1] 步驟203,參見圖7,在所述有源層的上方形成柵絕緣層33;該步驟具體包括：
[0092] 采用化學(xué)氣相沉積方法，在形成了柵極的基板上形成柵極絕緣層?？刂瞥练e溫度 在50(TC W下，在所述有源層的上方沉積透明絕緣材料W形成柵絕緣層，該柵極絕緣層的厚 度一般為100 ~ 600A，也可根據(jù)具體工藝需要選擇合適的厚度。柵極絕緣層采用單層的氧 化娃、氮化娃，或者二者的疊層。其中，當(dāng)采用單層氧化娃時，所述柵絕緣層厚度一般為 400~600 A;當(dāng)采用單層氮化娃時，所述柵絕緣層厚度一般為100~400 A。
[0093] 步驟204,參見圖8,在所述柵絕緣層33的上方沉積一層金屬薄膜，然后通過構(gòu)圖工 藝形成柵極34。該步驟具體包括：
[0094] 在所述柵絕緣層上形成（如瓣射或涂覆等)一層用于形成柵極的金屬薄膜;接著， 在金屬薄膜上涂覆一層光刻膠;然后，用設(shè)置有包括柵極的圖形的掩模板對光刻膠進行曝 光;最后經(jīng)顯影、刻蝕后形成包括柵極的圖形。本實施例陣列基板的制備方法中，設(shè)及到通 過構(gòu)圖工藝形成的膜層的制備工藝與此相同，此后不再詳細寶述。
[00%]步驟205,參見圖9,用離子注入的方式，在所述有源層32中形成源漏滲雜區(qū)35。
[0096] 本實施例中，離子注入程序中的離子可為下述的一種或多種:B離子、P離子、As離 子、P化離子。具體的，離子注入可采用具有質(zhì)量分析儀的離子注入、不具有質(zhì)量分析儀的離 子云式注入、等離子注入或者固態(tài)擴散式注入等方法，可根據(jù)實際需要進行注入。
[0097] 步驟206,從所述襯底基板背向有源層的一側(cè)采用準分子激光對所述有源層進行 照射，使所述源漏滲雜區(qū)的離子活化。
[0098] 步驟207,參見圖10,在所述柵極34的上方形成純化層36, W及貫穿所述柵絕緣層 和純化層的第一過孔361和第二過孔362。
[0099] 步驟208，參見圖11，在所述純化層36的上方形成源極37和漏極38;所述第一過孔 361和第二過孔362中填充有形成所述源極37和漏極38的導(dǎo)電材料;其中，所述源極通過得 到第一過孔361與所述有源層電連接，所述漏極與所述第二過孔362與所述有源層電連接。
[0100] 在通過構(gòu)圖工藝形成源極和漏極時，可采用濕法刻蝕或者干法刻蝕，源極37和漏 極38可W由金屬、金屬合金等導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0101] 步驟209,參見圖12,在所述源極37和漏極38的上方形成平坦層39,并在所述平坦 層中形成第=過孔363。
[0102] 步驟210,參見圖13,在所述平坦層39的上方形成像素電極310;該步驟具體包括： 使用磁控瓣射法在平坦層39上沉積一層氧化銅錫ITO透明導(dǎo)電薄膜，然后經(jīng)涂覆光刻膠并 曝光顯影后，再進行濕刻、剝離后，形成包括像素電極310的圖形，所述第=過孔363中填充 有用于形成所述像素電極的導(dǎo)電材料，所述像素電極310通過所述第=過孔363與漏極電連 接。
[0103] 步驟211，參見圖14,在所述像素電極310的上方形成配向膜層311;所述配向膜層 311可采用配向膜印刷版進行轉(zhuǎn)印的方式形成，還可W采用噴墨式印刷方式形成，具體工藝 可參考現(xiàn)有技術(shù)。
[0104] 上述步驟中，是在形成柵絕緣層和柵極W后，W柵極為掩膜板進行離子注入的，具 體工藝中還可W先利用激光照射有源層使所述源漏滲雜區(qū)的離子活化，提高薄膜晶體管的 特征;然后再在所述有源層的上方依次形成柵絕緣層和柵極，用于構(gòu)建完整的薄膜晶體管 結(jié)構(gòu)。此外，還可W在對非晶娃進行晶化之前在預(yù)定的源漏滲雜區(qū)域進行滲雜，然后通過一 次準分子激光照射，實現(xiàn)有源層的非晶娃晶化W及源漏滲雜區(qū)的離子活化，從而減少工藝 流程，降低生產(chǎn)成本。
[0105] 基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板，所述顯示基板采用上 述方法制作。
[0106] 基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如 上所述的顯示基板。
[0107] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可W對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。運樣，倘若本發(fā)明的運些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含運些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種顯示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 采用非晶硅材料在襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括至少一個高厚 膜區(qū)域，所述高厚膜區(qū)域的膜層厚度大于所述有源層其它區(qū)域的膜層厚度； 使所述有源層中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用非晶硅材料在襯底基板上形成包括有源 層的圖形，所述有源層包括至少一個高厚膜區(qū)域，包括： 在所述襯底基板上形成非晶硅材料層； 利用退火工藝，去除非晶硅材料中的氫； 利用半色調(diào)掩膜板，在襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括多個規(guī)則 排列的高厚膜區(qū)域。