發(fā)光裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置，具有一第一最外側(cè)壁且包含一發(fā)光二極管以及一電極。發(fā)光二極管具有一電極墊及一側(cè)表面。電極具有一區(qū)塊形成電極墊上且延伸超出側(cè)表面，及一第一突出部自區(qū)塊延伸至第一最外側(cè)壁。
【專利說(shuō)明】
發(fā)光裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，尤其是涉及一種發(fā)光裝置，其包含一具有突出部的電極。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管具有耗能低、壽命長(zhǎng)、體積小、反應(yīng)速度快以及光學(xué)輸出穩(wěn)定等特性。因此，發(fā)光二極管漸漸地使用于各種應(yīng)用中。然而，如何制造一具有良好品質(zhì)以及競(jìng)爭(zhēng)性價(jià)格的發(fā)光二極管或發(fā)光裝置，仍是發(fā)展的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖，說(shuō)明如下。
[0004]—種發(fā)光裝置具有一第一最外側(cè)壁且包含一發(fā)光二極管以及一電極。發(fā)光二極管具有一電極墊及一側(cè)表面。電極具有一區(qū)塊形成電極墊上且延伸超出側(cè)表面，及一第一突出部自區(qū)塊延伸至第一最外側(cè)壁。
【附圖說(shuō)明】
[0005]圖1A為本發(fā)明一實(shí)施例中一發(fā)光裝置的立體示意圖；
[000?]圖1B為圖1A中一發(fā)光裝置的下視不意圖；
[0007]圖1C為圖1A中一發(fā)光裝置的下視不意圖；
[0008]圖1D為圖1B1-1線段的剖面示意圖；
[0009]圖1E為圖1BI1-1I線段的剖面示意圖；
[0010]圖1F為圖1DA區(qū)的放大圖；
[0011]圖1G為圖1EB區(qū)的放大圖；
[0012]圖1H為圖1BII1-1II線段的剖面示意圖；
[0013]圖2A?圖2J為本發(fā)明一實(shí)施例中一發(fā)光裝置的制造流程剖面示意圖；
[0014]圖3A?圖3J分別為圖2A?圖2J的上視示意圖；
[0015]圖3K為切割步驟的上視不意圖；
[0016]圖3L為經(jīng)過(guò)切割步驟所形成的一發(fā)光裝置的上視示意圖；
[0017]圖4A、圖5A、圖6A、及圖7A為金屬疊層具有不同圖案的上視示意圖；
[0018]圖4B、圖5B、圖6B、及圖7B分別為本發(fā)明一實(shí)施例中一發(fā)光裝置的上視示意圖；
[0019]圖8A為一側(cè)投式背光通過(guò)的剖面示意圖；
[°02°]圖8B為圖8A中發(fā)光源及導(dǎo)光板的立體不意圖。
[0021]符號(hào)說(shuō)明
[0022]100、200、300、400、500、600 發(fā)光裝置
[0023]101 ?104 側(cè)壁
[0024]11發(fā)光二極管
[0025]HO圖案化基板
[0026]1101、1102 側(cè)表面
[0027]IllAailB 發(fā)光主體
[0028]1110 孔洞
[0029]1111第一型半導(dǎo)體層
[0030]1112 活性層
[0031]1113第二型半導(dǎo)體層
[0032]1114第一絕緣層
[0033]1115第二絕緣層
[0034]1116 導(dǎo)電層
[0035]1117第三絕緣層
[0036]1118第一電極墊
[0037]1119第二電極墊
[0038]1161 第一區(qū)域
[0039]1162 第二區(qū)域
[0040]1163第三區(qū)域[0041 ]12波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)
[0042]13光穿透結(jié)構(gòu)
[0043]141 第一電極
[0044]141U1421 主區(qū)塊
[0045]1411A?D、1421A?D 偵J
[0046]1411CU1421C1 第一角落
[0047]1411C2、1421C2 第二角落
[0048]1412A?E、1422A?E 突出部
[0049]142 第二電極
[0050]15絕緣結(jié)構(gòu)[0051 ]161晶種層
[0052]161殘留晶種層
[0053]1611 第一區(qū)
[0054]1612 第二區(qū)
[0055]17光致抗蝕劑層
[0056]171 第一區(qū)
[0057]172 第二區(qū)
[0058]18金屬疊層
[0059]181第一金屬層
[0060]182第二金屬層[0061 ]183第三金屬層
[0062]184 第一部
[0063]185 第二部
[0064]19反射壁
[0065]900背光通過(guò)
[0066]901發(fā)光源
[0067]902導(dǎo)光板
[0068]903擴(kuò)散板
[0069]904反射結(jié)構(gòu)
【具體實(shí)施方式】
[0070]以下實(shí)施例將伴隨著【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的概念，在附圖或說(shuō)明中，相似或相同的部分是使用相同的標(biāo)號(hào)，并且在附圖中，元件的形狀或厚度可擴(kuò)大或縮小。
