基板處理裝置及基板處理方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，基板處理裝置包括：下部腔，上部開(kāi)放；上部腔，開(kāi)閉上述下部腔的上部，與上述下部腔共同形成對(duì)基板實(shí)施工序的內(nèi)部空間；噴頭，設(shè)置在上述上部腔的下部并朝向上述內(nèi)部空間供給反應(yīng)氣體，在與上述上部腔之間形成緩沖空間；劃分部件，設(shè)置在上述緩沖空間內(nèi)而將上述緩沖空間劃分為多個(gè)擴(kuò)散區(qū)域；及多個(gè)氣體供給口，形成在上述上部腔而朝向各上述擴(kuò)散區(qū)域供給上述反應(yīng)氣體。
【專利說(shuō)明】
基板處理裝置及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及基板處理裝置及基板處理方法，更詳細(xì)地設(shè)及將緩沖空間劃分為多個(gè) 擴(kuò)散區(qū)域，在各擴(kuò)散區(qū)域設(shè)置氣體供給口來(lái)供給反應(yīng)氣體的基板處理裝置及基板處理方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體裝置在娃基板上具有很多層(layers),運(yùn)樣的層是通過(guò)蒸鍛工序蒸鍛在基 板上。運(yùn)樣的蒸鍛工序具有幾個(gè)重要的問(wèn)題，運(yùn)樣的問(wèn)題對(duì)評(píng)價(jià)所蒸鍛的膜并選擇蒸鍛方 法來(lái)說(shuō)很重要。
[0003] 第一個(gè)是所蒸鍛的膜的"質(zhì)量"（quality)。運(yùn)表示組成（composition)、污染度 (contamination levels)、損失度（defect density)、及機(jī)械的、電的特性(mechanical and elec化ical properties)。膜的組成可W根據(jù)蒸鍛條件變化，其為了得到特定的組成 (specific composition)#"^Mi^。
[0004] 第二個(gè)是橫貫晶片的均勻的厚度(uniform thickness)。特別是，在形成有臺(tái)階的 非平面形狀的圖案上部蒸鍛的膜的厚度非常重要。所蒸鍛的膜的厚度是否均勻，可W通過(guò) W蒸鍛在形成臺(tái)階部分的最小厚度除W蒸鍛在圖案的上部表面的厚度的值定義的階梯覆 蓋率(step coverage)來(lái)判斷。
[0005] 與蒸鍛有關(guān)的另一問(wèn)題是填充空間（filling space)。運(yùn)包括用包含氧化膜的絕 緣膜填充金屬線之間的縫隙填充(gap filling)?？p隙是為了將金屬線物理上及電性絕緣 而提供的。
[0006] 運(yùn)些問(wèn)題中均勻度是與蒸鍛工序有關(guān)的重要的一個(gè)問(wèn)題，不均勻的膜在金屬布線 上形成高的電阻（electrical resistance)，增加機(jī)械性損傷的可能性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 技術(shù)課題
[000引本發(fā)明的目的在于，提供一種可W確保工序均勻度的基板處理裝置及基板處理方 法。
[0009] 本發(fā)明的其它目的通過(guò)下面的詳細(xì)說(shuō)明和附圖會(huì)更加清楚。
[0010] 課題解決方案
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，基板處理裝置包括:下部腔，上部被開(kāi)放;上部腔，開(kāi)閉上 述下部腔的上部，與上述下部腔共同形成對(duì)基板實(shí)施工序的內(nèi)部空間；噴頭，設(shè)置在上述上 部腔的下部并朝向上述內(nèi)部空間供給反應(yīng)氣體，在與上述上部腔之間形成緩沖空間；劃分 部件，設(shè)置在上述緩沖空間內(nèi)而將上述緩沖空間劃分為多個(gè)擴(kuò)散區(qū)域;及多個(gè)氣體供給口， 形成在上述上部腔而朝向各上述擴(kuò)散區(qū)域供給上述反應(yīng)氣體。