3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，使所述有源層中的非晶硅材料晶化成多晶硅 材料，包括： 利用激光照射所述有源層，使所述有源層中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料。4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用激光照射所述有源層，使所述有源 層中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料，包括： 利用準分子激光照射所述有源層，使所述有源層中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料。5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，利用準分子激光照射所述有源層，使所述有 源層中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料，包括： 利用準分子激光照射所述有源層，使所述有源層的高厚膜區(qū)域的非晶硅材料呈不完全 熔融狀態(tài)，除所述高厚膜區(qū)域以外的其它區(qū)域的非晶硅材料呈完全熔融狀態(tài)，晶化后形成 以所述高厚膜區(qū)域的不完全熔融狀態(tài)的非晶硅材料為晶核的多晶體材料。6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板上形成包括有源層的圖形之前， 所述方法還包括:在所述襯底基板上形成緩沖層，所述緩沖層位于所述襯底基板與所述有 源層之間。7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:采用離子注入的方式，在所 述有源層中形成源漏摻雜區(qū)。8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在對所述有源層進行離子注入之前，所述方 法還包括： 在所述有源層的基板上形成柵絕緣層； 在包括所述柵絕緣層的基板上形成包括柵極的圖形。9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括： 從所述襯底基板背向有源層的一側(cè)采用激光對所述有源層進行照射，使所述源漏摻雜 區(qū)的離子活化。10. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括： 采用激光對所述有源層進行照射，使所述源漏摻雜區(qū)的離子活化； 在所述有源層的上方形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層的上方形成柵極。11. 如權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述激光為準分子激光。12. 如權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述方法還包括： 在所述柵極的上方形成鈍化層，以及貫穿所述柵絕緣層和鈍化層的第一過孔和第二過 孔； 在所述鈍化層的上方形成源極和漏極；其中，所述源極通過得到第一過孔與所述有源 層電連接，所述漏極與所述第二過孔與所述有源層電連接； 在所述源極和漏極的上方形成平坦層，以及貫穿所述平坦層的第三過孔； 在所述平坦層的上方形成像素電極，且使得所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏 極電連接。13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述像素電極的上方形 成配向膜層。14. 一種顯示基板，其特征在于，所述顯示基板采用如權(quán)利要求1~13任一權(quán)項所述的 方法制作。15. -種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求14所述的顯示基板。
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中使用激光晶化時形成的晶粒尺寸受限、產(chǎn)品均勻性差的問題。所述顯示基板的制作方法包括：采用非晶硅材料在襯底基板上形成包括有源層的圖形，所述有源層包括至少一個高厚膜區(qū)域，所述高厚膜區(qū)域的膜層厚度大于所述有源層其它區(qū)域的膜層厚度；使所述有源層中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料。
【IPC分類】H01L21/822, H01L27/04
【公開號】CN105633076
【申請?zhí)枴緾N201610130513
【發(fā)明人】陳善韜, 張慧娟, 郭易東
【申請人】京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2016年3月8日