裝置中，以防止氬氣在地面集聚。
[0028]實(shí)施例6
[0029]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)的底板3下設(shè)置有X-Y驅(qū)動(dòng)裝置9，所述X-Y驅(qū)動(dòng)裝置9驅(qū)動(dòng)所述底板3在水平平面內(nèi)移動(dòng)。所述底板3與所述X-Y驅(qū)動(dòng)裝置9之間設(shè)置有支承桿5，升降驅(qū)動(dòng)裝置為雙位氣缸6。X-Y驅(qū)動(dòng)裝置9使工件臺(tái)進(jìn)行X和Y方向運(yùn)動(dòng)，激光束28在晶圓上進(jìn)行光柵式掃描，使晶圓在氬氣保護(hù)環(huán)境中合成鈦硅化物。完成激光掃描后，非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)在X-Y驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)作用下移至取放晶圓位置，雙位氣缸6的進(jìn)氣口 7進(jìn)氣，升降叉4在雙位氣缸6的作用下升起，智能機(jī)械手27將晶圓從升降叉4上取走之后，雙位氣缸6的進(jìn)氣口 8進(jìn)氣，升降叉4在雙位氣缸6的作用下下降至晶圓片22座上的升降叉4槽內(nèi)。
[0030]實(shí)施例7
[0031]如圖1-3所示，本實(shí)施例非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)25包括底板3、設(shè)置在底板3上的若干側(cè)板1，所述各側(cè)依次板連接成蓄氣筒體，所述側(cè)板1底部設(shè)置有氬氣管道12，所述氬氣管道12與氬氣供氣裝置連接。所述氬氣管道12上設(shè)置有氣體流量計(jì)或者所述氬氣供氣裝置的出氣口處設(shè)有氣體流量計(jì)；所述側(cè)板1上設(shè)置有氬氣檢測(cè)窗10，所述氬氣檢測(cè)窗10內(nèi)設(shè)置有氬氣檢測(cè)片11。所述底板3上設(shè)置有升降叉4槽，與所述升降叉4槽對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有升降叉4，所述升降叉4與雙位氣缸6連接，所述雙位氣缸6驅(qū)動(dòng)升降叉4上下運(yùn)動(dòng)，當(dāng)所述升降叉4運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)時(shí)，所述升降叉4上表面與所述底板3上表面高度相同。所述底板3的下方設(shè)置有吸走溢出的氬氣的排風(fēng)管13，所述排風(fēng)管13與集氣裝置連接。所述底板3下設(shè)置有X-Y水平驅(qū)動(dòng)裝置9，所述X-Y水平驅(qū)動(dòng)裝置9驅(qū)動(dòng)所述底板3在水平平面內(nèi)移動(dòng)。所述底板3與所述X-Y水平驅(qū)動(dòng)裝置9之間設(shè)置有支承桿5。
[0032]本實(shí)施例非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)25用于半導(dǎo)體器件與電路生產(chǎn)加工中激光形合成硅化物工藝中。半導(dǎo)體晶圓加工的激光系統(tǒng)如圖2所示，主要組成部分有:大功率激光器21、擴(kuò)束鏡22、反射鏡23、激光勻化整形器24，非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)25，X-Y水平驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)以及電控系統(tǒng)。其工作過(guò)程如下:
[0033]1、放置晶圓:如圖2所示，非封閉可氬氣保護(hù)工件臺(tái)在X-Y驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)作用下移至取放晶圓位置，升降叉4在雙位氣缸6作用下升起，智能機(jī)械手27將晶圓放于升降叉4上之后，升降叉4在雙位氣缸6作用下下降至晶圓片2座上的升降叉4槽內(nèi)。非封閉可氬氣保護(hù)工件臺(tái)移至激光掃描起始位置。
[0034]2、充氬氣:首次充氣量約為非封閉氬氣工件臺(tái)腔壁所圍成的體積的二分之一至三分之二。首次充氣之后由于后續(xù)更換晶圓有一定的氬氣損失，后續(xù)加工晶圓時(shí)是否需要補(bǔ)充氬氣以及補(bǔ)充多少氬氣，均根據(jù)事先進(jìn)行的氬氣檢測(cè)結(jié)果決定。
[0035]3、激光掃描:由于氬氣的密度大，沉于腔體底部，使晶圓表面處于惰性氣體中。電控系統(tǒng)操作激光器21和X-Y驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)26使工件臺(tái)進(jìn)行X和Y方向運(yùn)動(dòng)，激光束28在晶圓上進(jìn)行光柵式掃描，使晶圓在氬氣保護(hù)環(huán)境中合成鈦硅化物。
