半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及半導體封裝領域，特別設及一種半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方 法。
【背景技術】
[0002] 半導體封裝工藝中，為了保證凸點bump結合力和底層板pad的保護，需要嚴格控 審Ij bump蝕刻工序的底化如果底切過大，會造成bump結合力差，后續(xù)制程中bump脫落，或 來料金屬pad露出被腐蝕造成可靠性問題。
[0003] 通常底切可通過蝕刻液中的添加劑和蝕刻的時間溫度參數來控制。但當bump密 度提高（即bump pitch凸點間距變?。┑侥骋怀潭葧r，僅通過蝕刻液和添加劑的調整，就 無法保證鐵蝕刻率和蝕刻底切的均一性。

【發(fā)明內容】

[0004] 在下文中給出關于本發(fā)明的簡要概述，W便提供關于本發(fā)明的某些方面的基本理 解。應當理解，運個概述并不是關于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關 鍵或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是W簡化的形式給出某些概念， W此作為稍后論述的更詳細描述的前序。 陽〇化]本發(fā)明實施例的目的是針對上述現有技術的缺陷，提供一種保證蝕刻率和蝕刻底 切的均一性的半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法。
[0006] 為了實現上述目的，本發(fā)明采取的技術方案是：
[0007] 一種半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法，給設置凸點的晶圓W預定流量噴淋 藥液到晶圓表面，對整張晶圓進行刻蝕，所述晶圓W預定轉速進行旋轉，所述預定流量為 0. 8-1.化/min,所述預定轉速為300-700轉/分鐘。
[0008] 所述凸點之間的間距為50um W下。
[0009] 所述預定流量為0. 8-1.化/min,所述預定轉速為500轉/分鐘。
[0010] 進一步地，還包括對晶圓中屯、進行二次噴淋。
[0011] 所述二次噴淋的預定流量為0. 3-0.化/min,所述二次噴淋的預定轉速為100-300 轉/分鐘。
[0012] 所述二次噴淋的預定流量為0.化/min,所述二次噴淋的預定轉速為200轉/分鐘。
[0013] 與現有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：
[0014] 本發(fā)明通過晶圓wafer轉速調整和噴淋藥液的流量來控制實現整張wafer的鐵瓣 射層均勻蝕刻，保證蝕刻率和蝕刻底切的均一性。
【附圖說明】
[0015] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可W根據運些附圖獲得其他的附圖。
[0016] 圖1為本發(fā)明實施例提供的蝕刻率均一性箱線圖；
[0017] 圖2為本發(fā)明實施例提供的產品結構示意圖。
【具體實施方式】
[0018] 為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例 中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是 本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。在本發(fā)明的一個附圖或一種實施方式中描述 的元素和特征可W與一個或更多個其它附圖或實施方式中示出的元素和特征相結合。應當 注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本發(fā)明無關的、本領域普通技術人員已知的 部件和處理的表示和描述?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有付出創(chuàng)造 性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0019] 一種半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法，給設置凸點的晶圓W預定流量噴 淋藥液晶圓表面，對整張晶圓進行刻蝕，所述晶圓W預定轉速進行旋轉，所述預定流量為 0. 8-1.化/min,所述預定轉速為300-700轉/分鐘。
[0020] 所述凸點與凸點之間的間距為50umW下。
[0021] 優(yōu)選地，預定流量為0. 8-1.化/min,所述預定轉速為500轉/分鐘。
[0022] 進一步地，還包括對晶圓中屯、進行二次噴淋。
[0023] 優(yōu)選地，二次噴淋的預定流量為0. 3-0.化/min,所述二次噴淋的預定轉速為 100-300轉/分鐘。
[0024] 更優(yōu)選地，所述二次噴淋的預定流量為0.化/min,所述二次噴淋的預定轉速為 200轉/分鐘。
[00巧]本發(fā)明通過管控整個蝕刻過程中的wafer轉速和藥液噴淋流量來控制蝕刻率均 一性和底切的均一性。
[00%] 下面通過具體實驗來說明本發(fā)明的效果：
[0027] 實驗1 :通過沒有bump的wafer測試蝕刻率的均一性
[0028]