[0012] 上述擴(kuò)散區(qū)域可W包括中央?yún)^(qū)域及多個(gè)邊緣區(qū)域;上述劃分部件包括：內(nèi)側(cè)劃分 部件，配置在上述中央?yún)^(qū)域的周邊，劃分形成于內(nèi)側(cè)的上述中央?yún)^(qū)域和形成于外側(cè)的上述 多個(gè)邊緣區(qū)域;及多個(gè)連接部件，連接在上述內(nèi)側(cè)劃分部件的外側(cè)而將上述多個(gè)邊緣區(qū)域 彼此切斷。
[0013] 各上述氣體供給口可W被連接在各上述邊緣區(qū)域。
[0014] 上述擴(kuò)散區(qū)域包括中央?yún)^(qū)域、多個(gè)中間區(qū)域及多個(gè)邊緣區(qū)域;上述劃分部件包括： 內(nèi)側(cè)劃分部件，配置在上述中央?yún)^(qū)域的周邊，劃分形成于內(nèi)側(cè)的上述中央?yún)^(qū)域和形成于外 側(cè)的上述多個(gè)中間區(qū)域；多個(gè)內(nèi)側(cè)連接部件，被連接在上述內(nèi)側(cè)劃分部件的外側(cè)而將上述 多個(gè)中間區(qū)域彼此切斷;外側(cè)劃分部件，在上述內(nèi)側(cè)劃分部件的周邊分開(kāi)距離配置，劃分形 成于內(nèi)側(cè)的上述多個(gè)中間區(qū)域和形成于外側(cè)的上述多個(gè)邊緣區(qū)域;及多個(gè)外側(cè)連接部件， 被連接在上述外側(cè)劃分部件的外側(cè)，將上述多個(gè)邊緣區(qū)域彼此切斷。
[0015] 各上述氣體供給口可W被連接在各上述邊緣區(qū)域及各上述中間區(qū)域。
[0016] 上述基板處理裝置還可W包括:多個(gè)氣體供給線路，被連接在各上述氣體供給口 來(lái)供給上述反應(yīng)氣體;多個(gè)流量調(diào)節(jié)器，開(kāi)閉各上述氣體供給線路;及控制器，被連接在各 上述流量調(diào)節(jié)器，對(duì)通過(guò)各氣體供給線路的上述反應(yīng)氣體的供給量進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0017] 上述控制器可W控制上述流量調(diào)節(jié)器，使得被供給到上述多個(gè)氣體供給線路中的 某一個(gè)氣體供給線路的上述反應(yīng)氣體的供給量與被供給到另一個(gè)上述氣體供給線路的上 述反應(yīng)氣體的供給量相互不同。
[0018] 上述劃分部件可W從上述緩沖空間的底面分開(kāi)距離配置。
[0019] 上述基板處理裝置還可W包括:基座，設(shè)置在上述內(nèi)部空間，且在上部放置上述基 板;排氣環(huán)，沿著上述下部腔的側(cè)壁分開(kāi)距離配置，具有位于上述基座的上部的多個(gè)排氣 孔;及支承部件，固定設(shè)置于上述下部腔的側(cè)壁來(lái)支承上述排氣環(huán);在上述下部腔的側(cè)壁和 上述排氣環(huán)之間形成排氣空間而與形成于上述下部腔的側(cè)壁的排氣口連通。
[0020] -種基板處理方法，利用設(shè)置在腔的內(nèi)部空間內(nèi)并且具有從外部被供給的反應(yīng)氣 體擴(kuò)散的緩沖空間的噴頭來(lái)處理基板，
[0021] 將上述緩沖空間劃分為多個(gè)擴(kuò)散區(qū)域，將被供給到上述多個(gè)擴(kuò)散區(qū)域中的某一個(gè) 擴(kuò)散區(qū)域的上述反應(yīng)氣體的供給量和被供給到另一個(gè)上述擴(kuò)散區(qū)域的上述反應(yīng)氣體的供 給量調(diào)節(jié)為彼此不同；
[0022] 對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)擴(kuò)散區(qū)域中的某一個(gè)擴(kuò)散區(qū)域的上述基板的區(qū)域和對(duì)應(yīng)于另一 個(gè)擴(kuò)散區(qū)域的上述基板的區(qū)域的處理程度（吾習(xí)互_.(degrees of processing))彼此不同。