[0071]圖1A顯示本發(fā)明一實(shí)施例中一發(fā)光裝置的立體示意圖。圖1B顯示圖1A中一發(fā)光裝置的下視示意圖。圖1C顯示圖1A中一發(fā)光裝置的下視示意圖。圖1D顯示圖1B1-1線段的剖面示意圖。圖1E顯示圖1BI1-1I線段的剖面示意圖。圖1F顯示圖1D的A區(qū)的放大圖。圖1G顯示圖1E的B區(qū)的放大圖。圖1H顯示圖1B的II1-1II線段的剖面示意圖。為清楚表示，圖1B僅顯示部分層且每一層皆以實(shí)線繪制(然，導(dǎo)電層1116以虛線表示，說(shuō)明詳述如后)而不論其材料為非透明、透明或半透明。
[0072]如圖1A及圖1B所示，發(fā)光裝置100包括發(fā)光二極管11、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12包覆發(fā)光二極管11、一第一電極141、一第二電極142、一絕緣結(jié)構(gòu)15、及一反射壁19。第一電極141及第二電極142是通過(guò)表面粘著技術(shù)與外部電路(圖未示)電連接。
[0073]如圖1A及圖1C所示，發(fā)光裝置100實(shí)質(zhì)上為一長(zhǎng)方體且具有四個(gè)最外側(cè)壁101?104。第一電極141及第二電極142分別具有一主區(qū)塊1411、1421及多個(gè)突出部1412、1422。在一實(shí)施例中，電極141具有三個(gè)突出部1412六、14128、1412(:。電極142具有三個(gè)突出部1422八、1422B、1422C。如圖1C所示，主區(qū)塊1411、1412位于最外側(cè)壁101?104之內(nèi)且分別具有四側(cè)14114?0、142認(rèn)?0。側(cè)14114、14118、1411(:分別與最外側(cè)壁101、102、104相距一約10?150μπι距離。側(cè)1421六、14218、1421(:分別與最外側(cè)壁103、102、104相距一約10?15(^111距離。
[0074]突出部1412Α從主區(qū)塊1411之側(cè)1411Α沿著X軸(-X方向)向外延伸至最外側(cè)壁101。突出部1412B、1412C從主區(qū)塊1411沿著Y軸(+Y方向和-Y方向)往相反方向延伸。具體而言，突出部1412B從主區(qū)塊1411之側(cè)1411B延伸至最外側(cè)壁102。突出部1412C從主區(qū)塊1411之側(cè)1411(:延伸至最外側(cè)壁104。再者，突出部14124具有一寬度(胃1)為側(cè)14114長(zhǎng)度(1^1)的0.15?I倍。突出部1412B具有一寬度(W2)為側(cè)1411B長(zhǎng)度(L2)的0.15?1倍。突出部1412(:具有一寬度(胃3)為側(cè)1411(:長(zhǎng)度(1^)的0.15?1倍
[0075]突出部1422A從主區(qū)塊1421之側(cè)1421A沿著X軸(+X方向)延伸至最外側(cè)壁103。突出部1422B、1422C從主區(qū)塊1421沿著Y軸(+Y方向和-Y方向)往相反方向延伸。具體而言，突出部1422B從主區(qū)塊1421之側(cè)1421B延伸至最外側(cè)壁102。突出部1422C從主區(qū)塊1421之側(cè)1421(:延伸至最外側(cè)壁104。突出部14224具有一寬度(胃4)為側(cè)142^長(zhǎng)度仏4)的0.15?1倍。突出部1422B分別具有一寬度(W5)為側(cè)1421B長(zhǎng)度(L5)的0.15?1倍。突出部1422(:分別具有一寬度(W6)為側(cè)1421C長(zhǎng)度(L6)的0.15?1倍。突出部14124、14224往相反方向延伸(4方向和+X方向)。突出部1412B、1422B彼此互相平行。突出部1412C、1422C彼此互相平行。突出部用以作為電鍍制作工藝中的導(dǎo)電路徑。為了形成導(dǎo)電路徑，每一電極具有至少兩突出部(詳述如后)
[0076]如圖1C所示，第一電極141和第二電極142配置成將發(fā)光裝置的底面區(qū)分成五個(gè)區(qū)域(I?V)，且沒(méi)有任何電極位于此五個(gè)區(qū)域中(詳述如后)。
[0077]如圖1A、圖1B、圖1D及圖1E所示，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12實(shí)質(zhì)上為一長(zhǎng)方體且具有四個(gè)側(cè)表面123?126。反射壁19僅覆蓋側(cè)表面123、125而并未覆蓋側(cè)表面124、126。反射壁19配置以反射發(fā)光結(jié)構(gòu)11所發(fā)出的光而離開發(fā)光裝置100。
[0078]如圖1C、圖1D、及圖1H所示，突出部1412B、1412C(1422B、1422C)形成于反射壁19上且于Z方向上與反射壁19重疊。此外，突出部1412B、1412C(1422B、1422C)具有一部分于Z方向上與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12重疊。突出部1412A(1422A)于Z方向上與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12重疊而未與反射壁19重疊。
