具有非對稱鰭形圖案的半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】提供了半導(dǎo)體器件，其包括具有彼此相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁的第一鰭形圖案以及與第一鰭形圖案的至少一部分接觸的場絕緣薄膜。第一鰭形圖案包括：與場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案下部；不與場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案上部；位于第一鰭形圖案下部與第一鰭形圖案上部之間的第一邊界；以及垂直于第一邊界且與第一鰭形圖案上部的頂部交會的第一鰭中心線。第一鰭形圖案上部的第一側(cè)壁與第一鰭形圖案上部的第二側(cè)壁相對于第一鰭中心線不對稱。
【專利說明】具有非對稱鰭形圖案的半導(dǎo)體器件
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2015年I月15日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2015-0007315的優(yōu)先權(quán)以及于2015年I月16日提交至美國專利商標(biāo)局的美國臨時申請N0.62/104，470的優(yōu)先權(quán)，這些申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明構(gòu)思的各實施例一般地涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及多柵極晶體管。
【背景技術(shù)】
[0004]多柵極晶體管使用能夠易于標(biāo)定的三維溝道。多柵極晶體管可以在即使其柵極長度不增大的情況下提高其電流控制能力。另外，多柵極晶體管可以有效抑制溝道區(qū)電壓受漏極電壓影響的短溝道效應(yīng)(SCE)。
[0005]作為用于增加半導(dǎo)體器件密度的標(biāo)定技術(shù)中的一種，已經(jīng)提出一種多柵極晶體管，其中鰭形硅體形成在襯底上并且柵極形成在硅體表面上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例提供這樣的半導(dǎo)體器件，通過調(diào)整鰭形場效應(yīng)晶體管(FinFET)的溝道的形狀而增加寬度效應(yīng)，可提高所述半導(dǎo)體器件的性能。
[0007]本發(fā)明構(gòu)思的另一些實施例提供一種半導(dǎo)體器件，其包括含有彼此相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁的第一鰭形圖案，以及與第一鰭形圖案的一部分接觸的場絕緣薄膜，其中所述第一鰭形圖案包括與場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案下部、不與場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案上部、位于第一鰭形圖案下部與第一鰭形圖案上部之間的第一邊界、以及垂直于第一邊界且與第一鰭形圖案上部的頂部交會的第一鰭中心線，并且其中第一鰭形圖案上部的第一側(cè)壁與第一鰭形圖案上部的第二側(cè)壁相對于第一鰭中心線不對稱。
[0008]在本發(fā)明構(gòu)思的又一些實施例中，在與所述第一邊界相距第一距離的第一鰭形圖案上部中，第一側(cè)壁的斜率被定義為第一斜率，第二側(cè)壁的斜率被定義為第二斜率，第一鰭中心線與第一側(cè)壁之間的寬度被定義為第一寬度，并且第一鰭中心線與第二側(cè)壁之間的寬度被定義為第二寬度，并且第一斜率與第二斜率彼此不同，或者第一寬度與第二寬度彼此不同。
[0009]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例中，第一側(cè)壁包括第一拐點，并且第二側(cè)壁包括第二拐點，并且從第一邊界到第一拐點的距離不同于從第一邊界到第二拐點的距離。
[0010]在本發(fā)明的另一些實施例中，第一拐點和第二拐點位于所述場絕緣薄膜的上表面的上方。
[0011]在本發(fā)明的又一些實施例中，第一鰭形圖案下部的第一側(cè)壁與第一鰭形圖案下部的第二側(cè)壁相對于所述第一鰭中心線不對稱。
[0012]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例中，所述半導(dǎo)體器件還可包括:第二鰭形圖案，其包括彼此相對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁，并且與第一鰭形圖案直接相鄰;第一溝槽，其形成在第一鰭形圖案的第二側(cè)壁與第二鰭形圖案的第三側(cè)壁之間，所述第二側(cè)壁與所述第三側(cè)壁彼此面對；以及第二溝槽，其形成為鄰近于第一鰭形圖案的第一側(cè)壁以及第二鰭形圖案的第四側(cè)壁。所述場絕緣薄膜填充第一溝槽的一部分和第二溝槽的一部分。第二鰭形圖案包括:與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的下部、不與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的上部、位于第二鰭形圖案下部與第二鰭形圖案上部之間的第二邊界、以及垂直于第二邊界且與第二鰭形圖案上部的頂部交會的第二鰭中心線。并且第二鰭形圖案上部的第三側(cè)壁與第二鰭形圖案上部的第四側(cè)壁相對于第二鰭中心線不對稱。
[0013]在本發(fā)明構(gòu)思的另一些實施例中，所述第一溝槽為限定第一鰭形圖案和第二鰭形圖案的溝槽，第一溝槽的第一深度小于第二溝槽的第二深度，在第一鰭中心線與第二鰭中心線之間定義了與第一鰭中心線和第二鰭中心線相距相同距離的場中心線，并且第一鰭形圖案上部的第二側(cè)壁與第二鰭形圖案上部的第三側(cè)壁相對于所述場中心線對稱。
[0014]在本發(fā)明構(gòu)思的又一些實施例中，所述第二溝槽限定有源區(qū)。
[0015]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例中，所述第一溝槽形成在第二鰭形圖案的兩側(cè)。所述半導(dǎo)體器件還可包括位于第二鰭形圖案與第二溝槽之間的第三鰭形圖案，其由第一溝槽限定并包括彼此相對的第五側(cè)壁和第六側(cè)壁。所述第三鰭形圖案包括:與所述場絕緣薄膜接觸的第三鰭形圖案下部、不與所述場絕緣薄膜接觸的第三鰭形圖案上部、位于第三鰭形圖案下部與第三鰭形圖案上部之間的第三邊界、以及垂直于第三邊界且與第三鰭形圖案上部的頂部交會的第三鰭中心線，并且第三鰭形圖案上部的第五側(cè)壁與第三鰭形圖案上部的第六側(cè)壁相對于第三鰭中心線不對稱。
[0016]在本發(fā)明構(gòu)思的另一些實施例中，第一溝槽的第一深度等于或小于第二溝槽的第二深度，并且第一溝槽和第二溝槽限定有源區(qū)。
[0017]在本發(fā)明構(gòu)思的又一些實施例中，所述半導(dǎo)體器件還可包括第二鰭形圖案，其包括彼此相對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁。所述第二鰭形圖案包括與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案下部、不與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案上部、位于第二鰭形圖案下部與第二鰭形圖案上部之間的第二邊界、以及垂直于第二邊界且與第二鰭形圖案上部的頂部交會的第二鰭中心線，并且第二鰭形圖案的第三側(cè)壁與第二鰭形圖案的第四側(cè)壁相對于第二鰭中心線對稱。
[0018]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例中，所述半導(dǎo)體器件還可包括與第一鰭形圖案交叉的柵電極。
[0019]本發(fā)明構(gòu)思的另一些實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括:具有第一深度的第一溝槽，其限定第一鰭形圖案;形成在第一鰭形圖案兩側(cè)的第二溝槽，其具有大于第一深度的第二深度；以及場絕緣薄膜，其填充第一溝槽的一部分和第二溝槽的一部分，其中所述第一鰭形圖案包括與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案下部、不與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案上部、位于第一鰭形圖案下部與第一鰭形圖案上部之間的第一邊界、以及垂直于第一邊界且與第一鰭形圖案上部的頂部交會的第一鰭中心線，并且其中第一鰭形圖案的第一側(cè)壁與第一鰭形圖案的第二側(cè)壁相對于第一鰭中心線不對稱。
