第一層金屬圖案Ml，以及位于第一層金屬圖案Ml上的導(dǎo)電插塞V2，每個(gè)導(dǎo)電插塞V2的尺寸均等；每個(gè)第一層金屬圖案Ml上具有一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電插塞V2 ;
[0064]若干個(gè)第二層金屬圖案M2，每個(gè)第二層金屬圖案M2完全覆蓋一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電插塞V2的上表面；
[0065]測(cè)試區(qū)II包括:
[0066]若干個(gè)第一層金屬圖案Ml，以及位于第一層金屬圖案Ml上的導(dǎo)電插塞V2，每個(gè)導(dǎo)電插塞V2的尺寸均等；其中至少部分個(gè)第一層金屬圖案Ml上具有兩個(gè)或兩個(gè)以上的導(dǎo)電插塞V2 ;
[0067]若干個(gè)第二層金屬圖案M2，第二層金屬圖案M2中的至少部分個(gè)橫跨位于同一第一層金屬圖案Ml上的兩個(gè)導(dǎo)電插塞V2，且與該兩個(gè)導(dǎo)電插塞V2的接觸總面積等于單個(gè)導(dǎo)電插塞V2的面積；若干個(gè)第二層金屬圖案M2與第一層金屬圖案Ml通過(guò)導(dǎo)電插塞V2首尾串聯(lián)形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；該串聯(lián)結(jié)構(gòu)形成了測(cè)試結(jié)構(gòu)，測(cè)試區(qū)II的第二層金屬圖案M2與器件區(qū)I的第二層金屬圖案M2在同一工藝中形成；
[0068]第一測(cè)試焊盤(pán)與P1、第二測(cè)試焊盤(pán)P2，分別連接該串聯(lián)結(jié)構(gòu)的首尾。
[0069]上述實(shí)施例中以形成第二層金屬互連層的導(dǎo)電插塞V2為例，即測(cè)試區(qū)II的第二層金屬互連層的金屬圖案M2未完全覆蓋其下的導(dǎo)電插塞V2。其它實(shí)施例中，該測(cè)試結(jié)構(gòu)可以用于測(cè)試器件區(qū)I第M+1層金屬互連層的導(dǎo)電插塞的性能，Μ為不為1的正整數(shù)，即測(cè)試區(qū)II的第Μ+1層金屬互連層的金屬圖案未完全覆蓋第Μ層金屬互連層上的導(dǎo)電插塞。
[0070]基于上述測(cè)試結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例還提出了一種測(cè)試方法，用于判斷器件區(qū)I的第二金屬互連層的導(dǎo)電插塞V2的電連接性能。
[0071]參照?qǐng)D5所示，該測(cè)試方法包括:
[0072]通過(guò)述第一測(cè)試焊盤(pán)Ρ1與第二測(cè)試焊盤(pán)Ρ2對(duì)測(cè)試結(jié)構(gòu)施加測(cè)試電壓，獲取測(cè)試電流；
[0073]若測(cè)試電壓與測(cè)試電流的比值大于預(yù)定值，則器件區(qū)I的第一層金屬圖案Ml上的導(dǎo)電插塞V2電連接性能不合格，所述預(yù)定值對(duì)應(yīng)測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二層金屬圖案M2完全覆蓋其下的導(dǎo)電插塞V2，且與導(dǎo)電插塞V2連接良好時(shí)的測(cè)試結(jié)構(gòu)的電阻。
[0074]可以理解的是，在清洗過(guò)程中，由于測(cè)試區(qū)II的導(dǎo)電插塞V2的部分區(qū)域暴露，而器件區(qū)I的上層金屬圖案完全覆蓋導(dǎo)電插塞，使得若器件區(qū)I存在過(guò)清洗問(wèn)題，則腐蝕液對(duì)測(cè)試區(qū)的導(dǎo)電插塞腐蝕程度大于器件區(qū)I的導(dǎo)電插塞的腐蝕程度，因而，若測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試區(qū)II的導(dǎo)電插塞電連接性能合格，則器件區(qū)I的導(dǎo)電插塞的電連接性能肯定合格。此夕卜，為利用現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電插塞性能是否合格的判斷標(biāo)準(zhǔn)，將上層金屬圖案與導(dǎo)電插塞的接觸面積選為單個(gè)導(dǎo)電插塞的面積，即兩者之間的接觸電阻與現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)中金屬圖案完全覆蓋導(dǎo)電插塞時(shí)的接觸電阻大小相等。
[0075]圖7至圖8是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例提供的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)在不同形成階段的結(jié)構(gòu)示意圖。可以看出，本實(shí)施例與圖2至圖6實(shí)施例中的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)、形成方法、測(cè)試方法大致相同，區(qū)別在于:第一層金屬圖案Ml只具有一類(lèi)，且與X軸方向(或Y軸方向)，或稱(chēng)切割道，呈45度夾角分布，以使得首尾相連的測(cè)試結(jié)構(gòu)能在呈長(zhǎng)條形分布的晶圓的切割道內(nèi)延伸。
