線路層配置于前述表面上。擋止材料填充于溝渠中。芯片配置于可撓性基材上且位于芯片接合區(qū)內(nèi)，并與圖案化線路層電性連接。封裝膠體形成于芯片與可撓性基材之間以及芯片的四周，其中封裝膠體與擋止材料接觸，且封裝膠體的側(cè)緣位于擋止材料上。
[0008]本發(fā)明提出一種可撓性線路載板，其包括可撓性基材、圖案化線路層以及擋止材料?？蓳闲曰木哂斜砻嬉约拔挥谇笆霰砻娴男酒雍蠀^(qū)與溝渠，且溝渠環(huán)繞于芯片接合區(qū)之外。圖案化線路層配置于前述表面上。擋止材料填充于溝渠中。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的溝渠具有內(nèi)緣與外緣。封裝膠體的側(cè)緣位于內(nèi)緣與外緣之間。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的溝渠的外緣與相鄰的芯片的側(cè)緣之間的最短距離介于100微米與800微米之間。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的溝渠的寬度介于10微米與50微米之間。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的擋止材料暴露于溝渠的上表面與可撓性基材的表面為共平面。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可撓性線路載板更包括防焊層。防焊層配置于可撓性基材上，局部覆蓋圖案化線路層并定義出開(kāi)窗區(qū)，其中芯片接合區(qū)與溝渠位于開(kāi)窗區(qū)內(nèi)。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的擋止材料的材質(zhì)與防焊層的材質(zhì)相同。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化線路層包括多個(gè)引腳。各個(gè)引腳包括內(nèi)引腳與連接前述內(nèi)引腳之外引腳。內(nèi)引腳通過(guò)擋止材料以延伸至芯片接合區(qū)內(nèi)，而與芯片電性連接。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的擋止材料包括防焊油墨、干膜防焊油墨(Dry FilmSolder Mask, DFSM)或液態(tài)感光型防焊油墨。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的溝渠的外緣與相鄰的芯片接合區(qū)的側(cè)緣之間的最短距離介于100微米與800微米之間。
[0018]基于上述，本發(fā)明的薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)包括可撓性線路載板，而可撓性線路載板的可撓性基材具有溝渠，其中溝渠環(huán)繞于可撓性基材上的芯片接合區(qū)之外，且填充有擋止材料。其中，在使芯片與圖案化線路層電性連接后，需形成封裝膠體于芯片與可撓性基材之間以及芯片的四周，以保護(hù)芯片與圖案化線路層之間的電性接點(diǎn)。基于封裝膠體的流動(dòng)性，在以點(diǎn)膠針頭繞行芯片的周邊以將封裝膠體注入芯片的有源表面與可撓性基材的表面之間所構(gòu)成的空間時(shí)，封裝膠體亦會(huì)朝向遠(yuǎn)離芯片的方向(即溝渠方向)流動(dòng)。
[0019]由于本發(fā)明的封裝膠體在擋止材料上的流動(dòng)速度小于封裝膠體在可撓性基材上的流動(dòng)速度，也就是說(shuō)，封裝膠體與擋止材料之間的表面附著力大于封裝膠體與可撓性基材之間的表面附著力，借以在封裝膠體流動(dòng)至溝渠而與擋止材料相接觸時(shí)，封裝膠體會(huì)受到擋止材料的限制而逐漸停止流動(dòng)，以令其側(cè)緣止于擋止材料上。在此，本發(fā)明可借由溝渠的外緣定義出封裝膠體的涂布范圍的容許公差上限，及溝渠的內(nèi)緣定義出封裝膠體的涂布范圍的容許公差下限，換言之，借由設(shè)置溝渠于可撓性基板上，并于溝渠內(nèi)填充擋止材料，可使封裝膠體的涂布范圍落在預(yù)期的尺寸及規(guī)定的容許公差值內(nèi)，而不會(huì)超出于溝渠的外緣以外的可撓性基材的其他區(qū)域，可有效縮減封裝膠體的涂布區(qū)域，以利于后續(xù)應(yīng)用中薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)于鄰近芯片處的彎折，且符合產(chǎn)品的應(yīng)用需求。