[0079]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12包含一第一基質(zhì)與多個(gè)散布在第一基質(zhì)內(nèi)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子吸收發(fā)光二極管所發(fā)出的第一光線并轉(zhuǎn)換成峰值波長(zhǎng)(peak wavelength)或主波長(zhǎng)(dominant wavelength)不同于第一光線的第二光線。基質(zhì)包含有娃基底的基質(zhì)材料、環(huán)氧樹脂基底的基質(zhì)材料、或前述兩者?；|(zhì)的折射率(η)介于約1.4?1.6或者1.5?1.6之間。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子包含一種或者多種無(wú)機(jī)的焚光粉(inorganicphosphor)、有機(jī)分子焚光色素(organic fluorescent colorant)、半導(dǎo)體材料(semiconductor)、或上述材料的組合。無(wú)機(jī)的熒光粉包含了黃綠色熒光粉、紅色熒光粉或藍(lán)色熒光粉。黃綠色熒光粉包含了 YAG、TAG，硅酸鹽，釩酸鹽，堿土金屬砸化物，或金屬氮化物。紅色熒光粉包括氟化物(例如K2TiF6:Mn4+SK2SiF6: Mn4+)、硅酸鹽、釩酸鹽、堿土金屬硫化物、金屬氮氧化物、鎢酸鹽和鉬酸鹽的混合物。藍(lán)色焚光粉包括BaMgAl ιο0?7: Eu2+。半導(dǎo)體材料包含量子點(diǎn)發(fā)光材料，其可選自一由硫化鋅(ZnS)、砸化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鎘(CdS)、砸化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砸化鎵(GaSe)、銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)、磷化鋁(AlP)、砷化鋁(AlAs)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、砸化鉛(PbSe)、碲化銻(SbTe)、硫化鋅鎘砸(ZnCdSeS)、硫化銅銦(CuInS)、CsPbCl3、CsPbBr3、及CsPbI3所組成的群組。
[0080]第一光線可以跟第二光線混合以成為白光或者非白光。在本實(shí)施例中，白光在(^1931色度圖中具有一色點(diǎn)座標(biāo)(1、7)，其中，0.27$叉$0.285;0.23$7$0.26。在一實(shí)施例中，白光具有一色溫介于約2200?6500K(例如2200K、2400K、2700K、3000K、5000K、5700K、6500Κ)且在CIE1931色度圖中具有一色點(diǎn)座標(biāo)(x、y)位于7階麥克亞當(dāng)橢圓(seven-stepMacAdam ellipse)內(nèi)。非白光可以是紫光、琥?白光(amber light)、綠光或者黃光。
[0081]反射壁19通過(guò)固化一白漆(whitepaint)所形成。白漆包含一第二基質(zhì)與多個(gè)散布在基質(zhì)中的反射粒子(圖未示)。第二基質(zhì)具有娃基底的基質(zhì)材料(silicone-basedmaterial)、環(huán)氧樹脂基底的基質(zhì)材料(epoxy-based material)、或前述兩者，并具有介于約1.4?1.6或者1.5?1.6之間的折射率(η)。在一實(shí)施例中，第二基質(zhì)可包含聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過(guò)氟環(huán)丁烷(PFCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(PoIyetherimide)、氟碳聚合物(FluorocarbonPolymer)。反射粒子包括二氧化鈦、二氧化娃、氧化鋁、氧化鋅，或二氧化錯(cuò)。在一實(shí)施例中，當(dāng)發(fā)光二極管發(fā)射的光線撞擊到反射壁19時(shí)，光線會(huì)被反射。具體而言，于反射壁19所產(chǎn)生反射屬于漫反射(diffuse reflect1n)。
[0082]白漆具有約0.5?100Pa.s的黏度(例如0.5、1、2、10、30、100、500、1000)且反射壁19(白漆完全地固化后)具有一介于約40?90之間的硬度(shore D)?；蛘?，白漆具有約100?100Pa.8的黏度(例如100、300、500、1000、5000、10000)且反射壁19具有一介于約30?60之間的硬度(shore D)。絕緣結(jié)構(gòu)15可反射光且其材料的選用可參考反射壁19。若絕緣結(jié)構(gòu)15與反射壁19具有相同或相似的基質(zhì)時(shí)，絕緣結(jié)構(gòu)15與反射壁19之間的界面于電子顯微鏡的觀察下無(wú)法視得或變得模糊。
[0083]如圖1B?圖1G所示，發(fā)光結(jié)構(gòu)11包含圖案化基板110、兩發(fā)光主體111A、IllB共同形成于圖案化基板110上、一溝槽112形成于兩發(fā)光主體111A、111B間以使兩發(fā)光主體111A、I IlB彼此物理性分離。每一發(fā)光主體111A、11IB包含一第一型半導(dǎo)體層1111、一活性層1112、及一第二型半導(dǎo)體層1113。一第一絕緣層1114形成于溝槽112中并覆蓋發(fā)光主體
IIIA、IllB的第一半型導(dǎo)體層1111以避免相鄰發(fā)光主體111A、IllB間不必要的電路路徑(短路)。
