置于反射板的后側(cè)37上(遠(yuǎn)離晶片12)。在此方向中，涂布的后側(cè)37未直接地暴露至晶片處理副產(chǎn)物，且因此涂層較不易受到剝離。此外，顯示延伸入涂層但可與涂層35齊平的高溫計(jì)探針或燈管42也未直接暴露至副產(chǎn)物。因此，光學(xué)地透明的反射板將吸收多的輻射能且將變得更熱。
[0039]在所示的實(shí)施例中，在反射板28的后側(cè)37上有未施加涂層的區(qū)域，使得高溫計(jì)通過光學(xué)地透明的反射板28仍具有至晶片的清晰視野。這些未涂布的區(qū)域可與涂布表面齊平或和涂布表面相距1_內(nèi)。在所示的實(shí)施中，這些未涂布的區(qū)域形成盲孔(blind hole)或盲口(blind opening)。在替代實(shí)施例中，高溫計(jì)開口可為孔41或穿孔148 (如圖5中所示)的形式。在圖6所示的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，提供盲孔248，使得高溫計(jì)燈管42可被設(shè)計(jì)為大致上與反射涂層齊平，但因于組件中層疊的公差而允許垂直變化。此外，盲孔提供一種便利的方式以準(zhǔn)確地定位掩模，此方式可使用于涂布處理期間以確保這些區(qū)域保持未涂布。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在涂層中的空隙可在涂層沉積前通過掩?；蛲繉尤コ幚?如，激光燒蝕)而產(chǎn)生，這些處理選擇地僅去除一些區(qū)域中的涂層，這些區(qū)域是高溫計(jì)需要進(jìn)入處理環(huán)境的視線的區(qū)域。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，涂層可施加至第一表面的頂側(cè)29，開口或孔可部分地或完全地延伸經(jīng)過于頂側(cè)29上的涂層。
[0040]在所示具有涂層35在反射板28的后側(cè)35上的反射板組件25的結(jié)構(gòu)中，晶片副產(chǎn)物沉積在反射板28上的速率降低，因此延伸出可稱之為清潔間的平均晶片(Mean WaferBetween Clean，MWBC)。MWBC指必須在反射板28上執(zhí)行清潔以減少或去除副產(chǎn)物沉積在反射板28上前所處理晶片的平均數(shù)。因?yàn)楣獗仨毻ㄟ^光學(xué)地透明反射板主體而至反射涂層且接著沿光線發(fā)射出去的路徑經(jīng)由光學(xué)地透明反射板主體而反射回去，具有面對(duì)底板表面(即，后側(cè)37或第二表面)的反射涂層的光學(xué)地透明的反射板28繼續(xù)變熱。在操作期間保持的熱量可通過在反射涂層35中具有摻雜劑(如稀土元素)或具有較高的氫氧基濃度來(lái)調(diào)整。如果光學(xué)地透明的反射板28具有較高的氫氧基含量，則反射板28將吸收更多的福射能。
[0041]在一替代實(shí)施例中，反射板28的主體由不透明陶瓷所制成。在此實(shí)施例中，如果反射涂層35置于反射板28的頂側(cè)29上，光將從涂層反射。此可通過避免在早先的加熱處理中不平均加熱晶片，而有助于允許反射板28保持較冷。陶瓷(如，石英或藍(lán)寶石)在大溫度范圍(如在約22°C至約800°C的范圍中)具有低的熱膨脹系數(shù)。因此，相較于鋁反射板，反射涂層可較輕易地施加。相較于鋁或不銹鋼，涂層傾向較易于粘著至陶瓷材料(如，石英)。依據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，反射涂層具有約400°C的最大操作溫度(相較于在鋁反射板上的反射涂層而言，為約200°C )。再次地，因?yàn)檩^高的操作溫度能力，晶片副產(chǎn)物沉積可減少或接近消除。
[0042]反射涂層35可為任何種類的材料。提供具有反射層的薄層的窗口用于在特定范圍的波長(zhǎng)中反射的處理和服務(wù)的提供者為已知。此涂布服務(wù)的一個(gè)提供者如JDSUniphase。一般而言，可使用在反射涂層35中的材料可為高指數(shù)或低指數(shù)的介電材料的任何結(jié)合的替代層，這些介電材料對(duì)大部分從熱源散發(fā)的輻射為實(shí)質(zhì)透明，如，二氧化鈦-二氧化硅或五氧化二鉭-二氧化硅。在一個(gè)實(shí)施例中，反射層由Si02和Ta205層所制成。在另一個(gè)實(shí)施例中，反射層由Si02和Ti02所制成。在一特定實(shí)施例中，最外層包含Si02。
[0043]在一個(gè)實(shí)施例中，層可包括具有多(薄)層不同折射指數(shù)的光學(xué)地透明材料，折射指數(shù)有時(shí)稱為介質(zhì)鏡(dielectric mirror)。多層介質(zhì)鏡可如反射過濾器而運(yùn)作，其中福射被反射。輻射可在其它元件上依據(jù)于輻射波長(zhǎng)、輻射的入射角、所施加介電材料的特性(包括所施加介電材料的折射指數(shù))、每層的厚度、具有不同厚度的層數(shù)及層的配置而選擇地反射。
[0044]此說明書從頭到尾所指的“ 一個(gè)實(shí)施例”、“ 一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例”或“ 一實(shí)施例”意指結(jié)合該實(shí)施例所述的特定特征、結(jié)構(gòu)、材料或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，此說明書從頭到尾出現(xiàn)在各個(gè)位置的短語(yǔ)如“在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中”、“在一些實(shí)施例中”、“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在一實(shí)施例中”不必然指本發(fā)明的相同實(shí)施例。此外，特定的特征、結(jié)構(gòu)、材料或特性可在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中以合適的方式作結(jié)合。
