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      太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的制造方法

      文檔序號:9752812閱讀:704來源:國知局
      太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域,尤其涉及太陽能電池的生產(chǎn)返工領(lǐng)域,具體是指一 種太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 當前晶硅電池生產(chǎn)過程中,絲網(wǎng)印刷前產(chǎn)生的返工片,因色差、色斑等外觀因素和 工藝控制參數(shù)異常等內(nèi)在因素而需要返工,返工比例在1%~2%之間,然后重新做出合格 太陽能電池片。對于一個中等規(guī)模的電池工廠(10條生產(chǎn)線)而言,一般一天的生產(chǎn)量為30 萬片,必然每天會產(chǎn)生3000到6000片的返工片,而占太陽能電池總成本超過60 %的就是硅 片。這些硅片如果不返工直接做成電池,會因外觀不良和參數(shù)不良而降級,成為不合格品或 報廢品。這對各電池生產(chǎn)商來說,是很大的損失。
      [0003] 檢索目前公開的專利,發(fā)現(xiàn)最接近本發(fā)明的有兩個專利,專利一,處于實審中的, "用于鈍化發(fā)射極背面接觸晶硅太陽能電池的返工工藝",【申請?zhí)枴?01510553442.3,申請日 20150901;專利二,處于實審中的,一種晶硅太陽能電池 PECVD色差片去膜重鍍的返工工藝, 【申請?zhí)枴?01310282761.6,申請日:20130708。專利一公開的方法針對的是一種專門的鈍化 電池工藝路線的電池片的返工方法,該方法針對的是已經(jīng)鍍完鈍化層的工序的返工,有局 限性,而本發(fā)明針對的是絲網(wǎng)印刷前的各種工藝路線的太陽能電池各環(huán)節(jié)和各種類型的返 工片和多晶太陽能電池絲印前各環(huán)節(jié)和各類型的返工片,都可以用本發(fā)明的方法進行返 工;其次,專利一公開的方法工藝參數(shù)、工藝路線和工藝時間相對繁瑣,沒有本發(fā)明的方法 簡單,同時兩者的工藝路線和方法不一樣。專利二公開的是一種用于一種晶硅太陽能電池 PECVD色差片去膜重鍍的返工工藝,也是只針對特定工序特定類型的返工片,而本發(fā)明的方 法適用于多工序和多類型的返工片,且工藝方法和路線與專利二具有本質(zhì)區(qū)別。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 本發(fā)明的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,提供了一種能夠用于各工序產(chǎn)生的 各類型返工片的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備。
      [0005] 為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備具有如 下構(gòu)成:
      [0006] 該太陽能電池酸腐返工方法,其主要特點是,所述的返工方法包括如下步驟:
      [0007] 返工片投入鏈式設(shè)備酸腐處理步驟,包括兩次酸洗子步驟及一次堿洗子步驟,三 次漂洗子步驟及吹干步驟,具體順序為一次酸洗子步驟、一次漂洗子步驟、堿洗子步驟、二 次漂洗子步驟、二次酸洗子步驟、三次漂洗子步驟及吹干步驟,其中所述的酸腐處理步驟使 用鏈式設(shè)備進行處理;
      [0008] 鍍膜后的返工片在鏈式設(shè)備酸腐處理之前,還包括氫氟酸去膜步驟;
      [0009] 酸腐處理步驟后還包括制備步驟,對返工片進行返工;
      [0010]其中所述的酸腐處理步驟的硅片的腐蝕總重量為0.2~0.3g。
      [0011]優(yōu)選地,所述的氫氟酸為8 %~10 %的HF溶液。
      [0012] 更優(yōu)選地,所述的氫氟酸處理時間為25分鐘以上,處理后純水漂洗噴淋甩干,以去 除介質(zhì)膜。
      [0013 ]優(yōu)選地,所述的制備步驟包括單晶硅太陽能電池的制絨清洗、擴散、刻蝕、PECVD鍍 膜、絲網(wǎng)印刷、高溫燒結(jié)及分揀測試;多晶硅太陽能電池的多晶制絨清洗、擴散、刻蝕、PECVD 鍍膜、絲網(wǎng)印刷、高溫燒結(jié)及分揀測試。
      [0014] 更優(yōu)選地,所述的一次酸洗子步驟在HN03/HF的混酸槽中進行,其中濃度分別為 12% ~50%HN〇3,4% ~10%HF,溫度 10°C ~15°C,時間為 40s ~120s。
      [0015] 進一步優(yōu)選地,所述的一次酸洗子步驟在進行80~100片進料酸洗后,補充 0.1LHN03 和 0.2LHF。
      [0016]再進一步優(yōu)選地,所述的漂洗子步驟均為常溫20~25°C,時間為30s以上,其中三 次漂洗子步驟為雙清洗槽漂洗。
      [0017] 更進一步優(yōu)選地,所述的堿洗子步驟為2 %~3 %的KOH溶液,溫度20°C~50°C,時 間為10s~30s,進料處理3000~4000片時補充2.5L~5LK0H溶液。
      [0018] 進一步地,所述的二次酸洗子步驟為2.5 %~5 %HF,5 %~10 %HCL,溫度為20°C~ 50°C,時間為10s~60s。
      [0019]再進一步地,所述的二次酸洗子步驟在進行4000片進料酸洗后,補充1.5L HF、 4LHCL 和 6LH20〇