[0020]在本發(fā)明構(gòu)思的又一些實施例中，在與第一邊界相距第一距離的第一鰭形圖案中，第一側(cè)壁的斜率被定義為第一斜率，第二側(cè)壁的斜率被定義為第二斜率，第一鰭中心線與第一側(cè)壁之間的寬度被定義為第一寬度，并且第一鰭中心線與第二側(cè)壁之間的寬度被定義為第二寬度。并且，第一斜率與第二斜率彼此不同，或者第一寬度與第二寬度彼此不同。
[0021]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例中，與第一邊界相距第一距離的第一鰭形圖案是第一鰭形圖案的上部。
[0022]在本發(fā)明構(gòu)思的另一些實施例中，所述半導(dǎo)體器件還可包括第二鰭形圖案，其由第一溝槽限定并且布置在第一鰭形圖案與第二溝槽之間。第二鰭形圖案包括與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案下部、不與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案上部、位于第二鰭形圖案下部與第二鰭形圖案上部之間的第二邊界、以及垂直于第二邊界且與第二鰭形圖案上部的頂部交會的第二鰭中心線，并且第二鰭形圖案的第三側(cè)壁與第二鰭形圖案的第四側(cè)壁相對于第二鰭中心線不對稱。
[0023]在本發(fā)明構(gòu)思的又一些實施例中，第一鰭形圖案的第二側(cè)壁與第二鰭形圖案的第三側(cè)壁彼此面對并且場絕緣薄膜位于其間，在第一鰭中心線與第二鰭中心線之間定義了與第一鰭中心線和第二鰭中心線相距相同距離的場中心線，并且第一鰭形圖案的第二側(cè)壁與第二鰭形圖案的第三側(cè)壁相對于所述場中心線對稱。
[0024]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例中，所述半導(dǎo)體器件還可包括位于第一鰭形圖案與第二鰭形圖案之間的由第一溝槽限定的第三鰭形圖案。
[0025]在本發(fā)明構(gòu)思的另一些實施例中，第二溝槽限定有源區(qū)。
[0026]在本發(fā)明構(gòu)思的又一些實施例中，所述半導(dǎo)體器件還可包括與第一鰭形圖案交叉的柵電極。
[0027]本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括:具有第一深度的第一溝槽，其限定彼此間隔開的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；具有小于第一深度的第二深度的第二溝槽，其在第一有源區(qū)中限定第一鰭形圖案;具有小于第一深度的第三深度的第三溝槽，其在第二有源區(qū)中限定第二鰭形圖案和第三鰭形圖案；以及場絕緣薄膜，其填充第一溝槽的一部分、第二溝槽的一部分和第三溝槽的一部分，其中所述第一鰭形圖案包括與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案下部、不與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案上部、位于第一鰭形圖案下部與第一鰭形圖案上部之間的第一邊界、以及垂直于第一邊界且與第一鰭形圖案上部的頂部交會的第一鰭中心線，其中所述第二鰭形圖案包括與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案下部、不與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案上部、位于第二鰭形圖案下部與第二鰭形圖案上部之間的第二邊界、以及垂直于第二邊界且與第二鰭形圖案上部的頂部交會的第二鰭中心線，其中第一鰭形圖案的第一側(cè)壁與第一鰭形圖案的第二側(cè)壁相對于第一鰭中心線不對稱，并且其中第二鰭形圖案的第三側(cè)壁與第二鰭形圖案的第四側(cè)壁相對于第二鰭中心線不對稱。
[0028]在本發(fā)明構(gòu)思的另一些實施例中，第三鰭形圖案包括與所述場絕緣薄膜接觸的第三鰭形圖案下部、不與所述場絕緣薄膜接觸的第三鰭形圖案上部、位于第三鰭形圖案下部與第三鰭形圖案上部之間的第三邊界、以及垂直于第三邊界且與第三鰭形圖案上部的頂部交會的第三鰭中心線。并且，第三鰭形圖案的第五側(cè)壁與第三鰭形圖案的第六側(cè)壁相對于第三鰭中心線不對稱。
[0029]在本發(fā)明構(gòu)思的又一些實施例中，第二鰭形圖案和第三鰭形圖案彼此直接相鄰，第二鰭形圖案的第四側(cè)壁與第三鰭形圖案的第五側(cè)壁彼此面對并且場絕緣薄膜位于其間，與第二鰭中心線和第三鰭中心線相距相同距離的場中心線被限定在第二鰭中心線與第三鰭中心線之間，并且第二鰭形圖案的第四側(cè)壁與第三鰭形圖案的第五側(cè)壁相對于所述場中心線對稱。
[0030]在本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例中，所述半導(dǎo)體器件還可包括由第二溝槽限定的第四鰭形圖案和第五鰭形圖案。第四鰭形圖案包括第四鰭中心線，并且第四鰭形圖案相對于第四鰭中心線不對稱。
[0031]在本發(fā)明構(gòu)思的另一些實施例中，第五鰭形圖案包括第五鰭中心線，并且第五鰭形圖案相對于第五鰭中心線不對稱。
[0032]在本發(fā)明構(gòu)思的又一些實施例中，第一鰭形圖案和第四鰭形圖案彼此直接相鄰并且場絕緣薄膜位于其間，在第一鰭中心線與第四鰭中心線之間定義了與第一鰭中心線與第四鰭中心線相距相同距離的場中心線，并且第一鰭形圖案與第四鰭形圖案相對于所述場中心線對稱。
【附圖說明】
[0033]通過參照附圖對其示例性實施例進行詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思的以上和其他方面和特征將變得更加清楚，其中:
[0034]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；
[0035]圖2是沿著圖1的線A-A’截取的截面圖；
[0036]圖3A是沿著圖1的線B-B’截取的截面圖；
[0037]圖3B是圖3A排除了第一柵電極的示圖；
[0038]圖3C是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例的示圖；
[0039]圖4示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；
[0040]圖5是沿著圖4的線B-B’截取的截面圖；
[0041]圖6是用于示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；
[0042]圖7是沿著圖6的線B-B’截取的截面圖；
[0043]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的示圖；
[0044]圖9是用于示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的示圖；
[0045]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；
[0046]圖11是沿著圖10的線B-B’截取的截面圖；
[0047]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；
[0048]圖13是沿著圖12的線C-C’截取的截面圖；圖14是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；
[0049]圖15是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；
[0050]圖16是包括有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的存儲卡的框圖；
[0051]圖17是包括有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的信息處理系統(tǒng)的框圖；以及
[0052]圖18是包括有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的電子裝置的框圖?！揪唧w實施方式】
[0053]現(xiàn)在將參照示出了本發(fā)明優(yōu)選實施例的附圖更加全面地描述本發(fā)明構(gòu)思。然而，本發(fā)明可以按照許多不同的形式實現(xiàn)，而不應(yīng)理解為限于本文闡述的實施例。相反，提供這些實施例從而使得本公開將是徹底而完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。在本說明書中，相同的附圖標(biāo)記始終用于表示相同的部件。為清晰起見，在附圖中放大了層與區(qū)域的厚度。