[0084]一第二絕緣層1115形成于第一絕緣層1114上且曝露出發(fā)光主體111A、111B的第二型半導(dǎo)體層1113。一導(dǎo)電層1116形成于第二絕緣層1115以曝露出發(fā)光主體111A、111B的第二型半導(dǎo)體層1113上。此外，第二絕緣層1115會(huì)覆蓋第一絕緣層1114的側(cè)壁。導(dǎo)電層1116覆蓋部分第二絕緣層1115的側(cè)壁并延伸至第一型半導(dǎo)體層1111。
[0085]一第三絕緣層1117形成于導(dǎo)電層1116上且覆蓋發(fā)光主體111A、111B，并曝露部分的導(dǎo)電層1116。一第一電極墊1118及一第二電極墊1119分別電連接發(fā)光主體11IA及發(fā)光主體111B。發(fā)光主體111A、111B間的電連接將于后描述。
[0086]為清楚表示，圖1B的導(dǎo)電層1116以虛線表示。參照?qǐng)D1B、圖1D及圖1F，導(dǎo)電層1116具有一第一區(qū)域1161、一第二區(qū)域1162(圖1B的斜線區(qū)塊)及一第三區(qū)域1163。第一區(qū)域1161形成于發(fā)光主體11IA并與第二區(qū)域1162物理性分離。第二區(qū)域1162環(huán)繞第一區(qū)域1161。第二區(qū)域1162與發(fā)光主體I IlA的第一型半導(dǎo)體層1111相接觸，并進(jìn)一步形成于溝槽112中的第二絕緣層1115且延伸至發(fā)光主體11IB的第二型半導(dǎo)體層1113，藉此導(dǎo)電層1116串聯(lián)連接發(fā)光主體IllA與發(fā)光主體IllB(由于剖面線的位置，此連接關(guān)系未顯示在圖1D中
[0087]參照?qǐng)D1B、圖1E及圖1G，多個(gè)孔洞1110形成于第三絕緣層1117中，且孔洞1110形成于發(fā)光主體IllA處而未形成于發(fā)光主體IllB處。第一電極墊1118可延伸至孔洞1110并與發(fā)光主體11IA上導(dǎo)電層1116的第一區(qū)域1161形成電連接，藉此，第一電極墊1118與發(fā)光主體IllA的第二型半導(dǎo)體層1113形成電連接。導(dǎo)電層1116的第三區(qū)域1163形成于發(fā)光主體
IIIB。第二電極1119直接與從第三絕緣層1117所曝露出的導(dǎo)電層1116的第三區(qū)域1163相接觸。導(dǎo)電層1116的第三區(qū)域1163與發(fā)光主體IllB的第一型半導(dǎo)體層1111相接觸。
[0088]在一實(shí)施中，舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)?shù)谝浑姌O墊1118與外部電極的正極電連接，且第二電極墊1119與外部電極的負(fù)極電連接時(shí)，電流依序流經(jīng)孔洞1110內(nèi)的第一電極墊1118、導(dǎo)電層1116的第一區(qū)域1161、發(fā)光主體IllA的第二型半導(dǎo)體層1113、發(fā)光主體IllA的活性層1112、發(fā)光主體IllA的第一型半導(dǎo)體層1111、導(dǎo)電層1116的第二區(qū)域1162、發(fā)光主體IllB的第二型半導(dǎo)體層1113、發(fā)光主體IllB的活性層1112、發(fā)光主體IllB的第一型半導(dǎo)體層1111、導(dǎo)電層1116的第三區(qū)域1163、最后至第二電極墊1119。因此，發(fā)光主體IllA與發(fā)光主體IllB彼此串聯(lián)連接。此外，綜合以上整體設(shè)計(jì)，可減少孔洞1110形成于發(fā)光主體IllB的制造程序，且導(dǎo)電層1116覆蓋發(fā)光主體111A、111B的側(cè)壁可增加發(fā)光裝置100的光強(qiáng)度并降低發(fā)光裝置100整體的順向偏壓(Vf)。
[0089]如圖1C及圖1D所示，第一電極141的主區(qū)塊1411形成于且電連接至第一電極墊1118上，并延伸超出發(fā)光二極管11的一側(cè)表面1101。換言之，側(cè)1411A較側(cè)表面1101靠近最外側(cè)壁101。第二電極142的主區(qū)塊1421形成于且電連接至第二電極墊1119上，并延伸超出發(fā)光二極管11的一側(cè)表面1102。換言之，側(cè)1421A較側(cè)表面1102靠近最外側(cè)壁103。突出部1412六?(:、14224?(:未與電極墊1118、1119重疊。
[0090]第一電極墊1118、第二電極墊1119、導(dǎo)電層1116、第一電極141、及第二電極142可以是金屬，例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、絡(luò)(Cr)、招(Al)、鈾(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、錫(Sn)或其合金或其疊層組合。第一絕緣層1114可為單層或多層。當(dāng)?shù)谝唤^緣層1114為單層時(shí)，材料可包含氧化物、氮化物、或聚合物(polymer);氧化物可包含氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(S12)、二氧化鈦(Ti02)、五氧化二鉭(Tantalum Pentoxide，Ta205)或氧化招(AlOx);氮化物可包含氮化鋁(AlN)、氮化硅(SiNx);聚合物可包含聚酰亞胺(po lyimide)或苯并環(huán)丁烷(benzocyclobutane，BCB)。當(dāng)?shù)谝唤^緣層1114為多層時(shí)，材料可包含氧化招(六1203)、氧化娃(Si02)、二氧化鈦(Ti02)、五氧化二銀(M32O5)及氮化娃(SiNx)的疊層以形成一布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector)。第二絕緣層1115及/或第三絕緣層1117材料的選用由一或多種材料，其材料可參考第一絕緣層1114的相關(guān)段落。
