S及第一半導(dǎo)體元件21的第一柵極接墊21G。
[0080]參見圖6，通過前述結(jié)構(gòu)設(shè)計，可實現(xiàn)一級聯(lián)開關(guān)電路(cascade switchcircuit)，其中級聯(lián)開關(guān)電路主要包括第一半導(dǎo)體元件21 (高電壓開關(guān))、第二半導(dǎo)體元件22 (低電壓開關(guān))及無源元件23。于本實施例中，一電壓Vdd可由導(dǎo)線架10的第一部分11 (參見圖5)載入高電壓開關(guān)21的一漏極端子(drain terminal) Dl (第一漏極接墊21D)，高電壓開關(guān)21的一源極端子(source terminal) SI (第一源極接墊21S)可透過導(dǎo)線架10的第三部分13 (參見圖5)電性連接低電壓開關(guān)22的一漏極端子D2(第二漏極接墊)，高電壓開關(guān)21的一柵極端子(gate terminal) Gl (第一柵極接墊21G)及低電壓開關(guān)22的一源極端子S2(第二源極接墊22S)可透過導(dǎo)線架10的第二部分12 (參見圖5)電性接地(GND)，且一切換信號(switch signal)可由導(dǎo)線架10的第四部分14 (參見圖5)輸入低電壓開關(guān)22的一柵極端子G2(第二柵極接墊22G)。相較于單一開關(guān)電路(single switchcircuit)，級聯(lián)開關(guān)電路適于承載較大的電壓及切換速度較快。
[0081]此外，本實施例的第二半導(dǎo)體元件22的第二源極接墊22S可透過第一導(dǎo)電膜50的第三部分53 (參見圖5)電性連接導(dǎo)線架10的第五部分15，其中導(dǎo)線架10的第五部分15可作為一開爾文源(Kelvin source)，并利用低電壓開關(guān)22的柵極端子G2提供一獨立的控制信號路徑。借此，亦可降低級聯(lián)開關(guān)電路的寄生效應(yīng)。
[0082]參見圖5及圖7，第二介電層60形成于第一介電層30上，且覆蓋第一導(dǎo)電膜50。于本實施例中，第二介電層60及第一介電層30具有相同材料。此外，多個導(dǎo)電柱70形成于第二介電層60中，且電性連接該些第一導(dǎo)電柱40的一部分，其中部分的第二導(dǎo)電柱70電性連接與第一半導(dǎo)體元件21的基材電性連接的第一導(dǎo)電柱40，且部分的第二導(dǎo)電柱70電性連接與導(dǎo)線架10的第二部分12電性連接的第一導(dǎo)電柱40。于本實施例中，第二導(dǎo)電柱70及第一導(dǎo)電柱40具有相同材料。然而，于部分實施例中，第二介電層60及第一介電層30亦可具有不同材料，及/或第二導(dǎo)電柱70及第一導(dǎo)電柱40亦可具有不同材料。
[0083]參見圖5、圖7及圖8，第二導(dǎo)電膜80形成于第二介電層60上，且大致覆蓋第二介電層60ο再者，第二導(dǎo)電膜80透過電性連接于第二導(dǎo)電膜80及第一半導(dǎo)體元件21之間的第一導(dǎo)電柱40及第二導(dǎo)電柱70電性連接第一半導(dǎo)體元件21的基材，且第二導(dǎo)電膜80透過電性連接于第二導(dǎo)電膜80及導(dǎo)線架10的第二部分12之間的第一導(dǎo)電柱40及第二導(dǎo)電柱70電性連接導(dǎo)線架10的第二部分12。借此，第二導(dǎo)電膜80可有助于嵌入式封裝裝置的熱量逸散、降低寄生效應(yīng)及提供良好的電磁波遮蔽效果。
[0084]于部分實施例中，第二介電層60、多個第二導(dǎo)電柱70及第二導(dǎo)電膜80亦可被省略，且對應(yīng)于該些第二導(dǎo)電柱70的多個第一導(dǎo)電柱40亦可被省略。此外，于部分實施例中，形成于第一介電層30上的第一導(dǎo)電膜50可僅電性連接第二半導(dǎo)體元件22或?qū)Ь€架10的第二部分12。此外，于部分實施例中，第一導(dǎo)電膜51及多個第一導(dǎo)電柱40亦可被省略，且第一半導(dǎo)體元件21、第二半導(dǎo)體元件22及無源元件23僅透過導(dǎo)線架10相互電性連接。
[0085]于部分實施例中，嵌入式封裝裝置還包括一第三半導(dǎo)體元件，設(shè)置于導(dǎo)線架10上，且由第一介電層30覆蓋。再者，第三半導(dǎo)體元件可透過嵌入式封裝裝置的一內(nèi)部電性連接(internal electric connect1n)或外部電性連接(external electricalconnect1n)與第一半導(dǎo)體元件21或第二半導(dǎo)體元件22電性連接。于一實施例中，第三半導(dǎo)體元件為設(shè)置于導(dǎo)線架10上的驅(qū)動芯片(driving 1C)，且電性連接第二半導(dǎo)體元件22 (低電壓開關(guān))的第二柵極接墊22G。
[0086]接著，下文中將詳細說明根據(jù)本發(fā)明一實施例的嵌入式封裝裝置的制造方法。請依序參見圖1至8(圖6除外)。