[0054]應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q作“連接至”或“耦接至”另一元件或?qū)訒r，所述一個元件或?qū)涌梢灾苯印斑B接至”或“耦接至”另一元件或?qū)?，或者也可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)一個元件被稱作“直接連接至”或“直接耦接至”另一元件或?qū)訒r，則不存在中間元件或中間層。相同的附圖標(biāo)記始終用于表示同一元件。如本文所使用的那樣，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目中的一個或多個的任意和所有組合。
[0055]另外，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一層被稱作“位于”另一層或襯底“上”時，所述一層可以直接位于另一層或襯底上，或者也可以存在中間層。相反，當(dāng)一個元件被稱作“直接位于”另一元件上時，則不存在中間元件。
[0056]應(yīng)當(dāng)理解，雖然可在本文使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件，但是這些元件不應(yīng)受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個元件與另一個元件區(qū)分開。因此，以下討論的例如第一元件、第一部件或第一部分可以被稱作第二元件、第二部件、或第二部分而沒有脫離本發(fā)明構(gòu)思的指教。
[0057]除非另外在本文中指出或者與上下文明確矛盾，否則在描述本發(fā)明的上下文(尤其是在所附權(quán)利要求的上下文)中所使用的術(shù)語“一個”、“一”和“該”以及類似用語應(yīng)當(dāng)被理解為涵蓋單數(shù)和復(fù)數(shù)這兩者。除非另外注明，否則術(shù)語“包含”、“具有”、“包括”和“含有”應(yīng)當(dāng)被理解為開放式術(shù)語(即，意指“包括，但不限于”)。
[0058]除非另有定義，否則本文所使用的所有技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的一個普通技術(shù)人員的通常理解相同的含義。注意，除非另外指明，否則在本文中提供的任何和所有示例或示例性術(shù)語的使用僅旨在更好地說明本發(fā)明而非旨在限制本發(fā)明的范圍。此外，除非另有定義，否則在常用詞典中定義的所有術(shù)語不應(yīng)被過度解釋。
[0059]將參照圖1至圖3B討論根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。圖2是沿著圖1的線A-A’截取的截面圖。圖3A是沿著圖1的線B-B’截取的截面圖，圖3B是圖3A排除了第一柵電極的示圖。
[0060]現(xiàn)在參照圖1至圖3A，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件I可包括第一鰭形圖案110和第一柵電極210。第一鰭形圖案110可形成在襯底100的第一有源區(qū)(ACTl)中。第一鰭形圖案110可在第一方向(X)上延伸。
[0061]例如，襯底100可以是硅襯底、體硅襯底或絕緣體上硅(SOI)。在一些實施例中，襯底100可包括元素半導(dǎo)體(例如鍺)或者化合物半導(dǎo)體(例如IV-1V族化合物半導(dǎo)體或II1-V族化合物半導(dǎo)體)。此外，襯底100可以是其中外延層形成在基板上的襯底。
[0062]例如，IV-1V族化合物半導(dǎo)體可以是二元化合物、三元化合物、摻雜有IV族元素的二元化合物或摻雜有IV族元素的三元化合物，其中的每一個含有碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)中的至少兩個。
[0063]例如，II1-V族化合物半導(dǎo)體可以是二元化合物、三元化合物或四元化合物，其中的每一個通過將從鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)中選擇的至少一個III族元素與從磷(P)、砷(As)和銻(Sb)中選擇的一個V族元素組合而形成。
[0064]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件中，第一鰭形圖案110被描述為包含硅的硅鰭形有源圖案。
[0065]在圖1中，第一鰭形圖案110示出為矩形的形式;然而，本發(fā)明構(gòu)思的各實施例不限于此。當(dāng)?shù)谝祸捫螆D案110具有矩形形式時，其可包括長邊和短邊。
[0066]場絕緣薄膜105可形成在襯底100上，并且可布置在第一鰭形圖案110周圍。場絕緣薄膜105可形成為覆蓋第一鰭形圖案110的一部分。第一鰭形圖案110可由場絕緣薄膜105限定。
[0067]例如，場絕緣薄膜105可以是氧化物薄膜、氮化物薄膜、氮氧化物薄膜或其組合。
[0068]下面將參照圖3B進一步討論第一鰭形圖案110和場絕緣薄膜105。
[0069]第一柵電極210可在第二方向(Y)上延伸，并且可形成為與第一鰭形圖案110交叉。第一柵電極210可設(shè)置在第一鰭形圖案110和場絕緣薄膜105上。
[0070]第一柵電極210可包括金屬層(MGl和MG2)。如圖2和圖3A所示，第一柵電極210可以是兩層或更多層金屬層(MGl和MG2)的層疊件。在這些實施例中，第一金屬層(MGl)用于調(diào)整功函數(shù)，并且第二金屬層(MG2)用于填充由第一金屬層(MGl)形成的空間。第一金屬層(MGl)可包括例如從1^胃11141、114故、了3111(:、了3(:、了3^了33丨~及其組合中選取的至少一種，但是不限于此。第二金屬層(MG2)可包括例如從胃^1、01、(:0、1^3&、多晶31、3166及其合金中選取的至少一種，但是不限于此。第一柵電極210可通過例如置換工藝(或后柵極工藝)形成，但是不限于此。
[0071]柵極絕緣薄膜115和212可形成在第一鰭形圖案110與第一柵電極210之間。柵極絕緣薄膜115和212可包括界面薄膜115和高介電絕緣薄膜212。
[0072]可通過使第一鰭形圖案110的一部分氧化而形成界面層115。界面層115可沿著第一鰭形圖案110突出于場絕緣薄膜105上表面的輪廓而形成。當(dāng)?shù)谝祸捫螆D案110是包含硅的硅鰭形圖案時，界面層115可包括氧化硅薄膜。
[0073]高介電絕緣薄膜212可形成在界面層115和第一柵電極210之間。高介電絕緣薄膜212可以沿著第一鰭形圖案110突出于場絕緣薄膜105上表面的輪廓而形成。同時，高介電絕緣薄膜212可形成在第一柵電極210與場絕緣薄膜105之間。
[0074]例如，高介電絕緣薄膜212可包括從氮氧化硅、氮化硅、氧化鉿、鉿硅氧化物、氧化鑭、鑭鋁氧化物、氧化錯、錯娃氧化物、氧化鉭、氧化鈦、鋇鎖鈦氧化物、鋇鈦氧化物、鎖鈦氧化物、氧化釔、氧化鋁、鉛鈧鉭氧化物和鈮酸鉛鋅中選取的至少一種，但是不限于此。
[0075]柵極間隔件214可布置在第一柵電極210在第二方向(Y)上延伸的側(cè)壁上。例如，柵極間隔件214可包括從氮化硅(SiN)、氮氧化硅(S1N)、氧化硅(S12)、硅的碳氮氧化物(S1CN)及其組合中選取的至少一種。
[0076]源極/漏極117可以形成在位于第一柵電極210兩側(cè)的第一鰭形圖案110上。源極/漏極117可通過外延工藝形成。例如，源極/漏極117可以是抬高的源極/漏極。
[0077]當(dāng)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件I為PMOS晶體管時，源極/漏極117可包括壓應(yīng)力材料。壓應(yīng)力材料可以是晶格常數(shù)大于硅(Si)的材料，并且可以是例如SiGe。壓應(yīng)力材料可通過向第一鰭形圖案110施加壓應(yīng)力而改善溝道區(qū)中的載流子迀移率。
[0078]在半導(dǎo)體器件I為NMOS晶體管的實施例中，源極/漏極117可包括拉應(yīng)力材料。例如，當(dāng)?shù)谝祸捫螆D案110為硅鰭形圖案時，源極/漏極117可包括具有小晶格常數(shù)的材料(例如，SiC)。拉應(yīng)力材料可通過向第一鰭形圖案110施加拉應(yīng)力而改善溝道區(qū)中的載流子迀移率。
[0079]參照圖1和圖3B，第一鰭形圖案110可由具有第一深度的第一淺溝槽(Tl)限定，并且第一有源區(qū)(ACTl)可由具有大于第一深度的第二深度的第一深溝槽(DTl)限定。