陽029]其中：sample:樣本，stepl步驟 1，巧m(revolutionsperminute每分鐘轉速）。
[0030] 參見圖1，從圖1可W看出，步驟5、6的均一'性最佳，當wafer轉速在50化pm，藥液 噴淋流量為0. 8-1.化/min時有較好的蝕刻率均一性。
[0031] 圖1的橫坐標sample代表各個樣品，縱坐標代表蝕刻率，MinOUtier表示最小異 常值，MaxOUtier表示最大異常值。
[0032] 實驗2 :通過蝕刻終止點，確認有bump鍛層的wafer蝕刻率實際分布
[0033] 實驗發(fā)現wafer中屯、與wafer邊緣的蝕刻終止點差異較大，中屯、需要兩倍時間蝕 亥IJ，所W增加一步低轉速，低流量的噴淋，結果增加第二步0.化/min X 20化pm的噴淋后， wafer中屯、與wafer邊緣蝕刻終止點一致，最終測量wafer內13點under州t底切尺寸均 一性在2%W內。即通過調整轉速和流量，最終邊緣和中屯、的蝕刻終止點相同。終止點指蝕 刻剛剛結束的時間點。
[0035] 綜上所述，對于高密度bump的蝕刻，需要在選擇控制底切的藥液同時，還需要通 過流量與wafer轉速比例來獲得良好的蝕刻均一性，W獲得最短的工藝時間，從而更好的 控制蝕刻底切。本發(fā)明蝕刻速率差不多的藥液都可W使用，當bumppitch凸點間距過小時， 需要通過流量和轉速的調整來控制底切，運時藥液中的添加劑無法起主要作用。
[0036] 參見圖2,本發(fā)明通過參數調整在保證蝕刻效果的前提下，保證了對凸點底部鐵的 較少蝕刻。底切1大的地方底部鐵尺寸會偏小，影響可靠性和強度。本發(fā)明底切1底部鐵 尺寸大，可靠性和強度高。
[0037] 最后應說明的是：W上實施例僅用W說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡 管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然 可W對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替 換；而運些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精 神和范圍。
【主權項】
1. 一種半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法，其特征在于，給設置凸點的晶圓以預 定流量噴淋藥液到晶圓表面，對整張晶圓進行刻蝕，所述晶圓以預定轉速進行旋轉，所述預 定流量為0. 8-1. 2L/min，所述預定轉速為300-700轉/分鐘。2. 根據權利要求1所述的半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法，其特征在于，所述 凸點之間的間距為50um以下。3. 根據權利要求2所述的半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法，其特征在于，所述 預定流量為〇. 8-1. 2L/min，所述預定轉速為500轉/分鐘。4. 根據權利要求1-3任一項所述的半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法，其特征在 于，還包括對晶圓中心進行二次噴淋。5. 根據權利要求4所述的半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法，其特征在于，所述 二次噴淋的預定流量為〇. 3-0. 5L/min，所述二次噴淋的預定轉速為100-300轉/分鐘。6. 根據權利要求5所述的半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法，其特征在于，所述 二次噴淋的預定流量為〇. 4L/min，所述二次噴淋的預定轉速為200轉/分鐘。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導體封裝中控制凸點蝕刻底切的方法，給設置凸點的晶圓以預定流量噴淋藥液到晶圓表面，對整張晶圓進行刻蝕，所述晶圓以預定轉速進行旋轉，所述預定流量為0.8-1.2L/min，所述預定轉速為300-700轉/分鐘。所述凸點的密度為pitch？50um以下。所述預定流量為0.8-1.2L/min，所述預定轉速為500轉/分鐘。還包括對晶圓中心進行二次噴淋。所述二次噴淋的預定流量為0.3-0.5L/min，所述二次噴淋的預定轉速為100-300轉/分鐘。所述二次噴淋的預定流量為0.4L/min，所述二次噴淋的預定轉速為200轉/分鐘。本發(fā)明通過晶圓wafer轉速調整和噴淋藥液的流量來控制實現整張wafer晶圓的鈦濺射層均勻蝕刻，保證蝕刻率和蝕刻底切的均一性。
【IPC分類】H01L21/48
【公開號】CN105428253
【申請?zhí)枴緾N201510977047
【發(fā)明人】徐小鋒
【申請人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年12月23日