[0076]圖9至圖10是本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例提供的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)在不同形成階段的結(jié)構(gòu)示意圖。圖11至圖12是本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例提供的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)在不同形成階段的結(jié)構(gòu)示意圖。圖9與圖10、圖11與圖12實(shí)施例與圖2至圖6實(shí)施例中的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)、形成方法、測(cè)試方法大致相同，區(qū)別在于:第一層金屬圖案M1、第二層金屬圖案M2的布置方式不同。不論何種布置方式，使得首尾相連的測(cè)試結(jié)構(gòu)能在呈長(zhǎng)條形分布的晶圓的切割道內(nèi)延伸即可。
[0077]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底包括器件區(qū)與測(cè)試區(qū)，所述器件區(qū)與測(cè)試區(qū)形成有若干個(gè)第Μ層金屬圖案，Μ多1，以及位于所述第Μ層金屬圖案上的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞的尺寸均等；其中至少部分個(gè)第Μ層金屬圖案上具有兩個(gè)或兩個(gè)以上的導(dǎo)電插塞； 光刻、干法刻蝕在所述器件區(qū)與測(cè)試區(qū)同時(shí)形成若干個(gè)第Μ+1層金屬圖案，測(cè)試區(qū)的所述第Μ+1層金屬圖案中的至少部分個(gè)橫跨位于同一第Μ層金屬圖案上的兩個(gè)導(dǎo)電插塞，且與所述兩個(gè)導(dǎo)電插塞的接觸總面積等于單個(gè)導(dǎo)電插塞的面積；所述測(cè)試區(qū)的若干個(gè)第Μ+1層金屬圖案與所述若干個(gè)第Μ層金屬圖案通過(guò)所述導(dǎo)電插塞首尾串聯(lián)形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)； 形成對(duì)應(yīng)連接所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)首尾的第一測(cè)試焊盤(pán)與第二測(cè)試焊盤(pán)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕后的光刻膠灰化殘留物采用ACT940或EKC270刻蝕后殘留物去除液去除。3.一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)形成在基底的測(cè)試區(qū)，所述基底還包括器件區(qū)，所述器件區(qū)包括: 若干個(gè)第Μ層金屬圖案，Μ多1，以及位于所述第Μ層金屬圖案上的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞的尺寸均等；每個(gè)第Μ層金屬圖案上具有一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電插塞； 若干個(gè)第Μ+1層金屬圖案，每個(gè)所述第Μ+1層金屬圖案完全覆蓋一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電插塞的上表面； 其特征在于，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括: 若干個(gè)第Μ層金屬圖案，Μ多1，以及位于所述第Μ層金屬圖案上的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞的尺寸均等；其中至少部分個(gè)第Μ層金屬圖案上具有兩個(gè)或兩個(gè)以上的導(dǎo)電插塞； 若干個(gè)第Μ+1層金屬圖案，所述第Μ+1層金屬圖案中的至少部分個(gè)橫跨位于同一第Μ層金屬圖案上的兩個(gè)導(dǎo)電插塞，且與所述兩個(gè)導(dǎo)電插塞的接觸總面積等于單個(gè)導(dǎo)電插塞的面積；所述若干個(gè)第Μ+1層金屬圖案與所述若干個(gè)第Μ層金屬圖案通過(guò)所述導(dǎo)電插塞首尾串聯(lián)形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的第Μ+1層金屬圖案與所述器件區(qū)的第Μ+1層金屬圖案在同一工序中形成； 第一測(cè)試焊盤(pán)與第二測(cè)試焊盤(pán)，分別連接所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)的首尾。