[0023] 上述緩沖空間可W具有位于上述噴頭的中央的中央?yún)^(qū)域和位于上述中央?yún)^(qū)域的 周邊的邊緣區(qū)域。
[0024] 發(fā)明效果
[0025] 根據(jù)本發(fā)明，可W確保工序均勻度。
【附圖說(shuō)明】
[0026] 圖1是簡(jiǎn)要地表示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理裝置的截面圖。
[0027] 圖2是表示圖1所示的下部劃分部件的立體圖。
[0028] 圖3是表示圖1所示的上部劃分部件的立體圖。
[0029] 圖4是簡(jiǎn)要地表示圖1所示的基板處理裝置的反應(yīng)氣體的流動(dòng)的截面圖圖。
[0030] 圖5是簡(jiǎn)要地表示在圖1所示的基板上反應(yīng)氣體的流動(dòng)的平面圖。
[0031] 圖6是簡(jiǎn)要地表示根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例的基板處理裝置的截面圖。
[0032] 圖7是圖6所示的劃分部件的立體圖。
[0033] 圖8是簡(jiǎn)要地表示圖6所示的基板處理裝置的反應(yīng)氣體的流動(dòng)的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034] 下面，參照?qǐng)D1至圖5更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例可W變 形成各種方式，本發(fā)明的范圍不可解釋為由下面說(shuō)明的實(shí)施例限定。本實(shí)施例是為了對(duì)本 發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明而提供的。因此，為了更清楚的說(shuō) 明，附圖中出現(xiàn)的各要素的形狀可能被夸張。
[0035] 另外，下面W蒸鍛裝置為例進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明的范圍不限于此，可W應(yīng)用于利 用反應(yīng)氣體處理基板的多種工序。
[0036] 圖1是簡(jiǎn)要地表示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理裝置的截面圖。如圖1所示， 基板處理裝置包括下部腔10及上部腔20。下部腔10是上部開(kāi)放的形狀，上部腔20開(kāi)閉下部 腔10的開(kāi)放的上部。若上述腔20封閉下部腔10的開(kāi)放的上部，則下部腔10及下部腔20形成 從外部封閉的內(nèi)部空間3。
[0037] 基座30設(shè)置在下部腔10的內(nèi)部，基板W被放置在基座30的上部。基座30具備加熱器 (未圖示），加熱器可通過(guò)從外部電源施加的電流將基板W加熱到工序溫度。支架35連接在基 座30的下部來(lái)支承基座30,貫通下部腔10的底部設(shè)置。波紋管38設(shè)置在支架35的周邊，通過(guò) 波紋管38可W將內(nèi)部空間3從外部遮斷。
[0038] 噴頭60連接在上部腔20的下部，具備平板形狀的噴射部及設(shè)置于噴射部外側(cè)而固 定在上部腔20上的凸緣部。噴射部與上部腔20分開(kāi)距離配置，緩沖空間形成于上部腔20和 凸緣部之間。凸緣部具有多個(gè)噴射孔65,被供給到緩沖空間的反應(yīng)氣體通過(guò)多個(gè)噴射孔65 噴射到內(nèi)部空間3。反應(yīng)氣體可W包括氨氣此、氮?dú)饣蝾A(yù)定的其它惰性氣體，或者包括硅烷 SiH4或二氯甲硅烷Si此C12那樣的前驅(qū)氣體。另外，還可W包括乙棚燒B2化或憐燒P曲那樣的 滲雜劑源氣體。
[0039] 劃分部件被設(shè)置在緩沖空間內(nèi)并可固定在噴頭60上，用于將緩沖空間劃分為多個(gè) 擴(kuò)散區(qū)域。劃分部件從緩沖空間的底面分開(kāi)距離配置，在劃分部件的下部形成與多個(gè)噴射 孔65連通的一個(gè)下部緩沖空間77。下部緩沖空間77可W與基座30的直徑大體一致。上部緩 沖空間位于下部緩沖空間77的上部，由劃分部件劃分為中央?yún)^(qū)域及多個(gè)中間區(qū)域及多個(gè)邊 緣區(qū)域。具體的說(shuō)明后面敘述。