[0091]當(dāng)發(fā)光二極管11為一異質(zhì)結(jié)構(gòu)時(shí)，第一型半導(dǎo)體層1111及第二型半導(dǎo)體層1113例如為包覆層(cladding layer)及/或限制層(confinement layer)，可分別提供電子、空穴且具有一大于活性層的帶隙，藉此提高電子、空穴于活性層中結(jié)合以發(fā)光的機(jī)率。第一型半導(dǎo)體層1111、活性層1112、及第二型半導(dǎo)體層1113可包含ΙΠ-V族半導(dǎo)體材料，例如AlxInyGa(Ity)N或AlxInyGa(Ity)P，其中O S x，d (x+y) S I。依據(jù)活性層的材料，發(fā)光主體可發(fā)出一波峰值(peak wave length)或主波長(zhǎng)(dominant wave length)介于 61 Onm 及650nm之間的紅光、波峰值或主波長(zhǎng)介于530nm及570nm之間的綠光、波峰值或主波長(zhǎng)介于450nm及490nm之間的藍(lán)光、波峰值或主波長(zhǎng)介于400nm?440nm的紫光、或波峰值介于200nm?400nm的紫外光。
[0092]圖1B中的二發(fā)光主體111A、IllB彼此串聯(lián)。在其他實(shí)施例，發(fā)光二極管11可包含一個(gè)發(fā)光主體或是三個(gè)以上的發(fā)光主體彼此串聯(lián)、并聯(lián)、串并混合連接或橋式連接。當(dāng)發(fā)光二極管11包含多個(gè)發(fā)光主體時(shí)，多個(gè)發(fā)光主體可共同形成于一基板上，或是多個(gè)發(fā)光主體各自具有一基板，再固定于一載板上，或是部分發(fā)光主體共同形成于一基板上，另一部分發(fā)光主體各自具有一基板，二者再共同固定于一載板上。此外，實(shí)施例中的二個(gè)發(fā)光主體111A、IllB以倒裝結(jié)構(gòu)且通過(guò)一導(dǎo)電層1116彼此電連接，然，二發(fā)光主體111A、IllB也可為一水平式結(jié)構(gòu)且通過(guò)打線方式彼此電連接。
[0093]圖2A?圖2J顯示本發(fā)明一實(shí)施例中一發(fā)光裝置的制造流程剖面示意圖。圖3A?圖3J分別顯示圖2A?圖2J的上視示意圖。為了簡(jiǎn)潔故，圖2A?圖2H中發(fā)光二極管11及發(fā)光裝置200僅以長(zhǎng)方體為例作解釋。一實(shí)施例中，方形、梯形、平行四邊形、菱形、三角形、五邊形、六角形、或圓形也可應(yīng)用于本發(fā)明的實(shí)施例中。圖3K顯示切割步驟的一上視示意圖。
[0094]如圖2A和圖3A所示，多個(gè)發(fā)光二極管11(以九個(gè)發(fā)光二極管為例)設(shè)置在一暫時(shí)膠帶191上。第一電極墊1118及第二電極墊1119被粘接到暫時(shí)膠帶191。
[0095]如圖2B和圖3B所示，多個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換顆粒121與一基質(zhì)122混合以形成一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換混合物。涂布波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換混合物完全地將發(fā)光二極管11包覆在其中。之后，進(jìn)行一熱處理以固化波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換混和物而形成波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12。在一實(shí)施例中，在熱處理的過(guò)程中，因?yàn)橹亓?，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子121會(huì)沉淀而直接接觸發(fā)光二極管11。
[0096]在另一實(shí)施例中，添加抗沉淀劑(例如:二氧化硅)于基質(zhì)122中以降低波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換顆粒121沉淀的速度，藉此波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換顆粒121可以均勻地分散在基質(zhì)122之中。在另一實(shí)施例中，含有多個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換顆粒121的基質(zhì)122可預(yù)先形成為一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換片，再貼合于發(fā)光結(jié)構(gòu)11上。在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換片中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換顆粒121可更均勻地分散在基質(zhì)122之中。
