嵌入式封裝裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種嵌入式封裝裝置；特別關(guān)于一種嵌入式封裝裝置，包括至少兩個(gè)具有不同厚度的電子元件。
【背景技術(shù)】
[0002]嵌入式電子封裝技術(shù)(embeddedelectronic packaging technologies)可降低裝置的尺寸及成本，且對(duì)于各式電子產(chǎn)品皆具有高整合能力，因此發(fā)展相當(dāng)快速。
[0003]然而，對(duì)現(xiàn)有的嵌入式封裝技術(shù)而言，封裝多個(gè)具有不同厚度的電子元件仍為一挑戰(zhàn)。舉例來說，為了覆蓋及電性隔離該些具有不同厚度的電子元件，需要提供具有較大厚度的介電層(dielectric layer)，如此將妨礙嵌入式封裝裝置的微型化。此外，由于該些電子元件具有不同厚度，因而亦導(dǎo)致嵌入式封裝裝置的內(nèi)部線路層(internal wiringlayer)的制作變得復(fù)雜。再者，傳統(tǒng)嵌入式封裝裝置的熱量逸散能力亦不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于前述現(xiàn)有問題點(diǎn)，本發(fā)明一實(shí)施例中提供一種嵌入式封裝裝置，包括一導(dǎo)線架、一第一半導(dǎo)體元件、一第二半導(dǎo)體元件、一無源元件、一第一介電層、多個(gè)第一導(dǎo)電柱以及一第一導(dǎo)電膜。第一半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架上。第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架上，且電性連接第一半導(dǎo)體元件。無源元件設(shè)置于導(dǎo)線架上，且電性連接第一半導(dǎo)體元件及第二半導(dǎo)體元件。第一介電層形成于導(dǎo)線架上，且覆蓋第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及無源元件。多個(gè)第一導(dǎo)電柱形成于第一介電層中。第一導(dǎo)電膜形成于第一介電層上，且透過該些第一導(dǎo)電柱電性連接第二半導(dǎo)體元件及導(dǎo)線架的至少其中之一。其中，第一半導(dǎo)體元件及第二半導(dǎo)體元件的至少其中之一以覆晶方式安裝于導(dǎo)線架上。
[0005]本發(fā)明另一實(shí)施例中提供一種嵌入式封裝裝置，包括一導(dǎo)線架、一第一半導(dǎo)體元件、一第二半導(dǎo)體元件、一無源元件以及一第一介電層。導(dǎo)線架形成有一沉孔。第一半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架上。第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架上，且透過導(dǎo)線架電性連接第一半導(dǎo)體元件。其中，第二半導(dǎo)體元件及第一半導(dǎo)體元件具有不同厚度，且第一半導(dǎo)體元件或第二半導(dǎo)體元件設(shè)置于導(dǎo)線架的沉孔內(nèi)，使得第二半導(dǎo)體元件及第一半導(dǎo)體元件的上表面具有相同高度。無源元件設(shè)置于導(dǎo)線架上。第一介電層形成于導(dǎo)線架上，且覆蓋第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及無源元件。
[0006]本發(fā)明另一實(shí)施例中提供一種嵌入式封裝裝置，包括一導(dǎo)線架、一高電壓開關(guān)、一低電壓開關(guān)、一無源元件、一第一介電層、多個(gè)第一導(dǎo)電柱以及一第一導(dǎo)電膜。導(dǎo)線架具有一第一部分、一第二部分、一第三部分及一第四部分。高電壓開關(guān)設(shè)置于導(dǎo)線架上，且具有與導(dǎo)線架的第一部分電性連接的一第一漏極接墊、與導(dǎo)線架的第二部分電性連接的一第一柵極接墊及與導(dǎo)線架的第三部分電性連接的一第一源極接墊。低電壓開關(guān)設(shè)置于導(dǎo)線架上，且具有與導(dǎo)線架的第三部分電性連接的一第二漏極接墊、與導(dǎo)線架的第四部分電性連接的一第二柵極接墊及與導(dǎo)線架的第二部分電性連接的一第二源極接墊。無源元件設(shè)置于導(dǎo)線架上，且具有與導(dǎo)線架的第二部分電性連接的一第一端子及與導(dǎo)線架的第三部分電性連接的一第二端子。第一介電層形成于導(dǎo)線架上，且覆蓋高電壓開關(guān)、低電壓開關(guān)及無源元件。多個(gè)第一導(dǎo)電柱形成于第一介電層中。第一導(dǎo)電膜形成于第一介電層上，且透過該些第一導(dǎo)電柱電性連接低電壓開關(guān)及導(dǎo)線架。
[0007]為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0008]圖1表示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的嵌入式封裝裝置的爆炸圖。
[0009]圖2表示圖1中的導(dǎo)線架、第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及無源元件的放大圖。