[0036]4、取走晶圓:完成激光掃描后，非封閉可氬氣保護(hù)工件臺(tái)在X-Y驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)26作用下移至取放晶圓位置，升降叉4在雙位氣缸6作用下升起，智能機(jī)械手27將晶圓從升降叉4上取走之后，升降叉4在雙位氣缸6作用下下降至晶圓片2座上的升降叉4槽內(nèi)。
[0037]以上，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，其特征在于:包括底板、設(shè)置在底板上的若干側(cè)板，所述各側(cè)依次板連接成蓄氣筒體，所述側(cè)板底部設(shè)置有氬氣管道，所述氬氣管道與氬氣供氣裝置連接。2.如權(quán)利要求1所述非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，其特征在于:所述氬氣管道上設(shè)置有氣體流量計(jì)或者所述氬氣供氣裝置的出氣口處設(shè)有氣體流量計(jì)。3.如權(quán)利要求1所述非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，其特征在于:所述側(cè)板上設(shè)置有氬氣檢測(cè)窗，所述氬氣檢測(cè)窗內(nèi)設(shè)置有氬氣檢測(cè)片。4.如權(quán)利要求1所述非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，其特征在于:所述底板上設(shè)置有升降叉槽，與所述升降叉槽對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有升降叉，所述升降叉與升降驅(qū)動(dòng)裝置連接，所述升降驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)升降叉上下運(yùn)動(dòng)，當(dāng)所述升降叉運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)時(shí)，所述升降叉上表面的高度不高于所述底板上表面高度。5.如權(quán)利要求1所述非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，其特征在于:所述底板的下方設(shè)置有吸走溢出的氬氣的排風(fēng)管，所述排風(fēng)管與集氣裝置連接。6.如權(quán)利要求1所述非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，其特征在于:所述底板下設(shè)置有X-Y水平驅(qū)動(dòng)裝置，所述X-Y水平驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述底板在水平平面內(nèi)移動(dòng)。7.如權(quán)利要求6所述非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，其特征在于:所述底板與所述X-Y水平驅(qū)動(dòng)裝置之間設(shè)置有支承桿。8.如權(quán)利要求4所述非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，其特征在于:所述升降驅(qū)動(dòng)裝置為雙位氣缸。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，主要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)下對(duì)需要保護(hù)的半導(dǎo)體晶圓片的激光加工時(shí)需要增加真空腔體及其抽真空機(jī)組使得激光退火系統(tǒng)變得龐大和復(fù)雜的問(wèn)題，提出了一種非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)，包括底板和分別與所述底板各邊連接的若干側(cè)板，所述各側(cè)板連接成周向封閉的蓄氣筒體，所述側(cè)板底部設(shè)置有氬氣管道，所述氬氣管道的另一端連接有氬氣供氣裝置的技術(shù)方案。本發(fā)明非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)裝置簡(jiǎn)單，改裝方便。能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶圓片形成良好的氣體保護(hù)層。本發(fā)明非封閉氬氣保護(hù)工件臺(tái)轉(zhuǎn)換方便，在既有的基礎(chǔ)上能夠進(jìn)行低成本改造，降低了設(shè)備投資。本發(fā)明中激光發(fā)生設(shè)備與工件臺(tái)互不干擾。
【IPC分類(lèi)】H01L21/67
【公開(kāi)號(hào)】CN105355579
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510920250
【發(fā)明人】張偉, 嚴(yán)利人, 劉志弘, 劉榮華, 周偉, 王全
【申請(qǐng)人】清華大學(xué), 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月24日
【申請(qǐng)日】2015年12月11日