專利名稱：兩面光照的hit太陽(yáng)電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及 一 種HIT太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在市場(chǎng)上，硅片價(jià)格居高不下，硅電池的成本居高不下， 要降低硅電池的成本， 一個(gè)方向是轉(zhuǎn)向薄膜電池生產(chǎn)，另一 個(gè)方向是致力于提高硅電池的轉(zhuǎn)化效率，本實(shí)用新型的目的 在于提高硅電池的轉(zhuǎn)化效率。
發(fā)明內(nèi)容
為解決前述提高硅電池的轉(zhuǎn)化效率的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新 型提供一種兩面光照的HIT太陽(yáng)電池；該太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)是， 在N型單晶硅片的正面本征非晶硅薄膜i a -Si上，沉積P型 氫化非晶碳化硅薄膜pa -SiC:H;在N型單晶硅片的背面本 征非晶硅薄膜i a -Si上，
A，沉積N型氫化非晶碳化硅薄膜n a -SiC:H，形成N/N+高 低結(jié)；或者
B，沉積N型微晶硅薄膜n uc-Si，形成N/N+高低結(jié)。
該太陽(yáng)電池的正面和背面，均采用氧化錫銦透明導(dǎo)電薄膜 ITO和柵狀A(yù)l作為電極。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是，電池正面用P型氫化非晶碳化硅(p a -SiC:H)取代.P型氫化非晶硅(p a -Si:H)。氫化非晶碳化 硅(a -SiC:H)與氫化非晶硅(a -Si:H)相比，能帶加寬， 更有利于吸收太陽(yáng)光，提高作為窗口層的作用。電池背面高 低結(jié)用N型氫化非晶碳化硅(n a -SiC:H)取代N型氫化非 晶硅(n a -Si:H)，也是為了提高作為背面窗口層的作用。用N型微晶硅(n uc-Si)取代N型氫化非晶硅(n a -Si:H)， 有利于提高電池的穩(wěn)定性。


附圖是本實(shí)用新型的層結(jié)構(gòu)示意圖。 附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明
1- -是Al金屬柵線正電極；
2- -是正面的氧化錫銦透明導(dǎo)電薄膜(ITO);
3- -是P型氫化非晶碳化硅薄膜(pa-SiC:H);
4- -是正面的本征非晶硅薄膜(i a-Si);
5- -是N型單晶硅片(n c-Si);
6- 是背面的本征非晶硅薄膜(i a-Si);
7- -是N型氫化非晶碳化硅薄膜(na-SiC:H);
8- 是背面的氧化錫銦透明導(dǎo)電薄膜(ITO);
9- -是Al金屬柵線背電極。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型按附圖各層結(jié)構(gòu)，利用直流式磁控濺射儀鍍 ITO薄膜50 100nm，沉積P型氫化非晶碳化硅薄膜(p a-SiC:H)，厚度為3 20nm;沉積正面的本征非晶硅薄膜(i a -Si)，厚度為3 20nm;沉積N型單晶硅片(n c-Si)，厚度 為200 300um，電阻率為0.2 1 5 Q .cm，少子壽命1 100us; 沉積背面的本征非晶硅薄膜(i a-Si)，厚度為3 20nm;沉 積N型氫化非晶碳化硅薄膜(n a-SiC:H)，厚度3 20nm，或 者沉積N型微晶硅薄膜(n uc-Si)，厚度5 20nm;背面 的氧化錫銦透明導(dǎo)電薄膜(ITO)，厚度為50 100nm。 具體工藝過(guò)程是 ①清洗工藝
單晶硅片用CP4拋光，清洗后的硅片為拋光面，要求表面光亮，無(wú)斑點(diǎn)、劃痕、水跡，硅片表面干凈程度要求很高。
② PECVD工藝
平板式PECVD要分別沉積本征非晶硅薄膜(i a-Si)、 P 型氫化非晶碳化硅薄膜(p a-SiC:H)、 N型氫化非晶碳化硅 薄膜(n a -SiC:H)或者N型微晶硅薄膜(nuc-Si)，沉積溫 度低于300°C 。
③ 磁控濺射工藝
利用直流式磁控濺射儀鍍ITO薄膜50 100nm，透光率大 于85%;
④ 絲印燒結(jié)工藝
用絲網(wǎng)印刷機(jī)印刷低溫鋁漿，再低溫?zé)Y(jié)成電極。整個(gè)制 作工藝對(duì)溫度的控制十分關(guān)鍵，所以要求要十分嚴(yán)格，最高 溫度不要超過(guò)30(TC。正面和背面電極對(duì)稱印制。
權(quán)利要求1. 一種兩面光照的HIT太陽(yáng)電池，其特征是，在N型單晶硅片的正面本征非晶硅薄膜ia-Si上，沉積P型氫化非晶碳化硅薄膜pa-SiC:H；在N型單晶硅片的背面本征非晶硅薄膜ia-Si上，A，沉積N型氫化非晶碳化硅薄膜na-SiC:H，形成N/N+高低結(jié)；或者B，沉積N型微晶硅薄膜nuc-Si，形成N/N+高低結(jié)。
專利摘要一種新型兩面光照的HIT太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，在N型單晶硅片的兩面分別沉積一層本征非晶硅薄膜(i a-Si)，再在正面的本征非晶硅薄膜上沉積P型氫化非晶碳化硅薄膜(p a-SiC:H)，在背面的本征非晶硅薄膜上沉積N型氫化非晶碳化硅薄膜(n a-SiC:H)或者N型微晶硅薄膜(n uc-Si)，然后在兩面分別鍍上ITO透明導(dǎo)電膜，絲網(wǎng)印刷正面、背面金屬電極，燒結(jié)金屬即電極金屬化。優(yōu)點(diǎn)是有非常高的電池轉(zhuǎn)化效率，電池的穩(wěn)定性好。
文檔編號(hào)H01L31/076GK201130669SQ20072006773
公開(kāi)日2008年10月8日 申請(qǐng)日期2007年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月9日
發(fā)明者李華維, 胡宏勛 申請(qǐng)人:寧波杉杉尤利卡太陽(yáng)能科技發(fā)展有限公司