[0040] 圖2是表示圖1所示的下部劃分部件的立體圖。劃分部件具備上部劃分部件及下部 劃分部件，上部劃分部件設(shè)置在下部劃分部件的上部。下部劃分部件70a具備圓盤形狀的下 部板73a，下部板73a具備多個(gè)下部貫通孔，被供給到上部緩沖空間內(nèi)的反應(yīng)氣體可W通過(guò) 下部貫通孔移動(dòng)到下部緩沖空間。下部板73a在中央形成從上部表面凹陷的圓形凹陷部 73b。下部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件78設(shè)置在凹陷部73b內(nèi)，將凹陷部73b內(nèi)的空間劃分為1個(gè)圓形下部 中央?yún)^(qū)域75a和8個(gè)扇形下部中間區(qū)域75b。下部?jī)?nèi)側(cè)連接部件178W下部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件78的 中屯、為基準(zhǔn)從外周面W放射狀延長(zhǎng)，與凹陷部73b的內(nèi)側(cè)壁相接而將凹陷部73b內(nèi)的空間劃 分為8個(gè)下部中間區(qū)域75b并彼此切斷8個(gè)下部中間區(qū)域75b。下部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件78及下部?jī)?nèi) 側(cè)連接部件178具有與凹陷部73b的深度大致相同的厚度。
[0041] 另外，下部凸緣76沿著下部板73a的邊緣配置，從下部板7：3a的上部表面突出。下部 外側(cè)連接部件176從下部凸緣76的內(nèi)側(cè)壁朝向下部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件78的中屯、W放射狀延長(zhǎng)， 與凹陷部73b的內(nèi)側(cè)壁分開(kāi)距離。后述的上部外側(cè)劃分部件74放置在下部外側(cè)連接部件176 和下部?jī)?nèi)側(cè)連接部件178之間，下部外側(cè)連接部件176和凹陷部73b的內(nèi)側(cè)壁之間的分開(kāi)距 離與上部外側(cè)劃分部件74的幅度大致相同。
[0042] 當(dāng)上部外側(cè)劃分部件74放置在下部板73a上時(shí)，如圖1所示，在上部外側(cè)劃分部件 74的外側(cè)形成8個(gè)扇形邊緣區(qū)域79c，下部外側(cè)連接部件176將下部板73a的空間劃分為8個(gè) 邊緣區(qū)域79c并彼此切斷8個(gè)邊緣區(qū)域79c。下部外側(cè)連接部件176的高度與凸緣76的高度大 致相同。另外，如圖2所示，凹陷部73b和下部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件78及下部凸緣76構(gòu)成同屯、圓。
[0043] 圖3是表示圖1所示的上部劃分部件70b的立體圖。如圖3所示，上部劃分部件具備 圓盤形狀的上部板71，上部板71具備多個(gè)上部貫通孔，被供給到上部緩沖空間內(nèi)的反應(yīng)氣 體可W通過(guò)上部貫通孔向下部板7?的上部移動(dòng)。上部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件72設(shè)置在上部板71的 中央而被劃分為上部中央?yún)^(qū)域79a和上部中間區(qū)域79b。上部凸緣74沿著上部板71的邊緣配 置，上部?jī)?nèi)側(cè)連接部件172設(shè)置在上部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件72和上部凸緣74之間，W上部?jī)?nèi)側(cè)劃分 部件72為中屯、W放射狀配置。上部?jī)?nèi)側(cè)連接部件172劃分并彼此切斷多個(gè)上部中間區(qū)域 79b。另外，上部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件72和上部凸緣74構(gòu)成同屯、圓。