[0080]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件I中，第一淺溝槽(Tl)和第一深溝槽(DTl)可布置在第一鰭形圖案110的兩側(cè)。
[0081]在這些實施例中，第一淺溝槽(Tl)和第一深溝槽(DTl)可設(shè)置為彼此直接相鄰。彼此直接相鄰的第一淺溝槽(Tl)和第一深溝槽(DTl)意味著第一淺溝槽(Tl)與第一深溝槽(DTl)之間沒有設(shè)置另一個具有第一深度的淺溝槽。
[0082]場絕緣薄膜105可形成為至少填充第一淺溝槽(Tl)的一部分以及第一深溝槽(DTl)的一部分。
[0083]第一鰭形圖案110可包括彼此相對的第一側(cè)壁IlOa和第二側(cè)壁110b。第一鰭形圖案110可包括上部112和下部111。此外，第一鰭形圖案110可包括位于第一鰭形圖案110的上部112與第一鰭形圖案110的下部111之間的第一邊界113。
[0084]場絕緣薄膜105可以接觸第一鰭形圖案110的一部分。在第一鰭形圖案110中，其下部111可以接觸場絕緣薄膜105，其上部112可以不接觸場絕緣薄膜105。
[0085]換言之，第一邊界113可以是接觸場絕緣薄膜105的第一鰭形圖案110的下部111與不接觸場絕緣薄膜105的第一鰭形圖案110的上部112之間的邊界。第一邊界113可以是對場絕緣薄膜105與第一側(cè)壁I 1a和第二側(cè)壁I 1b交會的各點進行連接的線。
[0086]此外，第一鰭形圖案110可包括第一鰭中心線(FACl)，其垂直于第一邊界113并與第一鰭形圖案110的頂部交會。換言之，第一鰭中心線(FACl)可與第一鰭形圖案110的上部112的頂部交會。
[0087]在這些實施例中，第一鰭形圖案110的頂部可以是平行于第一邊界113的線與第一鰭形圖案110最終交會的一點。同時，當(dāng)?shù)谝祸捫螆D案110的頂部具有平直表面時，第一鰭形圖案110的頂部可以是該平直表面的中點。
[0088]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件I中，第一鰭形圖案110的第一側(cè)壁IlOa和第二側(cè)壁IlOb可以相對于第一鰭中心線(FACl)不對稱。第一鰭形圖案110可以相對于第一鰭中心線(FAC1)不對稱。例如，相對于第一鰭中心線(FAC1)，第一鰭形圖案110的上部112的第一側(cè)壁IlOa與第一鰭形圖案110的上部112的第二側(cè)壁IlOb可以不對稱。
[0089]此外，相對于第一鰭中心線(FACl)，第一鰭形圖案110的下部111的第一側(cè)壁IlOa與第一鰭形圖案110的下部111的第二側(cè)壁11 Ob可以不對稱;然而，本發(fā)明構(gòu)思的各實施例不限于此。換言之，第一鰭形圖案110的上部112可以不對稱，但是第一鰭形圖案110的下部111可以對稱。
[0090]在這些實施例中，將第一鰭形圖案110相對于第一鰭中心線(FACl)的不對稱定義如下。首先，定義第一距離(L)，其為與第一邊界113相距的距離。
[0091]在與第一邊界113相距第一距離(L)的第一鰭形圖案110中，第一側(cè)壁IlOa的斜率定義為第一斜率(Sll)，并且第二側(cè)壁IlOb的斜率定義為第二斜率(S12)。在與第一邊界113相距第一距離(L)的第一鰭形圖案110中，當(dāng)?shù)谝粋?cè)壁IlOa和第二側(cè)壁IlOb中的每一個具有彎曲的表面形狀時，第一斜率(Sll)和第二斜率(SI 2)中的每一個可以是切線的斜率。此外，第一斜率(Sll)和第二斜率(SI 2)中的每一個可以是絕對值。
[0092]在與第一邊界113相距第一距離(L)的第一鰭形圖案110中，第一鰭中心線(FACl)與第一側(cè)壁I 1a之間的寬度可定義為第一寬度(Wl I)，并且第一鰭中心線(FAC1)與第二側(cè)壁IlOb之間的寬度可定義為第二寬度(W12)。
[0093]在這些實施例中，在與第一邊界113相距第一距離(L)的第一鰭形圖案110中，第一側(cè)壁IlOa的斜率(Sll)可以不同于第二側(cè)壁IlOb的斜率(S12)，或者第一鰭中心線(FACl)與第一側(cè)壁IlOa之間的寬度(Wll)可以不同于第一鰭中心線(FACl)與第二側(cè)壁IlOb之間的寬度(W12)。
[0094]換言之，在與第一邊界113相距第一距離(L)的第一鰭形圖案110中，斜率或?qū)挾瓤梢圆煌蛘咝甭屎蛯挾染梢圆煌?br>[0095]在圖3B中，已經(jīng)將與第一邊界113相距第一距離(L)的第一鰭形圖案110示出為第一鰭形圖案的上部112，但是不限于此。
[0096]此外，第一鰭形圖案110的第一側(cè)壁I1a可包括第一拐點(pi)，第一鰭形圖案110的第二側(cè)壁IlOb可包括第二拐點(p2)。從第一邊界113到第一拐點(Pl)的距離可由hi表示，從第一邊界113到第二拐點(p2)的距離可由h2表示。
[0097]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件I中，從第一邊界113到第一拐點(Pl)的距離(hi)可不同于從第一邊界113到第二拐點(p2)的距離(h2)。
[0098]例如，第一側(cè)壁(IlOa)的第一拐點(pi)和第二側(cè)壁(IlOb)的第二拐點(p2)可包括在第一鰭形圖案110的上部112中。換言之，第一側(cè)壁(IlOa)的第一拐點(pi)和第二側(cè)壁(IlOb)的第二拐點(p2)可以位于場絕緣薄膜105的上表面上。
[0099]現(xiàn)在參照圖3C，將對示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例的示圖進行討論。為了便于說明，將著重于上文討論的實施例與圖3C的實施例之間的區(qū)別來描述其修改示例，因此，為簡明起見將不再重復(fù)上文討論的細(xì)節(jié)。
[0100]如圖3C所示，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的修改示例(Ia)還可包括突出結(jié)構(gòu)(PRT)。突出結(jié)構(gòu)(PRT)可由第一淺溝槽(Tl)底部的突出物形成，并且可形成為使其位于場絕緣薄膜105的上表面之下。突出結(jié)構(gòu)(PRT)可位于第一淺溝槽(Tl)與第一深溝槽(DTl)的邊界處。
[0101]在圖3C中，突出結(jié)構(gòu)(PRT)形成在第一鰭形圖案110的一側(cè)，然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。換言之，突出結(jié)構(gòu)(PRT)還可形成在第一鰭形圖案110的兩側(cè)而沒有脫離本發(fā)明構(gòu)思的范圍。
[0102]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。圖5是沿著圖4的線B-B’截取的截面圖。為了便于說明，將著重于上文討論的實施例與圖4和圖5所示的實施例之間的區(qū)別來描述圖4和圖5的半導(dǎo)體器件。圖5示出了除第一柵電極之外的鰭形圖案和場絕緣薄膜。
[0103]現(xiàn)在參照圖4和圖5，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件2還可包括第二鰭形圖案120。第二鰭形圖案120形成為與第一鰭形圖案110直接相鄰。
[0104]第二鰭形圖案120可形成在襯底100的第一有源區(qū)(ACTl)中。第二鰭形圖案120可在第一方向(X)上延伸。場絕緣薄膜105可與第二鰭形圖案120的一部分接觸。
[0105]第二鰭形圖案120可由具有第一深度的第一淺溝槽(Tl)限定。第一淺溝槽(Tl)布置在第一鰭形圖案110與第二鰭形圖案120之間以使第一鰭形圖案110與第二鰭形圖案120分離。第一淺溝槽(Tl)可布置在第二鰭形圖案120的兩側(cè)。
[0106]第二鰭形圖案120可包括彼此相對的第三側(cè)壁120a和第四側(cè)壁120b。第二鰭形圖案120可包括上部122和下部121。此外，第二鰭形圖案120可包括第二鰭形圖案120的上部122與第二鰭形圖案120的下部121之間的第二邊界123。
[0107]使第一鰭形圖案110與第二鰭形圖案120分離的第一淺溝槽(Tl)可布置在第一鰭形圖案110的第二側(cè)壁I 1b與第二鰭形圖案120的第三側(cè)壁120a之間。限定第一有源區(qū)(ACTl)的第一深溝槽(DTl)可形成為分別鄰近于第一鰭形圖案110的第一側(cè)壁IlOa和第二鰭形圖案120的第四側(cè)壁120b。
[0108]場絕緣薄膜105可與第二鰭形圖案120的一部分接觸。在第二鰭形圖案120中，其下部121可以接觸場絕緣薄膜105，并且其上部122可以不接觸場絕緣薄膜105。