[0045]盡管本發(fā)明于此已參照特定實(shí)施例作說明，應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅作為解釋本發(fā)明的原理和應(yīng)用。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，可對(duì)本發(fā)明的方法及設(shè)備所作的各種修改及變化顯而易見，且不背離本發(fā)明的精神和范圍。舉例來(lái)說，盡管本發(fā)明已關(guān)于特定種類的加熱燈，其它的變化例也為可行。因此，本發(fā)明意欲包括于所附權(quán)利要求書和權(quán)利要求書的等效物的范圍內(nèi)修改和變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于處理基板的設(shè)備，所述基板具有前側(cè)和后側(cè)，所述設(shè)備包括: 處理區(qū)，所述處理區(qū)位于腔室內(nèi)，所述腔室由鄰近輻射加熱源的窗口而限定于一側(cè)上，所述輻射加熱源位于所述處理區(qū)的外側(cè)；及 反射板，所述反射板相對(duì)所述輻射加熱源而設(shè)置，所述反射板包括由陶瓷材料所制成的主體和位于所述反射板的一側(cè)上的反射涂層，和延伸經(jīng)過至少所述反射涂層的多個(gè)孔。2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述陶瓷材料包含光學(xué)地透明的陶瓷。3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述光學(xué)地透明的陶瓷選自氧化鋁、碳化硅、石英和藍(lán)寶石。4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述反射板的所述側(cè)具有最接近所述輻射加熱源的第一表面和最遠(yuǎn)離所述輻射加熱源的第二表面，所述第二表面具有所述涂層于所述第二表面上。5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述孔間隔開以容納高溫計(jì)探針。6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述孔僅延伸經(jīng)過所述反射涂層。7.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述反射板安裝于底板以提供反射板組件。8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述反射板和所述底板以低于約5_而間隔。9.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述反射板和所述底板直接接觸且未間隔。10.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述反射板組件包括支架以將所述反射板和所述底板以一分隔關(guān)系而分離。11.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述反射涂層包括多個(gè)介電層。12.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述陶瓷材料包含摻雜劑以增加由所述反射板所吸收的熱量。13.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述摻雜劑選自稀土材料、氫氧基和上述材料的?士么云口 口 ο14.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述底板包括多個(gè)開口，所述開口與在所述反射板中的所述孔對(duì)齊。15.一種用于快速熱處理腔室的反射板組件設(shè)備，所述反射板組件設(shè)備包括: 底板，所述底板具有穿過所述底板的多個(gè)開口以容納高溫計(jì)探針；及 反射板，所述反射板包括由陶瓷材料所制成的主體和位于所述反射板的一側(cè)上的反射涂層，和延伸經(jīng)過至少所述反射涂層的多個(gè)孔，所述孔與經(jīng)過所述底板的所述開口對(duì)齊，其中所述反射板組設(shè)至所述底板，使得在所述底板中的所述開口和所述反射板中的所述孔對(duì)齊。16.如利要求15所述的設(shè)備，其中所述底板包括多個(gè)支架以將所述反射板和所述底板以一分隔關(guān)系而維持。17.如利要求15所述的設(shè)備，其中具有所述涂層的所述側(cè)面對(duì)所述底板。18.如利要求17所述的設(shè)備，其中所述陶瓷材料為光學(xué)地透明。19.如利要求18所述的設(shè)備，其中所述陶瓷材料選自氧化鋁、碳化硅、石英和藍(lán)寶石。20.如利要求18所述的設(shè)備，其中所述陶瓷材料包含摻雜劑以增加由所述反射板所吸收的熱量，其中所述摻雜劑選自稀土材料、氫氧基和上述材料的結(jié)合。
【專利摘要】本發(fā)明一般涉及用于處理基板的方法和設(shè)備。本發(fā)明的實(shí)施例包括用于處理包括陶瓷反射板的設(shè)備，該陶瓷反射板可為光學(xué)地透明。反射板可包括反射涂層，且反射板為反射板組件的一部分，其中反射板組設(shè)至底板。
【IPC分類】H01L21/67
【公開號(hào)】CN105374717
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510817798
【發(fā)明人】布萊克·R·凱爾梅爾, 阿倫·M·亨特, 亞歷山大·N·勒納
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司
【公開日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2011年8月9日
【公告號(hào)】CN103109359A, CN103109359B, US20120070136, WO2012021464A2, WO2012021464A3