[0044] 另一方面，如圖1所示，上部劃分部件70b設(shè)置在下部劃分部件70a的上部。因此，上 部緩沖空間被劃分為位于下部凸緣76和上部凸緣74之間的多個(gè)邊緣區(qū)域79c、位于上部凸 緣74和上部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件72/下部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件78之間的多個(gè)中間區(qū)域79b、75bW及位于 上部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件72/下部?jī)?nèi)側(cè)劃分部件78的內(nèi)側(cè)的中央?yún)^(qū)域79a、75a，各區(qū)域與下部緩沖 空間77連通。
[0045] 氣體供給口 40曰、406、40(3、40(1固定設(shè)置在上部腔20，配置成對(duì)應(yīng)于各擴(kuò)散區(qū)域。邊 緣氣體供給口 40a、40d位于邊緣區(qū)域79c的上部，中間氣體供給口 40b、40c位于中間區(qū)域 79b、7化的上部。在本實(shí)施例中，在中央?yún)^(qū)域79a、75a的上部省略了氣體供給口，但是也可W 在中央?yún)^(qū)域79a、75a的上部設(shè)置單獨(dú)的氣體供給口。氣體供給口40曰、406、40(：、40(1向各擴(kuò)散 區(qū)域供給反應(yīng)氣體，被供給的反應(yīng)氣體通過(guò)下部劃分部件70a及上部劃分部件70b向下部緩 沖空間77移動(dòng)之后通過(guò)噴射孔65移動(dòng)到內(nèi)部空間3。
[0046] 氣體供給線路42a、42b、42c、42d被連接在各氣體供給口 40a、40b、40c、40d，反應(yīng)氣 體通過(guò)氣體供給線路42a、42b、42c、42d被供給到各氣體供給口 40a、40b、40c、40d。流量調(diào)節(jié) 器443、446、4如、44(1設(shè)置在各氣體供給線路423、4213、42(3、42(1上來(lái)調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體的供給量， 由控制器80調(diào)節(jié)流量調(diào)節(jié)器44a、44b、44c、44d。
[0047] 另一方面，在本實(shí)施例中，說(shuō)明為在下部板73a及上部板71分別設(shè)有多個(gè)貫通孔， 但是根據(jù)需要可W省略下部板73a及上部板71而形成扇形狀開(kāi)口，開(kāi)口可W具有與各擴(kuò)散 區(qū)域大致相同的形狀。開(kāi)口可W代替多個(gè)貫通孔。
[0048] 圖4是簡(jiǎn)要地表示圖1所示的基板處理裝置的反應(yīng)氣體的流動(dòng)的截面圖。圖5是簡(jiǎn) 要地表示在圖1所示的基板上的反應(yīng)氣體的流動(dòng)的平面圖。下面，若參考圖4及圖5說(shuō)明反應(yīng) 氣體的流動(dòng)，則如下。
[0049] 如上所述，反應(yīng)氣體通過(guò)氣體供給口 403、406、40(3、40(1被供給到各擴(kuò)散區(qū)域，各擴(kuò) 散區(qū)域沿噴頭60的半徑方向彼此切斷，因此被供給到各擴(kuò)散區(qū)域的反應(yīng)氣體向其它擴(kuò)散區(qū) 域的移動(dòng)被限制。然后，反應(yīng)氣體通過(guò)下部劃分部件70a向下部緩沖空間77移動(dòng)，通過(guò)噴射 孔65向基板W的表面移動(dòng)。