[0109]此外，第二鰭形圖案120可包括第二鰭中心線(FAC2)，其垂直于第二邊界123并與第二鰭形圖案120的頂部交會。換言之，第二鰭中心線(FAC2)可與第二鰭形圖案120的上部122的頂部交會。
[0110]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件2中，第一鰭形圖案110的第一側(cè)壁110a與第二側(cè)壁IlOb可以相對于第一鰭中心線(FACl)不對稱，并且第二鰭形圖案120的第三側(cè)壁120a與第四側(cè)壁120b可以相對于第二鰭中心線(FAC2)不對稱。
[0111]例如，第二鰭形圖案120的上部122的第三側(cè)壁120a與第二鰭形圖案120的上部122的第四側(cè)壁120b可以相對于第二鰭中心線(FAC2)不對稱。
[0112]在與第二邊界123相距第一距離(L)的第二鰭形圖案120中，第三側(cè)壁120a的斜率定義為第三斜率(S21)，并且第四側(cè)壁120b的斜率定義為第四斜率(S22)。此外，在與第二邊界123相距第一距離(L)的第二鰭形圖案120中，第二鰭中心線(FAC2)與第三側(cè)壁120a之間的寬度可定義為第三寬度(W21)，并且第二鰭中心線(FAC2)與第四側(cè)壁120b之間的寬度可定義為第四寬度(W22)。
[0113]在這些實施例中，在與第二邊界123相距第一距離(L)的第二鰭形圖案120中，第三側(cè)壁120a的斜率(S21)可以不同于第四側(cè)壁120b的斜率(S22)，或者第二鰭中心線(FAC2)與第三側(cè)壁120a之間的寬度(W21)可以不同于第二鰭中心線(FAC2)與第四側(cè)壁120b之間的寬度(W22)。
[0114]此外，可以在第一鰭中心線(FACl)與第二鰭中心線(FAC2)之間定義與第一鰭中心線(FACl)和第二鰭中心線(FAC2)相距相同距離的第一場中心線(FOCl)。
[0115]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件2中，第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案120可以相對于第一場中心線(FOCl)對稱。第一鰭形圖案110的第二側(cè)壁IlOb和第二鰭形圖案120的第三側(cè)壁120a可以相對于第一場中心線(FOCl)對稱，并且第一鰭形圖案110的第一側(cè)壁IlOa和第二鰭形圖案120的第四側(cè)壁120b可以相對于第一場中心線(FOCl)對稱。
[0116]例如，第三側(cè)壁120a的斜率(S21)可以實質(zhì)上等于第二側(cè)壁IlOb的斜率(S12)，并且第四側(cè)壁120b的斜率(S22)可以實質(zhì)上等于第一側(cè)壁IlOa的斜率(Sll)。此外，第一鰭中心線(FACl)與第一側(cè)壁IlOa之間的寬度(Wll)可實質(zhì)上等于第二鰭中心線(FAC2)與第四側(cè)壁120b之間的寬度(W22)，并且第一鰭中心線(FACl)與第二側(cè)壁IlOb之間的寬度(W12)可實質(zhì)上等于第二鰭中心線(FAC2)與第三側(cè)壁120a之間的寬度(W21)。
[0117]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。圖7是沿著圖6的線B-B’截取的截面圖。為了便于說明，將著重于上文討論的實施例與圖6和圖7所示的實施例之間的區(qū)別來描述圖6和圖7所示的根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件。圖7示出了除第一柵電極之外的鰭形圖案和場絕緣薄膜。
[0118]參照圖6和圖7，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件3還可包括第三鰭形圖案130。第三鰭形圖案130可形成在第二鰭形圖案120與第一深溝槽(DTl)之間。
[0119]第三鰭形圖案130可形成在襯底100的第一有源區(qū)(ACTl)中。第三鰭形圖案130可在第一方向(X)上延伸。場絕緣薄膜105可與第三鰭形圖案130的一部分接觸。
[0120]第三鰭形圖案130可由具有第一深度的第一淺溝槽(Tl)限定。第一淺溝槽(Tl)布置在第二鰭形圖案120與第三鰭形圖案130之間以使第二鰭形圖案120與第三鰭形圖案130分離。第一淺溝槽(Tl)可布置在第三鰭形圖案130的兩側(cè)。
[0121]第三鰭形圖案130可包括彼此相對的第五側(cè)壁130a和第六側(cè)壁130b。第三鰭形圖案130可包括上部132和下部131。此外，第三鰭形圖案130可包括第三鰭形圖案130的上部132與第三鰭形圖案130的下部131之間的第三邊界133。
[0122]在第三鰭形圖案130中，其下部131可以接觸場絕緣薄膜105，并且其上部132可以不接觸場絕緣薄膜105。
[0123]此外，第三鰭形圖案130可包括第三鰭中心線(FAC3)，其垂直于第三邊界133并與第三鰭形圖案130的頂部交會。換言之，第三鰭中心線(FAC3)可與第三鰭形圖案130的上部132的頂部交會。
[0124]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件3中，第三鰭形圖案130的第五側(cè)壁130a與第六側(cè)壁130b可以相對于第三鰭中心線(FAC3)不對稱。例如，第三鰭形圖案130的上部132的第五側(cè)壁130a與第三鰭形圖案130的上部132的第六側(cè)壁130b可以相對于第三鰭中心線(FAC3)不對稱。
[0125]此外，可以在第二鰭中心線(FAC2)與第三鰭中心線(FAC3)之間定義與第二鰭中心線(FAC2)和第三鰭中心線(FAC3)相距相同距離的第二場中心線(F0C2)。
[0126]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件3中，第二鰭形圖案120和第三鰭形圖案130可以相對于第二場中心線(F0C2)對稱。第二鰭形圖案120的第四側(cè)壁120b和第三鰭形圖案130的第五側(cè)壁130a可以相對于第二場中心線(F0C2)對稱，并且第二鰭形圖案120的第三側(cè)壁120a和第三鰭形圖案130的第六側(cè)壁130b可以相對于第二場中心線(F0C2)對稱。
[0127]現(xiàn)在參照圖8，將對示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的示圖進行討論。為了便于說明，將著重于上文討論的實施例與圖8所示的實施例之間的區(qū)別來描述根據(jù)圖8所示的實施例的半導(dǎo)體器件。
[0128]現(xiàn)在參照圖8，在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件4中，第三鰭形圖案130可以相對于第三鰭中心線(FAC3)對稱。
[0129]具體地，第三鰭形圖案130的第五側(cè)壁130a與第三鰭形圖案130的第六側(cè)壁130b可以相對于第三鰭中心線(FAC3)彼此對稱。因此，第二鰭形圖案120和第三鰭形圖案130可以彼此不對稱。
[0130]與圖8中示出的不同，可以將相對于第三鰭中心線(FAC3)對稱的第三鰭形圖案130形成在不是第一有源區(qū)(ACT1)的另一個有源區(qū)中。
[0131]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的示圖。為了便于說明，將著重于上文討論的實施例與圖9所示的實施例之間的區(qū)別來描述圖9所示的半導(dǎo)體器件。
[0132]參照圖9，在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件5中，第三鰭形圖案130可布置在第一鰭形圖案110與第二鰭形圖案120之間。第三鰭形圖案130可相對于第三鰭中心線(FAC3)對稱。
[0133]此外，位于第一鰭中心線(FACl)與第二鰭中心線(FAC2)之間與第一鰭中心線(FACl)和第二鰭中心線(FAC2)相距相同距離的第一場中心線(FOCl)可被限定在第三鰭形圖案130中。
[0134]在圖9中，已經(jīng)將第三鰭形圖案130的第三鰭中心線(FAC3)和第一場中心線(FOCl)示為限定在相同位置;然而，本發(fā)明構(gòu)思的各實施例不限于這種配置。
[0135]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件。圖11是沿著圖10的線B-B’截取的截面圖。為了便于說明，將著重于上文討論的實施例與圖10所示的實施例之間的區(qū)別來討論圖10所示的半導(dǎo)體器件。圖11示出了除第一柵電極之外的第一鰭圖案和場絕緣薄膜。