[0010]圖3表示圖1中的第一介電層及多個(gè)第一導(dǎo)電柱形成于導(dǎo)線架上的示意圖。
[0011 ]圖4表不圖3于另一視角的不意圖。
[0012]圖5表示圖1中的第一導(dǎo)電膜形成于第一介電層上的示意圖。
[0013]圖6表示一級(jí)聯(lián)開關(guān)電路(cascade switch circuit)的電路圖，該級(jí)聯(lián)開關(guān)電路包括第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件及無源元件。
[0014]圖7表示圖1中的第二介電層及多個(gè)第二導(dǎo)電柱形成于第一介電層及第一導(dǎo)電膜上的示意圖。
[0015]圖8表示圖1中的嵌入式封裝裝置組裝后的示意圖。
[0016]【符號(hào)說明】
[0017]10?導(dǎo)線架；
[0018]11?第一部分；
[0019]12?第二部分；
[0020]13?第三部分；
[0021]14?第四部分；
[0022]15?第五部分；
[0023]16?沉孔；
[0024]16A?下表面；
[0025]21?第一半導(dǎo)體元件；
[0026]21S?第一源極接墊；
[0027]2ID?第一漏極接墊；
[0028]2IG?第一柵極接墊；
[0029]22?第二半導(dǎo)體元件；
[0030]22S?第二源極接墊；
[0031]22G?第二柵極接墊；
[0032]23?無源元件；
[0033]23A?第一端子；
[0034]23B?第二端子；
[0035]30?第一介電層；
[0036]40?第一導(dǎo)電柱；
[0037]50?第一導(dǎo)電膜；
[0038]51?第一部分；
[0039]52?第二部分；
[0040]53?第三部分；
[0041]60?第二介電層；
[0042]70?第二導(dǎo)電柱；
[0043]80?第二導(dǎo)電膜；
[0044]Dl?漏極端子；
[0045]D2?漏極端子；
[0046]Fl?上表面；
[0047]F2?下表面；
[0048]F3?下表面；
[0049]F4?上表面/第一表面；
[0050]F5?下表面/第二表面；
[0051]Gl?柵極端子；
[0052]G2?柵極端子；
[0053]P?介面材料；
[0054]SI?源極端子；
[0055]S2?源極端子；
[0056]Vdd ?電壓。
【具體實(shí)施方式】
[0057]參見圖1，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的嵌入式封裝裝置主要包括一導(dǎo)電架10、一第一半導(dǎo)體元件21、一第二半導(dǎo)體元件22、一無源元件23、一第一介電層30、多個(gè)第一導(dǎo)電柱
40、一第一導(dǎo)電膜50、一第二介電層60、多個(gè)第二導(dǎo)電柱70以及一第二導(dǎo)電膜80。
[0058]其中，本實(shí)施的嵌入式封裝裝置尤其可被應(yīng)用在一功率(power)相關(guān)的產(chǎn)品，例如變壓器或電源供應(yīng)器。此外，第二半導(dǎo)體元件22及第一半導(dǎo)體元件21與無源元件23具有不同厚度。于本實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體元件21及無源元件23的厚度相近，而第二半導(dǎo)體元件22的厚度相對(duì)小于第一半導(dǎo)體元件21及無源元件23。
[0059]參見圖1及圖2，導(dǎo)電架10具有多個(gè)圖案化及分開的部分。于本實(shí)施例中，導(dǎo)電架10由金屬材質(zhì)構(gòu)成，且具有一第一部分11、一第二部分12、一第三部分13、一第四部分14及一第五部分15。值得一提的是，導(dǎo)電架10形成有兩個(gè)沉孔(counterbores) 16，其中每一個(gè)沉孔16的下表面16A低于導(dǎo)電架10的上表面Fl。
[0060]第二半導(dǎo)體元件22設(shè)置于導(dǎo)電架10的上表面Fl上，且第一半導(dǎo)體元件21及無源元件23設(shè)置于導(dǎo)電架10的該些沉孔16內(nèi)。如此一來，可使得第二半導(dǎo)體元件22及第一半導(dǎo)體元件21與無源元件23的上表面具有相同或相近高度。
[0061]再者，第一半導(dǎo)體元件21、第二半導(dǎo)體元件22及無源元件23可透過一介面材料P(參見圖2)安裝于導(dǎo)電架10上。其中，介面材料P包括金屬合金、錫膏、銀膠或其他導(dǎo)電粘著劑。借此，第一半導(dǎo)體元件21、第二半導(dǎo)體元件22及無源元件23可透過導(dǎo)電架10相互電性連接。
[0062]需注意的是，于本實(shí)施例中的第一半導(dǎo)體元件21為一橫向型元件(lateral-typecomponent)，例如為一高電壓開關(guān)(High-Voltage switch，HV switch)。如圖1 及圖 2 所示，高電壓開關(guān)21的下表面F3設(shè)有一第一源極接墊(first source pad) 21S、一第一漏極接墊(first drain pad) 21D及一第一柵極接墊(first gate pad) 21G，其中第一漏極接墊2