[0087]參見圖1及圖2，首先，提供一由金屬材質(zhì)構(gòu)成的導(dǎo)線架10，其中導(dǎo)線架10具有相對的一上表面Fl及一下表面F2，且具有一第一部分11、一第二部分12、一第三部分13、一第四部分14及一第五部分15。再者，導(dǎo)線架10于其上表面Fl上形成有橫跨第二部分12及第三部分13的兩個沉孔16。于本實施例中，導(dǎo)線架10可利用金屬沖壓(metal stamping)方法形成。
[0088]接著，提供一第一半導(dǎo)體元件21、一第二半導(dǎo)體元件22及一無源元件23，并將第一半導(dǎo)體元件21、第二半導(dǎo)體元件22及無源元件23透過一介面材料P (例如金屬合金、錫膏、銀膠或其他導(dǎo)電粘著劑)安裝于導(dǎo)線架10上。其中，第二半導(dǎo)體元件22設(shè)置于導(dǎo)線架10的上表面Fl上，且第一半導(dǎo)體元件21及無源元件23容置于導(dǎo)線架10的兩個沉孔16內(nèi)。
[0089]如圖1及圖2所示，第一半導(dǎo)體元件21為具有一第一源極接墊21S、一第一漏極接墊21D及一第一柵極接墊21G的一橫向型高電壓開關(guān)(lateral-type HV switch)。第一漏極接墊2ID電性連接導(dǎo)線架10的第一部分11，第一柵極接墊2IG電性連接導(dǎo)線架10的第二部分12，且第一源極接墊21S電性連接導(dǎo)線架10的第三部分13。第二半導(dǎo)體元件22為具有一第二源極接墊22S、一第二漏極接墊(圖未示)及一第二柵極接墊22G的一縱向型低電壓開關(guān)(vertical-type LV switch)。第二漏極接墊設(shè)置于第二半導(dǎo)體元件22的一下表面F5上，且電性連接導(dǎo)線架10的第三部分13，第二源極接墊22S及第二柵極接墊22G則設(shè)置于第二半導(dǎo)體元件22的一上表面F4上。無源元件23為具有一第一端子23A及一第二端子23B的一電容器，其中第一端子23A電性連接導(dǎo)線架10的第三部分14，且第二端子23B電性連接導(dǎo)線架10的第二部分12。
[0090]由于第一半導(dǎo)體元件21、第二半導(dǎo)體元件22及無源元件23的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及具體材料于前述實施例中已介紹過，故在此不重復(fù)敘述。
[0091]參見圖3，提供一第一介電層30，形成于導(dǎo)線架10上，且覆蓋第一半導(dǎo)體元件21、第二半導(dǎo)體元件22及無源元件23。于本實施例中，第一介電層30的材料包括ABF(Ajinomoto Build-up Film，由日商味的素公司生產(chǎn)的絕緣材料)或環(huán)氧模壓樹脂(Epoxy Molding Compound，EMC)ο
[0092]接著，利用激光鉆孔(laser drilling)方法于第一介電層30中形成多個孔洞，且利用銅電鍍(copper plating)方法于該些孔洞中對應(yīng)形成多個第一導(dǎo)電柱40。如圖3所示，部分的第一導(dǎo)電柱40電性連接第一半導(dǎo)體元件21的基材，部分的第一導(dǎo)電柱40電性連接導(dǎo)線架10的第二部分12，部分的第一導(dǎo)電柱40電性連接第二半導(dǎo)體元件22的第二柵極接墊22G及第二源極接墊22S，部分的第一導(dǎo)電柱40電性連接導(dǎo)線架10的第四部分14，且部分的第一導(dǎo)電柱40電性連接導(dǎo)線架10的第五部分15。
[0093]參見圖4，在形成第一介電層30于導(dǎo)線架10上后，導(dǎo)線架10的下表面F2部分暴露在外的(至少導(dǎo)線架10的第一部分11、一第二部分12、一第三部分13、一第四部分14及一第五部分15的局部暴露在外的)。
[0094]參見圖5，利用銅電鍍方法提供且形成一第一導(dǎo)電膜50于第一介電層30上。于本實施例中，第一導(dǎo)電膜50具有一第一部分51、一第二部分52及一第三部分53。
[0095]如圖3及圖5所示，第一導(dǎo)電膜50的第一部分51電性連接形成于第二半導(dǎo)體元件22的第二柵極接墊22G上的至少一第一導(dǎo)電柱40，且電性連接形成于導(dǎo)線架10的第四部分14上的至少一第一導(dǎo)電柱40，第一導(dǎo)電膜50的第二部分52電性連接形成于第二半導(dǎo)體元件22的第二源極接墊22S上的至少一第一導(dǎo)電柱40，且電性連接形成于導(dǎo)線架10的第二部分12上的至少一第一導(dǎo)電柱40，第一導(dǎo)電膜50的第三部分53電性連接形成于第二半導(dǎo)體元件22的第二源極接墊22S上的至少一第一導(dǎo)電柱40，且電性連接形成于導(dǎo)線架10的第五部分15上的至少一第一導(dǎo)電柱40。
[0096]參見圖7，提供一第二介電層60，形成于第一介電層30上，且覆蓋第一導(dǎo)電膜50。于本實施例中，第二介電層60及第一介電層30具有相同材料。
[0097]接著，同樣利用激光鉆孔方法于第二介電層60中形成多個孔洞，且利用銅電鍍方法于該些孔洞中對