[0097]如圖2C及圖3C所示，一光穿透結(jié)構(gòu)13被黏接到波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12。具體而言，一第一結(jié)合層(圖未示)形成于光穿透結(jié)構(gòu)13上。一第二結(jié)合層形成于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12。接著，利用熱壓步驟將第一結(jié)合層與第二結(jié)合層接合在一起，藉此光穿透結(jié)構(gòu)13結(jié)合至波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12上。
[0098]如圖2D及圖3D所示，翻轉(zhuǎn)圖2C(或圖3C)的結(jié)構(gòu)，并移除暫時(shí)膠帶191以曝露第一電極墊1118及第二電極墊1119。
[0099]如圖2E及圖3E所示，一絕緣結(jié)構(gòu)15形成以覆蓋波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)12及發(fā)光二極管11。具體而言，絕緣結(jié)構(gòu)15并未完全覆蓋第一電極墊1118及第二電極墊1119且曝露出一部分的第一電極墊1118及第二電極墊1119。換言之，除了曝露出的第一電極墊1118及第二電極墊1119，其余的部分皆完全地被絕緣結(jié)構(gòu)15所覆蓋。在圖2E中，曝露出的第一電極墊1118及第二電極墊1119的面積大于被絕緣結(jié)構(gòu)15所覆蓋的第一電極墊1118及第二電極墊1119的面積。絕緣結(jié)構(gòu)15可通過(guò)噴涂、點(diǎn)膠、或印刷方式形成。
[0100]如圖2F及圖3F所示，一晶種層161形成以覆蓋曝露出的第一電極墊1118及第二電極墊1119以及絕緣結(jié)構(gòu)15。其中，晶種層161的厚度遠(yuǎn)小于電極墊1118或1119。然，為了清楚表示，晶種層161放大尺寸而繪制。晶種層161的厚度約為100?lOOOnm。
[0101]如圖2G及圖3G所示，提供一光致抗蝕劑層17以作為后續(xù)步驟移除晶種層161中的光罩。光致抗蝕劑層17圖案化以曝露出一部分的晶種層161。光致抗蝕劑層17具有一第一區(qū)171及一第二區(qū)172。第一區(qū)171形成在每一發(fā)光二極管11的從絕緣結(jié)構(gòu)15所附曝露出的電極墊1118、1119的位置以及形成在一部分的絕緣結(jié)構(gòu)15上。第一區(qū)171具有一投影面積大于電極墊1118、1119。第二區(qū)172具有一寬度小于第一區(qū)171且形成于絕緣結(jié)構(gòu)15上以連接至第一區(qū)171。
[0102]如圖2H及圖3!1所示，曝露出的晶種層161被移除以曝露出絕緣結(jié)構(gòu)15。
[0103]如圖21及圖31所示，移除光致抗蝕劑層17以曝露出于電極墊1118、1119及絕緣結(jié)構(gòu)15上的殘留晶種層161’。殘留晶種層161’具有一圖案實(shí)質(zhì)上等同于光致抗蝕劑層17。因此，殘留晶種層161’具有一第一區(qū)1611覆蓋每一發(fā)光二極管的電極墊1118、1119及一部分的絕緣結(jié)構(gòu)15，并具有一投影面積大于相對(duì)應(yīng)的電極墊1118、1119。殘留晶種層161’具有第二區(qū)1612覆蓋絕緣結(jié)構(gòu)15。第二區(qū)1612具有一寬度小于第一區(qū)1611。第二區(qū)1612連接第一區(qū)161并于后續(xù)電鍍過(guò)程中作為一導(dǎo)電路徑。
[0104]如圖2J及圖3J所示，進(jìn)行一電鍍步驟以形成金屬疊層18。金屬疊層18的位置相對(duì)應(yīng)于殘留晶種層161’，亦即金屬疊層18形成于第一電極墊1118、第二電極墊1119、即一部分的絕緣結(jié)構(gòu)15。在一實(shí)施例中，金屬疊層18包含第一金屬層181、第二金屬層182、及第三金屬層183。第一金屬層181直接地覆蓋電極墊1118、1119和絕緣結(jié)構(gòu)15。第二金屬層182形成在第一金屬層181上且包覆全部的第一金屬層181，并進(jìn)一步接觸到絕緣結(jié)構(gòu)15。第三金屬層183形成在第二金屬層182上且包覆全部的第二金屬層182，并進(jìn)一步接觸到絕緣結(jié)構(gòu)15。在本實(shí)施例中，第一金屬層181的材料為銅且具有一厚度大于第二金屬層182。第二金屬層182的材料為鎳且具有一厚度大于第三金屬層183。第三金屬層183的材料為金。此外，形成第一金屬層181的電鍍電流密度為I?5A/dm2、形成第二金屬層182的電鍍電流密度為I?5A/dm2、形成第三金屬層183的電鍍電流密度為0.5?3A/dm2。
[0105]因?yàn)榻饘侬B層18形成的位置為殘留晶種層161’形成的位置，所以金屬疊層18具有一投影形狀實(shí)質(zhì)上等同于殘留晶種層161’的形狀。因此，金屬疊層18具有一第一部184形成于電極墊1118、1119及一部分絕緣結(jié)構(gòu)15上，與一第二部185形成于絕緣結(jié)構(gòu)15上。第二部185具有一寬度小于第一部184的寬度。如同上述，因?yàn)闅埩艟ХN層161’的圖案由光致抗蝕劑層17所定義，所以，金屬疊層18的圖案也由光致抗蝕劑層17所定義。因此，可通過(guò)調(diào)整光致抗蝕劑層17的圖案，金屬疊層18的圖案可做改變。具體而言，殘留晶種層161’的第二區(qū)1612作為一導(dǎo)電路徑，所以，在電鍍過(guò)程中，只要電流可經(jīng)由第二區(qū)1612而流至殘留晶種層161’的第一區(qū)1611，第二區(qū)1612的圖案可做任意變化。