      [0020] 最優(yōu)選地,所述的吹干步驟為3組上下風刀壓縮空氣或氮氣進行吹干,吹干后下料 收集硅片插入盒子,為制備步驟做準備。
      [0021] -種根據(jù)所述的太陽能電池酸腐返工方法使用的鏈式設(shè)備,其特征在于,所述的 鏈式設(shè)備按照酸腐工藝包括混酸槽、漂洗槽、堿洗槽、漂洗槽、酸洗槽、雙漂洗槽及吹干槽, 多工序在同一設(shè)備完成。
      [0022] 優(yōu)選地,所述的鏈式設(shè)備還包括自動補液裝置,用于提供酸補充液或堿補充液。
      [0023] 采用了該發(fā)明中的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備,用于太陽能電池 生產(chǎn)過程中,絲網(wǎng)印刷電極漿料前各工序產(chǎn)生的各種類型返工片的返工方法,采用酸腐蝕 的方法,解決手指印、臟污色斑、鍍膜色差、制程異常返工和原始硅片來料異常返工。使用該 方法返工,電池片外觀正常,達到合格品要求,效率與正常電池片相比持平或低0.1%以內(nèi), 工藝路線簡單可批量生產(chǎn)。使印刷電極前的不良品返工后,達到合格品的要求,為電池工廠 挽回1 %~2 %的不合格品損失。
      【附圖說明】
      [0024]圖1為本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的返工片與正常片相 比的開路電壓指標圖。
      [0025]圖2為本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的返工片與正常片相 比的短路電流指標圖。
      [0026]圖3為本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的返工片與正常片相 比的串聯(lián)電阻指標圖。
      [0027]圖4為本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的返工片與正常片相 比的填充因子指標圖。
      [0028] 圖5為本發(fā)明的多晶硅太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的返工片與正 常片相比的各項指標圖。
      [0029] 圖6為本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的內(nèi)部槽體功能和流 程圖。
      [0030] 圖7為本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的單晶膜后返工片返 工流程圖。
      [0031] 圖8為本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的單晶膜前返工片返 工流程圖。
      [0032] 圖9為本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的多晶膜后返工片返 工流程圖。
      [0033] 圖10為本發(fā)明的太陽能電池酸腐返工方法及使用的鏈式設(shè)備的多晶膜前返工片 返工流程圖。
      【具體實施方式】
      [0034]為了能夠更清楚地描述本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容,下面結(jié)合具體實施例來進行進一步的 描述。
      [0035] 現(xiàn)有電池的返工工藝步驟如下:
      [0036] PECVD(等離子增強化學氣象沉積)已鍍膜的返工片一一氫氟酸去膜一一高溫處 理一一制絨清洗一一擴散一一刻蝕一一PECVD鍍膜一一絲網(wǎng)印刷一一高溫燒結(jié)一一分檢測 試;
      [0037] PECVD鍍膜前的返工片--高溫處理--制絨清洗--擴散--刻蝕--PECVD 鏈膜 絲網(wǎng)印刷 尚溫燒結(jié) 分檢測試。
      [0038]本發(fā)明的單晶硅太陽能電池返工工藝步驟如下:
      [0039] (1 )PECVD已鍍膜的返工片一一氫氟酸去膜一一鏈式設(shè)備酸腐處理---制絨清 洗一一擴散一一刻蝕一一PECVD鍍膜一一絲網(wǎng)印刷一一高溫燒結(jié)一一分檢測試;
      [0040] (2)PECVD未鍍膜的返工片(包括原始硅片)--鏈式設(shè)備酸腐處理---制絨清 洗一一擴散一一刻蝕一一PECVD鍍膜一一絲網(wǎng)印刷一一高溫燒結(jié)一一分檢測試。
      [0041 ]本發(fā)明的多晶硅太陽能電池返工工藝步驟如下:
      [0042] (l)PECVD已鍍膜的返工片一一氫氟酸去膜一一多晶制絨清洗一一擴散一一刻 蝕--PECVD鏈膜--絲網(wǎng)印刷--尚溫燒結(jié)--分檢測試;
      [0043] (2 )PECVD未鏈膜的返工片(包括原始娃片) 多晶制絨清洗 擴散 刻 蝕--PECVD鏈膜--絲網(wǎng)印刷--尚溫燒結(jié)--分檢測試。
      [0044]該太陽能電池酸腐返工方法,其主要特點是,所述的返工方法包括如下步驟:
      [0045] 返工片投入鏈式設(shè)備酸腐處理步驟,包括兩次酸洗子步驟及一次堿洗子步驟,三 次漂洗子步驟及吹干步驟,具體順序為一次酸洗子步驟、一次漂洗子步驟、堿洗子步驟、二 次漂洗子步驟、二次酸洗子步
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