[0020]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0022]圖2是圖1的薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)沿著剖線A-A的剖面示意圖。
[0023]【附圖標(biāo)記說(shuō)明】
[0024]100:薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)
[0025]110:可撓性線路載板
[0026]111:可撓性基材
[0027]111a:表面
[0028]111b:芯片接合區(qū)
[0029]111c:溝渠
[0030]112:圖案化線路層
[0031]112a:引腳
[0032]112b:內(nèi)引腳
[0033]112c:外引腳
[0034]113:擋止材料
[0035]113a:上表面
[0036]114:防焊層
[0037]114a:開(kāi)窗區(qū)
[0038]120:芯片
[0039]121:有源表面
[0040]122:凸塊
[0041]130:封裝膠體
[0042]D:距離
[0043]G:最短距離
[0044]0E:外緣
[0045]IE:內(nèi)緣
[0046]W:寬度
【具體實(shí)施方式】
[0047]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是圖1的薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)沿著剖線A-A的剖面示意圖，其中圖1未繪示封裝膠體130以清楚表示與便于說(shuō)明。請(qǐng)參考圖1與圖2，在本實(shí)施例中，薄膜倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)100包括可撓性線路載板110、芯片120以及封裝膠體130，其中可撓性線路載板110包括可撓性基材111、圖案化線路層112以及擋止材料113。
[0048]可撓性基材111具有表面111a以及位于表面111a的芯片接合區(qū)111b與溝渠111c，且溝渠111c環(huán)繞于芯片接合區(qū)111b之外。通常而言，可撓性基材111的材質(zhì)可包括聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚醚(polyethersulfone, PES)、碳酸脂(polycarbonate, PC)或其他適合的可撓性材料，而溝渠111c例如是以光刻蝕刻的方式形成于可撓性基材111上，其寬度W可介于10微米至15微米之間。
[0049]圖案化線路層112配置于表面111a上，其中圖案化線路層112可包括多個(gè)引腳112a，其中這些引腳112a的材質(zhì)例如是銅、銀、錫、鋁、鎳、金或其他合適的導(dǎo)電金屬。另一方面，擋止材料113填充于溝渠111c中，而芯片120配置于可撓性基材111上且位于芯片接合區(qū)111b內(nèi)，并與圖案化線路層112電性連接。此處，芯片120例如是指紋辨識(shí)感測(cè)芯片，但本發(fā)明不限于此。詳言之，各個(gè)引腳112a包括內(nèi)引腳112b與連接內(nèi)引腳112b之外引腳112c，芯片120具有位于其有源表面121上的多個(gè)凸塊122 (圖2示意地繪示出兩個(gè))，其中有源表面121面對(duì)表面111a。在本實(shí)施例中，這些內(nèi)引腳112b通過(guò)擋止材料113以延伸至芯片接合區(qū)111b內(nèi)，而各個(gè)內(nèi)引腳112b與對(duì)應(yīng)的凸塊122例如是借由熱壓方式而相互共晶接合，以達(dá)成圖案化線路層112與芯片120之間的電性連接。
[0050]在本實(shí)施例中，可撓性線路載板110更包括防焊層114。防焊層114配置于可撓性基材111上，以局部覆蓋圖案化線路層112并定義出開(kāi)窗區(qū)114a，其中芯片接合區(qū)111b與溝渠111c位于開(kāi)窗區(qū)114a內(nèi)，而開(kāi)窗區(qū)114a暴露出內(nèi)引腳112b。具體而言，防焊層114可用以保護(hù)引腳112a，亦即在防焊層114的覆蓋下，可防止引腳112a因刮傷、污染而短路或斷路。此外，擋止材料113的材質(zhì)為絕緣材質(zhì)，且