[0106]殘留晶種層161’的第二區(qū) 1612具有一寬度約為 10?500μπι(30μπι、40μπι、70μπι、100μ
111、15(^111、20(^111、30(^111、40(^111)。若殘留晶種層161’的第二區(qū)1612的寬度小于3(^111，在電鍍過(guò)程中，可能會(huì)很難形成金屬疊層18。若殘留晶種層161’的第二區(qū)1612的寬度太大，制作工藝成本會(huì)增加以及后續(xù)切割步驟中所使用的切割器可能會(huì)受損害。
[0107]如圖3Κ所示，沿著切割線(C)進(jìn)行一切割步驟以形成多個(gè)各自獨(dú)立的發(fā)光裝置200(圖3L中顯示一個(gè)發(fā)光裝置200)。如圖3L所示，因發(fā)光裝置200通過(guò)切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部分的第二部185會(huì)留在每一發(fā)光裝置200。換言之，于每一發(fā)光裝置200中，第二部185即為前述的突出部。于第一電極墊1118上的金屬疊層18的第一部分184即為第一電極141，且第二電極墊1119上的金屬疊層18的第一部分184即為第二電極142。
[0108]圖4Α、圖4Β、圖5Α、圖6Α、及圖7Α顯示金屬疊層18具有不同圖案的上視示意圖。如前所述，金屬疊層18的第二部185的圖案由光致抗蝕劑層17的圖案所定義，因此切割步驟前的其他步驟的相關(guān)描述及附圖可參考相對(duì)應(yīng)的段落，且為簡(jiǎn)潔故于此省略。
[0109]于圖4Α中，沿著切割線(C)進(jìn)行一切割步驟，以形成多個(gè)各自獨(dú)立的發(fā)光裝置300(圖4Β中顯示其中一個(gè))。因發(fā)光裝置300通過(guò)切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部分的第二部185會(huì)留在每一發(fā)光裝置300。類似于圖1C，第一電極141 (金屬疊層18)具有一主區(qū)塊1411(第一部184)及三個(gè)突出部1412Α?C(第二部185)，且第二電極142(金屬疊層18)具有一主區(qū)塊1421(第一部184)及三個(gè)突出部1422A?C(第二部185)。每一突出部1412A?C、1422A?C具有一寬度(W)等同于主區(qū)塊1411、1421的長(zhǎng)度(L)。第一電極141和第二電極142配置成將發(fā)光裝置300的底面區(qū)分成五個(gè)區(qū)域(I?V)，且沒(méi)有任何電極位于此五個(gè)區(qū)域中。
[0110]于圖5A中，沿著切割線(C)進(jìn)行一切割步驟，以形成多個(gè)各自獨(dú)立的發(fā)光裝置400(圖5B中顯示其中一個(gè))。因發(fā)光裝置400通過(guò)切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部分的第二部185會(huì)留在每一發(fā)光裝置400。第一電極141(金屬疊層18)具有一主區(qū)塊1411(第一部184)及五個(gè)突出部1412A?E(第二部185)，且第二電極142(金屬疊層18)具有一主區(qū)塊1421(第一部184)及五個(gè)突出部1422A?E(第二部185)。突出部1412B?C、1422B?C彼此平行，以及突出部1412D?E、1422D?E彼此平行。第一電極141和第二電極142配置成將發(fā)光裝置400的底面區(qū)分成五個(gè)區(qū)域(I?IX)，且沒(méi)有任何電極位于此九個(gè)區(qū)域中。
[0111]于圖6A中，沿著切割線(C)進(jìn)行一切割步驟，以形成多個(gè)各自獨(dú)立的發(fā)光裝置500(圖6B中顯示其中一個(gè))。因發(fā)光裝置500通過(guò)切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部分的第二部185會(huì)留在每一發(fā)光裝置400。第一電極141(金屬疊層18)具有一主區(qū)塊1411(第一部184)及四個(gè)突出部1412A?D(第二部185)，且第二電極142(金屬疊層18)具有一主區(qū)塊1421(第一部184)及四個(gè)突出部1422A?D(第二部185)。突出部1412A?B、1422A?B分別位于主區(qū)塊1411、1421的第一角落1411(:1、1421(:1。突出部1412(:?0、1422(:?0分別位于主區(qū)塊1411、1421的第二角落141102、142102。第一電極141和第二電極142配置成將發(fā)光裝置500的底面區(qū)分成七個(gè)區(qū)域(I?VII)，且沒(méi)有任何電極位于此七個(gè)區(qū)域中。