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括:形成在測(cè)試區(qū)的所述第Μ+1層金屬圖案上的一層或多層上層金屬互連層，所述上層金屬互連層中的金屬圖案完全覆蓋其下的導(dǎo)電插塞。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試區(qū)的第Μ+1層金屬圖案的寬度等于其橫跨的兩導(dǎo)電插塞中心間的距離。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試區(qū)的第Μ+1層金屬圖案包括相互垂直的第一部分與第二部分。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試區(qū)的每個(gè)第Μ層金屬圖案上具有四個(gè)導(dǎo)電插塞，所述第一測(cè)試焊盤(pán)與第二測(cè)試焊盤(pán)分別對(duì)應(yīng)與位于所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)首尾的第Μ+1層金屬圖案電連接。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試區(qū)為基底的切割道，所述切割道的寬度范圍為30 μπι?120 μm，所述第Μ+1層金屬圖案的線寬范圍為90nm?800nmo9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第M+1層金屬圖案中:部分個(gè)橫跨位于同一第Μ層金屬圖案上的兩個(gè)導(dǎo)電插塞，部分個(gè)完全覆蓋第Μ層金屬圖案上的導(dǎo)電插塞；其中，橫跨兩個(gè)導(dǎo)電插塞的第Μ+1層金屬圖案數(shù)目占總的第Μ+1層金屬圖案數(shù)目的比例至少為5%。10.一種導(dǎo)電插塞性能的測(cè)試方法，其特征在于，使用權(quán)利要求3至9中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試，所述測(cè)試方法包括: 通過(guò)所述第一測(cè)試焊盤(pán)與第二測(cè)試焊盤(pán)對(duì)所述測(cè)試結(jié)構(gòu)施加測(cè)試電壓，獲取測(cè)試電流； 若所述測(cè)試電壓與測(cè)試電流的比值大于預(yù)定值，則所述器件區(qū)的第Μ層金屬圖案上的導(dǎo)電插塞電連接性能不合格，所述預(yù)定值對(duì)應(yīng)測(cè)試結(jié)構(gòu)的第Μ+1層金屬圖案完全覆蓋其下的導(dǎo)電插塞，且與導(dǎo)電插塞連接良好時(shí)的測(cè)試結(jié)構(gòu)的電阻。
【專(zhuān)利摘要】一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)、其形成方法及導(dǎo)電插塞性能的測(cè)試方法。在基底的器件區(qū)與測(cè)試區(qū)同時(shí)形成第M+1層金屬圖案時(shí)，對(duì)于測(cè)試區(qū)，暴露出待金屬互連的導(dǎo)電插塞的部分區(qū)域，對(duì)于器件區(qū)，第M+1層金屬圖案完全覆蓋其下的導(dǎo)電插塞，使得若器件區(qū)存在過(guò)清洗問(wèn)題，則腐蝕液對(duì)測(cè)試區(qū)的導(dǎo)電插塞腐蝕程度大于對(duì)器件區(qū)的導(dǎo)電插塞的腐蝕程度；因而，若測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試區(qū)的導(dǎo)電插塞電連接性能合格，則器件區(qū)的導(dǎo)電插塞的電連接性能肯定合格。此外，為利用現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電插塞性能是否合格的判斷標(biāo)準(zhǔn)，將測(cè)試區(qū)的第M+1層金屬圖案與其下的導(dǎo)電插塞的接觸面積選為單個(gè)導(dǎo)電插塞的面積，即兩者之間的接觸電阻與現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)中接觸電阻大小相等。
【IPC分類(lèi)】H01L21/66
【公開(kāi)號(hào)】CN105336639
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510728589
【發(fā)明人】黃沖, 李志國(guó)
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月17日
【申請(qǐng)日】2015年10月30日