[0136]參照圖10和圖11，在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件6中，第一鰭形圖案110可形成在第一有源區(qū)(ACTl)中，第二鰭形圖案120可形成在第二有源區(qū)(ACT2)中。
[0137]第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案120中的每一個可由具有第一深度的第一淺溝槽(Tl)限定。
[0138]然而，第一有源區(qū)(ACTl)和第二有源區(qū)(ACT2)可由具有第二深度的第一深溝槽(DTl)以及具有第三深度的第二深溝槽(DT2)限定。第一有源區(qū)(ACTl)和第二有源區(qū)(ACT2)可通過具有第三深度的第二深溝槽(DT2)分離。
[0139]換言之，具有第三深度的第二深溝槽(DT2)位于第一鰭形圖案110的第二側(cè)壁IlOb與第二鰭形圖案120的第三側(cè)壁120a之間。具有第二深度的第一深溝槽(DTl)形成為鄰近于第一鰭形圖案110的第一側(cè)壁IlOa和第二鰭形圖案120的第四側(cè)壁120b。
[0140]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件6中，第一深溝槽(DTl)的第二深度可等于或大于第二深溝槽(DT2)的第三深度。
[0141]由于第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案120的負(fù)載效應(yīng)，導(dǎo)致第二深溝槽(DT2)的第三深度可小于第一深溝槽(DTl)的第二深度。
[0142]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件6中，第一鰭形圖案110的第一側(cè)壁110a與第二側(cè)壁IlOb可以相對于第一鰭中心線(FACl)不對稱，第二鰭形圖案120的第三側(cè)壁120a與第四側(cè)壁120b可以相對于第二鰭中心線(FAC2)不對稱。
[0143]如圖11所示，已經(jīng)將第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案120示為相對于第二深溝槽(DT2)對稱，但是這僅僅是為了便于說明，而不是限制于此。
[0144]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。圖13是沿著圖12的線C-C’截取的截面圖。為了便于說明，將著重于上文討論的實施例與圖12所示的實施例之間的區(qū)別來描述圖12所示的半導(dǎo)體器件。圖13示出了除第一柵電極和第二柵電極之外的鰭形圖案和場絕緣薄膜。
[0145]參照圖12和圖13，可利用第一深溝槽(DTl)來限定彼此間隔開的第一有源區(qū)(ACT1)和第三有源區(qū)(ACT3)。
[0146]第一鰭形圖案110可形成在襯底100的第一有源區(qū)(ACTl)中，并且第四鰭形圖案140和第五鰭形圖案150可形成在襯底100的第三有源區(qū)(ACT3)中。第四鰭形圖案140和第五鰭形圖案150可彼此直接相鄰。
[0147]第一鰭形圖案110可由具有小于第一深溝槽(DTl)深度的第一深度的第一淺溝槽(Tl)限定。
[0148]第四鰭形圖案140和第五鰭形圖案150可由具有小于第一深溝槽(DTl)深度的第四深度的第二淺溝槽(T2)限定。第二淺溝槽(T2)布置在第四鰭形圖案140與第五鰭形圖案150之間以使第四鰭形圖案140與第五鰭形圖案150分離。
[0149]場絕緣薄膜105可形成為至少填充第一淺溝槽(Tl)的一部分、第二淺溝槽(T2)的一部分以及第一深溝槽(DTl)的一部分。
[0150]第一柵電極210可在第二方向(Y)上延伸以與第一鰭形圖案110交叉，第二柵電極220可在第二方向(Y)上延伸以與第四鰭形圖案140和第五鰭形圖案150交叉。
[0151]第二柵電極220的描述與第一柵電極210的描述實質(zhì)上相同。因此，為簡明起見將省略第二柵電極220的描述。
[0152]與圖12中示出的不同，可以將第一柵電極210和第二柵電極220彼此連接。
[0153]第四鰭形圖案140可包括彼此相對的第七側(cè)壁140a和第八側(cè)壁140b。第四鰭形圖案140可包括不接觸場絕緣薄膜105的上部142以及接觸場絕緣薄膜105的下部141。第四鰭形圖案140可包括第四鰭形圖案140的上部142與第四鰭形圖案140的下部141之間的第四邊界143。此外，第四鰭形圖案140可包括第四鰭中心線(FAC4)，其垂直于第四邊界143并與第四鰭形圖案140的頂部交會。
[0154]第五鰭形圖案150可包括彼此相對的第九側(cè)壁150a和第十側(cè)壁150b。第五鰭形圖案150可包括不接觸場絕緣薄膜105的上部152以及接觸場絕緣薄膜105的下部151。第五鰭形圖案150可包括第五鰭形圖案150的上部152與第五鰭形圖案150的下部151之間的第五邊界153。此外，第五鰭形圖案150可包括第五鰭中心線(FAC5)，其垂直于第五邊界153并與第五鰭形圖案150的頂部交會。
[0155]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件7中，第四鰭形圖案140的第七側(cè)壁140a與第八側(cè)壁140b可以相對于第四鰭中心線(FAC4)不對稱，并且第五鰭形圖案150的第九側(cè)壁150a與第十側(cè)壁150b可以相對于第五鰭中心線(FAC5)不對稱。
[0156]例如，第四鰭形圖案140的上部142的第七側(cè)壁140a與第四鰭形圖案140的上部142的第八側(cè)壁140b可以相對于第四鰭中心線(FAC4)不對稱，并且第五鰭形圖案150的上部152的第九側(cè)壁150a與第五鰭形圖案150的上部152的第十側(cè)壁150b可以相對于第五鰭中心線(FAC5)不對稱。
[0157]此外，可以在第四鰭中心線(FAC4)與第五鰭中心線(FAC5)之間定義與第四鰭中心線(FAC4)和第五鰭中心線(FAC5)相距相同距離的第三場中心線(F0C3)。
[0158]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件7中，第四鰭形圖案140和第五鰭形圖案150可以相對于第三場中心線(F0C3)對稱。第四鰭形圖案140的第八側(cè)壁140b與第五鰭形圖案150的第九側(cè)壁150a可以相對于第三場中心線(F0C3)對稱，并且第四鰭形圖案140的第七側(cè)壁140a與第五鰭形圖案150的第十側(cè)壁150b可以相對于第三場中心線(F0C3)對稱。
[0159]圖14是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。為了便于說明，將著重于上文討論的實施例與圖14所示的實施例之間的區(qū)別來描述圖14所示的半導(dǎo)體器件。在沿著圖14的線C-C’截取的截面圖中，第三有源區(qū)(ACT3)可以類似于圖7至圖9的有源區(qū)中的任意一個。
[0160]參照圖14，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件8還可包括形成在襯底100的第三有源區(qū)(ACT3)中的第六鰭形圖案160。
[0161]第六鰭形圖案160可在第一方向(X)上延伸。第四鰭形圖案140、第五鰭形圖案150和第六鰭形圖案160可順序地形成在第二方向(Y)上。
[0162]與第四鰭形圖案140和第五鰭形圖案150類似，第六鰭形圖案160可以不對稱；然而，本發(fā)明構(gòu)思的各實施例不限于此。與圖8中的第三鰭形圖案130類似，第六鰭形圖案160也可以對稱。
[0163]與圖14中示出的不同的是，第六鰭形圖案160也可布置在第四鰭形圖案140與第五鰭形圖案150之間。
[0164]圖15是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。為了便于說明，將著重于上文討論的實施例與圖15所示的實施例之間的區(qū)別來描述圖15所示的半導(dǎo)體器件。在沿著圖15的線C-C’截取的截面圖中，第一有源區(qū)(ACTl)可以類似于圖7至圖9的有源區(qū)中的任意一個。
[0165]參照圖15，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件9還可包括形成在襯底100的第一有源區(qū)(ACTl)中的第二鰭形圖案120和第三鰭形圖案130。第二鰭形圖案120可與第一鰭形圖案110直接相鄰。
[0166]第二鰭形圖案120可相對于第二鰭中心線(FAC2)不對稱。換言之，第二鰭形圖案120的第三側(cè)壁120a與第四側(cè)壁120b可以相對于第二鰭中心線(FAC2)不對稱。