[0112]于圖7A中，沿著切割線(C)進(jìn)行一切割步驟，以形成多個(gè)各自獨(dú)立的發(fā)光裝置600(圖7B中顯示其中一個(gè))。因發(fā)光裝置600通過(guò)切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部分的第二部185會(huì)留在每一發(fā)光裝置600。第一電極141 (金屬疊層18)具有一主區(qū)塊1411(第一部184)及兩個(gè)突出部1412A?B(第二部185)，且第二電極142(金屬疊層18)具有一主區(qū)塊1421(第一部184)及兩個(gè)突出部1422A?B(第二部185)。突出部1412A、1422A分別位于主區(qū)塊1411、1421的第一角落1411(:1，1421(:1。突出部14128、14228分別位于主區(qū)塊1411、1421的第二角落141102，142102。突出部1412厶?8、1422厶?8以一傾斜于父方向或丫方向的方向延伸。第一電極141和第二電極142配置成將發(fā)光裝置600的底面區(qū)分成三個(gè)區(qū)域(I?III)，且沒(méi)有任何電極位于此三個(gè)區(qū)域中。
[0113]圖8A顯示一用于液晶顯示器的側(cè)投式背光通過(guò)900的剖面示意圖。背光通過(guò)900包含一發(fā)光源901、一導(dǎo)光板902、一擴(kuò)散板903及一反射結(jié)構(gòu)904。發(fā)光源901包含一載板9011、多個(gè)發(fā)光裝置100設(shè)置于載板9011上，以及電路結(jié)構(gòu)(圖未示)形成于載板9011上以控制發(fā)光裝置100。發(fā)光源901設(shè)置在導(dǎo)光板902的側(cè)邊，當(dāng)發(fā)光裝置100發(fā)光且其光線(R)射入導(dǎo)光板902。于導(dǎo)光板902中的光線(R)可被導(dǎo)引且朝向擴(kuò)散板903。反射結(jié)構(gòu)904設(shè)置以反射光線(R)朝向擴(kuò)散板903。第一電極141及第二電極142通過(guò)焊料(soldering)固定于電路結(jié)構(gòu)上。
[0114]圖8B顯示發(fā)光源901及導(dǎo)光板902的立體示意圖。發(fā)光裝置100沿著X方向排成一維陣列。發(fā)光裝置100的數(shù)目及排列方式僅做為例示而不限于此。
[0115]在應(yīng)用上，前述的發(fā)光裝置也可用于使用于球泡燈、崁燈、豆燈或杯燈(MR16)上的光引擎上。或者，前述的發(fā)光裝置可以應(yīng)用于手機(jī)或相機(jī)的閃光燈通過(guò)中。
[0116]暫時(shí)膠帶191包含藍(lán)膜、散熱片/膠、光解膠膜(UVrelease tape)或聚苯二甲酸乙二酯(PET)用以在制作過(guò)程中時(shí)暫時(shí)固定發(fā)光二極管或發(fā)光裝置。光穿透結(jié)構(gòu)13包含藍(lán)寶石、碳化硅、氧化鋅、氮化鎵、硅、玻璃、石英、或陶瓷材料(例如:氮化鋁或氧化鋁)。
[0117]以上所述的實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，不能以此限定本發(fā)明的專利范圍，即大凡依本發(fā)明所揭示的精神所作的均等變化或修飾，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光裝置，具有一第一最外側(cè)壁，該發(fā)光裝置包含: 發(fā)光二極管，具有電極墊及側(cè)表面；以及 電極，具有區(qū)塊形成于該電極墊上且延伸超出該側(cè)表面，及第一突出部自該區(qū)塊延伸至該第一最外側(cè)壁。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，該第一突出部窄于該區(qū)塊。3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包含一反射壁，于一方向上與該第一突出部重疊。4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，該電極墊未與該第一突出部重疊。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，該電極包含第一層及一第二層，該第二層包覆該第一層并接觸絕緣結(jié)構(gòu)。6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，該第一突出部具有一不小于ΙΟμπι的寬度。7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，該發(fā)光裝置具有一第二最外側(cè)壁，該電極還具有一第二突出部自該該區(qū)塊延伸至該第二最外側(cè)壁。8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中，該第一突出部與該第二突出部是往相反方向延伸。9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包含一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包覆該發(fā)光二極管。10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中，該區(qū)塊與該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)于一方向上重疊。
【文檔編號(hào)】H01L33/46GK105845800SQ201610076021
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年2月3日
【發(fā)明人】陳宏萱, 倪志鵬, 張瑞賢, 李欣瑜, 王振奎, 范晨彥
【申請(qǐng)人】晶元光電股份有限公司