[0167]此外，第一鰭形圖案110和第二鰭形圖案120可以相對于第一場中心線(FOCl)對稱。
[0168]當(dāng)沿著圖15的線C-C’截取的截面圖與圖7相同時，第三鰭形圖案130可以相對于第三鰭中心線(FAC3)不對稱。
[0169]與此不同的是，當(dāng)沿著圖15的線C-C’截取的截面圖與圖8相同時，第三鰭形圖案130可以相對于第三鰭中心線(FAC3)對稱。
[0170]現(xiàn)在參照圖16，將對示出包括有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的存儲卡的框圖進行討論。如圖16所示，包括有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的存儲器1210可用于存儲卡1200中。存儲卡1200還可包括用于控制主機1230與存儲器1210之間的數(shù)據(jù)交換的存儲器控制器1220 ARAM 1221可用作中央處理單元(CPU)1222的操作存儲器。主機接口 1223可包括用于通過連接主機1230與存儲卡1200而進行數(shù)據(jù)交換的協(xié)議。糾錯碼1224用于檢測和校正從存儲器1210讀取的錯誤。存儲器接口 1225用于與存儲器1210連接。中央處理單元(CPU) 1222用于執(zhí)行與存儲器控制器1220的數(shù)據(jù)交換相關(guān)聯(lián)的總體控制操作。
[0171]現(xiàn)在參照圖17，將對包括有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的信息處理系統(tǒng)的框圖進行討論。如圖17所示，信息處理系統(tǒng)1300還可包括含有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的存儲器系統(tǒng)1310。信息處理系統(tǒng)1300可包括存儲器系統(tǒng)1310、調(diào)制解調(diào)器1320、中央處理單元(CPU)1330、RAM 1340以及用戶接口 1350，其中的每一個電連接至系統(tǒng)總線1360。存儲器系統(tǒng)1310可包括存儲器1311和存儲器控制器1312，并且可具有與圖16所示的存儲卡實質(zhì)上相同的配置。由中央處理單元(CPUH330處理的數(shù)據(jù)或從外部裝置接收的數(shù)據(jù)可存儲在存儲器系統(tǒng)1310中。信息處理系統(tǒng)1300可應(yīng)用于存儲卡、SSD、攝像頭圖像傳感器以及其他各種芯片組。例如，存儲器系統(tǒng)1310可配置為使用SSD，并且這種情況下，信息處理系統(tǒng)1300可以穩(wěn)定可靠地處理大量數(shù)據(jù)。
[0172]現(xiàn)在參照圖18，將對包括有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件的電子裝置的框圖進行討論。如圖18所示，電子裝置1400可包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件。電子裝置1400可用于無線通信設(shè)備(例如，PDA、筆記本計算機、便攜計算機、上網(wǎng)平板、無線電話和無線數(shù)字音樂播放器)或者用于在無線通信環(huán)境中進行信息通信的各種設(shè)備中。
[0173]電子裝置1400可包括控制器1410、輸入/輸出(I/O)單元1420、存儲器1430以及無線接口 1440。在這些實施例中，存儲器1430可包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例的半導(dǎo)體器件?？刂破?410可包括微處理器、數(shù)字信號處理器或與其類似的處理器。存儲器1430可用于存儲由控制器1410處理的命令(或用戶數(shù)據(jù))。無線接口 1440可用于通過無線數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)進行數(shù)據(jù)通信。無線接口 1440可包括天線和/或無線收發(fā)機。電子裝置1400可以使用第三代通信系統(tǒng)協(xié)議，例如 CDMA、GSM、NADC、E-TDMA、WCDMA 和 CDMA2000。
[0174]雖然已經(jīng)參照其示例性實施例具體呈現(xiàn)并描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會理解，在不背離如隨附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的前提下，能夠在形式和細(xì)節(jié)上進行各種改變。因此，期望將這些實施例在各方面視為示意性的而非限制性的，參照所附權(quán)利要求而不是上面的描述來表明本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 第一鰭形圖案，其包括彼此相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁；以及 場絕緣薄膜，其與所述第一鰭形圖案的至少一部分接觸， 其中，所述第一鰭形圖案包括: 與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案的下部； 不與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案的上部； 第一邊界，其位于所述第一鰭形圖案的下部與所述第一鰭形圖案的上部之間；以及 第一鰭中心線，其垂直于所述第一邊界且與所述第一鰭形圖案的上部的頂部交會;并且 其中，所述第一鰭形圖案的上部的第一側(cè)壁與所述第一鰭形圖案的上部的第二側(cè)壁相對于所述第一鰭中心線不對稱。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件: 其中，在與所述第一邊界相距第一距離的所述第一鰭形圖案的上部中，所述第一側(cè)壁的斜率被定義為第一斜率，所述第二側(cè)壁的斜率被定義為第二斜率，所述第一鰭中心線與所述第一側(cè)壁之間的寬度被定義為第一寬度，并且所述第一鰭中心線與所述第二側(cè)壁之間的寬度被定義為第二寬度;并且 其中，所述第一斜率與所述第二斜率彼此不同，或者所述第一寬度與所述第二寬度彼此不同。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件: 其中，所述第一側(cè)壁包括第一拐點，并且所述第二側(cè)壁包括第二拐點;并且其中，從所述第一邊界到所述第一拐點的距離不同于從所述第一邊界到所述第二拐點的距離。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一拐點和所述第二拐點位于所述場絕緣薄膜的上表面的上方。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 第二鰭形圖案，其包括彼此相對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁，并且與所述第一鰭形圖案直接相鄰； 第一溝槽，其位于所述第一鰭形圖案的第二側(cè)壁與所述第二鰭形圖案的第三側(cè)壁之間，所述第二側(cè)壁與所述第三側(cè)壁彼此面對;以及 第二溝槽，其鄰近于所述第一鰭形圖案的第一側(cè)壁以及所述第二鰭形圖案的第四側(cè)壁， 其中，所述場絕緣薄膜填充所述第一溝槽的至少一部分以及所述第二溝槽的至少一部分； 其中，所述第二鰭形圖案包括: 與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的下部； 不與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的上部； 第二邊界，其位于所述第二鰭形圖案的下部與所述第二鰭形圖案的上部之間；以及 第二鰭中心線，其垂直于所述第二邊界且與所述第二鰭形圖案的上部的頂部交會，并且 其中，所述第二鰭形圖案的上部的第三側(cè)壁與所述第二鰭形圖案的上部的第四側(cè)壁相對于所述第二鰭中心線不對稱。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件: 其中，所述第一溝槽限定所述第一鰭形圖案和所述第二鰭形圖案； 其中，所述第一溝槽的第一深度小于所述第二溝槽的第二深度； 其中，在所述第一鰭中心線與所述第二鰭中心線之間定義了與所述第一鰭中心線和所述第二鰭中心線相距相同距離的場中心線;并且 其中，所述第一鰭形圖案的上部的第二側(cè)壁與所述第二鰭形圖案的上部的第三側(cè)壁相對于所述場中心線對稱。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件: 其中，所述第一溝槽位于所述第二鰭形圖案的兩側(cè)； 其中，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述第二鰭形圖案與所述第二溝槽之間的第三鰭形圖案，其由所述第一溝槽限定并包括彼此相對的第五側(cè)壁和第六側(cè)壁； 其中，所述第三鰭形圖案包括: 與所述場絕緣薄膜接觸的第三鰭形圖案的下部； 不與所述場絕緣薄膜接觸的第三鰭形圖案的上部； 第三邊界，其位于所述第三鰭形圖案的下部與所述第三鰭形圖案的上部之間；以及 第三鰭中心線，其垂直于所述第三邊界且與所述第三鰭形圖案的上部的頂部交會;并且 其中，所述第三鰭形圖案的上部的第五側(cè)壁與所述第三鰭形圖案的上部的第六側(cè)壁相對于所述第三鰭中心線不對稱。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件: 其中，所述第一溝槽的第一深度等于或小于所述第二溝槽的第二深度;并且 其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽限定有源區(qū)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 第二鰭形圖案，其包括彼此相對的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁， 其中所述第二鰭形圖案包括: 與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的下部； 不與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的上部； 第二邊界，其位于所述第二鰭形圖案的下部與所述第二鰭形圖案的上部之間；以及 第二鰭中心線，其垂直于所述第二邊界且與所述第二鰭形圖案的上部的頂部交會;并且 其中，所述第二鰭形圖案的第三側(cè)壁與所述第二鰭形圖案的第四側(cè)壁相對于所述第二鰭中心線對稱。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括與所述第一鰭形圖案交叉的柵電極。11.一種半導(dǎo)體器件，包括: 第一溝槽，其具有第一深度并且限定第一鰭形圖案； 位于所述第一鰭形圖案兩側(cè)的第二溝槽，其具有大于所述第一深度的第二深度；以及 場絕緣薄膜，其填充所述第一溝槽的至少一部分和所述第二溝槽的至少一部分， 其中，所述第一鰭形圖案包括: 與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案的下部； 不與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案的上部； 第一邊界，其位于所述第一鰭形圖案的下部與所述第一鰭形圖案的上部之間；以及 第一鰭中心線，其垂直于所述第一邊界且與所述第一鰭形圖案的上部的頂部交會;并且 其中，所述第一鰭形圖案的第一側(cè)壁與所述第一鰭形圖案的第二側(cè)壁相對于所述第一鰭中心線不對稱。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件: 其中，在與所述第一邊界相距第一距離的第一鰭形圖案中，所述第一側(cè)壁的斜率被定義為第一斜率，所述第二側(cè)壁的斜率被定義為第二斜率，所述第一鰭中心線與所述第一側(cè)壁之間的寬度被定義為第一寬度，并且所述第一鰭中心線與所述第二側(cè)壁之間的寬度被定義為第二寬度;并且 其中，所述第一斜率與所述第二斜率彼此不同，或者所述第一寬度與所述第二寬度彼此不同。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 第二鰭形圖案，其由所述第一溝槽限定并且位于所述第一鰭形圖案與所述第二溝槽之間， 其中，所述第二鰭形圖案包括: 與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的下部； 不與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的上部； 第二邊界，其位于所述第二鰭形圖案的下部與所述第二鰭形圖案的上部之間；以及 第二鰭中心線，其垂直于所述第二邊界且與所述第二鰭形圖案的上部的頂部交會;并且 其中，所述第二鰭形圖案的第三側(cè)壁與所述第二鰭形圖案的第四側(cè)壁相對于所述第二鰭中心線不對稱。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件: 其中，所述第一鰭形圖案的第二側(cè)壁與所述第二鰭形圖案的第三側(cè)壁彼此面對并且所述場絕緣薄膜位于其間， 其中，在所述第一鰭中心線與所述第二鰭中心線之間定義了與所述第一鰭中心線和所述第二鰭中心線相距相同距離的場中心線;并且 其中，所述第一鰭形圖案的第二側(cè)壁與所述第二鰭形圖案的第三側(cè)壁相對于所述場中心線對稱。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，還包括位于所述第一鰭形圖案與所述第二鰭形圖案之間的由所述第一溝槽限定的第三鰭形圖案。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二溝槽限定有源區(qū)。17.一種半導(dǎo)體器件，包括: 第一溝槽，其具有第一深度并且限定彼此間隔開的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)； 第二溝槽，其具有小于所述第一深度的第二深度，并且在所述第一有源區(qū)中限定第一魚耆形圖案； 第三溝槽，其具有小于所述第一深度的第三深度，并且在所述第二有源區(qū)中限定第二鰭形圖案和第三鰭形圖案；以及 場絕緣薄膜，其填充所述第一溝槽的至少一部分、所述第二溝槽的至少一部分以及所述第三溝槽的至少一部分， 其中，所述第一鰭形圖案包括: 與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案的下部； 不與所述場絕緣薄膜接觸的第一鰭形圖案的上部； 第一邊界，其位于所述第一鰭形圖案的下部與所述第一鰭形圖案的上部之間；以及 第一鰭中心線，其垂直于所述第一邊界且與所述第一鰭形圖案的上部的頂部交會； 其中，所述第二鰭形圖案包括: 與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的下部； 不與所述場絕緣薄膜接觸的第二鰭形圖案的上部； 第二邊界，其位于所述第二鰭形圖案的下部與所述第二鰭形圖案的上部之間；以及 第二鰭中心線，其垂直于所述第二邊界且與所述第二鰭形圖案的上部的頂部交會； 其中，所述第一鰭形圖案的第一側(cè)壁與所述第一鰭形圖案的第二側(cè)壁相對于所述第一鰭中心線不對稱;并且 其中，所述第二鰭形圖案的第三側(cè)壁與所述第二鰭形圖案的第四側(cè)壁相對于所述第二鰭中心線不對稱。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三鰭形圖案包括: 與所述場絕緣薄膜接觸的第三鰭形圖案的下部； 不與所述場絕緣薄膜接觸的第三鰭形圖案的上部； 第三邊界，其位于所述第三鰭形圖案的下部與所述第三鰭形圖案的上部之間；以及 第三鰭中心線，其垂直于所述第三邊界且與所述第三鰭形圖案的上部的頂部交會;并且 所述第三鰭形圖案的第五側(cè)壁與所述第三鰭形圖案的第六側(cè)壁相對于所述第三鰭中心線不對稱。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件: 其中，所述第二鰭形圖案和所述第三鰭形圖案彼此直接相鄰， 其中，所述第二鰭形圖案的第四側(cè)壁與所述第三鰭形圖案的第五側(cè)壁彼此面對并且所述場絕緣薄膜位于其間； 其中，在所述第二鰭中心線與所述第三鰭中心線之間定義了與所述第二鰭中心線和所述第三鰭中心線相距相同距離的場中心線;并且 其中，所述第二鰭形圖案的第四側(cè)壁與所述第三鰭形圖案的第五側(cè)壁相對于所述場中心線對稱。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，還包括由所述第二溝槽限定的第四鰭形圖案和第五鰭形圖案， 其中，所述第四鰭形圖案包括第四鰭中心線;并且 其中，所述第四鰭形圖案關(guān)于所述第四鰭中心線不對稱。
【文檔編號】H01L29/78GK105826384SQ201610028951
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年1月15日
【發(fā)明人】劉庭均, 樸世玩, 成百民, 鄭寶哲
【申請人】三星電子株式會社