[0050] 運(yùn)時(shí)，如圖5所示，基板W的表面可W分割為假想的區(qū)域(例如，17個(gè)），各擴(kuò)散區(qū)域 位于各區(qū)域的上部。即，中央?yún)^(qū)域79a、75a位于①區(qū)域的上部，中間區(qū)域79b、75b位于②-⑨ 區(qū)域的上部，邊緣區(qū)域79c位于⑩-17區(qū)域的上部。因此，中間區(qū)域79b、7加內(nèi)的反應(yīng)氣體分 別噴射到②-⑨區(qū)域之后，朝向中央?yún)^(qū)域79a、75a及邊緣區(qū)域79c移動(dòng)，邊緣區(qū)域79c內(nèi)的反 應(yīng)氣體被分別噴射到⑩-17區(qū)域之后向中間區(qū)域79b、75b及基板W的外側(cè)移動(dòng)。運(yùn)時(shí)，中間區(qū) 域79b、75b及邊緣區(qū)域79c內(nèi)的反應(yīng)氣體可W在下部緩沖空間77內(nèi)被混合一部分，但是大部 分向如上所述的各區(qū)域噴射。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，欲使得被供給到獨(dú)立的各擴(kuò)散區(qū) 域的反應(yīng)氣體向?qū)?yīng)的基板W表面的各區(qū)域噴射，人為地調(diào)整被噴射到基板W的表面的各區(qū) 域的反應(yīng)氣體的供給量來(lái)形成具有均勻厚度的薄膜。
[0051] 若具體說(shuō)明，通過(guò)噴頭60的噴射孔65噴射的反應(yīng)氣體被供給到基板W的上部，基板 W通過(guò)基座30加熱的狀態(tài)下，反應(yīng)氣體與基板W的表面反應(yīng)來(lái)形成薄膜。運(yùn)時(shí)，薄膜的厚度與 通過(guò)噴射孔65從上部噴射的反應(yīng)氣體的供給量成正比，基板W的表面中被供給少量反應(yīng)氣 體的部分的薄膜厚度小，被供給大量反應(yīng)氣體的部分的薄膜的厚度大。因此，反應(yīng)氣體向基 板W的整個(gè)表面均勻供給的情況下，薄膜可W具有均勻的厚度。
[0052] 但是，薄膜的厚度除了反應(yīng)氣體的供給量W外還與基座30的加熱溫度成正比，基 板W的表面中加熱溫度低的部分的薄膜厚度小，加熱溫度高的部分的薄膜厚度大。因此，基 座30的加熱溫度均勻的情況下，薄膜可W具有均勻的厚度，整體上具有均勻的加熱溫度的 基座30是理想的。
[0053] 但是，現(xiàn)實(shí)中加工出具有完全均勻的加熱溫度的基座30是不太可能的。特別是，最 近隨著基板W的尺寸大型化，基座30的尺寸也是一起增加的趨勢(shì)，由此，形成基板W上的均勻 的溫度分布會(huì)產(chǎn)生困難。即，在將基板W加熱到工序溫度的過(guò)程中，有可能加熱器固障或性 能下降、W及加熱器的福射熱變得局部地不均衡。除此之外，對(duì)薄膜的厚度造成影響的因素 多樣，為了形成具有均勻的厚度的薄膜，有必要人為地調(diào)整前面說(shuō)明的因素中的一部分。因 此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，欲將反應(yīng)氣體的供給量人為地調(diào)整為不均衡來(lái)形成具有均勻厚 度的薄膜。
[0054] 例如，利用樣本基板W形成薄膜之后，測(cè)量薄膜的厚度。運(yùn)時(shí)，調(diào)整被供給到各擴(kuò)散 區(qū)域的反應(yīng)氣體的供給量，可向基板W表面的各區(qū)域噴射相對(duì)于面積相同量的反應(yīng)氣體。之 后，被供給到各擴(kuò)散區(qū)域的反應(yīng)氣體的供給量與所測(cè)量的薄膜的厚度成正比地得到調(diào)整。 良P，在基板W表面的特定區(qū)域薄膜的厚度比基準(zhǔn)值厚時(shí)，可W減少被供給到位于該區(qū)域上部 的擴(kuò)散區(qū)域的反應(yīng)氣體的量。另外，在基板W表面的特定區(qū)域，薄膜的厚度比基準(zhǔn)值薄時(shí)，可 W增加被供給到位于該區(qū)域上部的擴(kuò)散區(qū)域的反應(yīng)氣體的量。如上所述的控制器80根據(jù)所 測(cè)量的薄膜的厚度來(lái)控制流量調(diào)節(jié)器443、446、44(3、44(1來(lái)增減被供給到各擴(kuò)散區(qū)域的反應(yīng) 氣體的量。例如，前面所述的基準(zhǔn)值可W是相對(duì)于所測(cè)量的薄膜厚度的平均值，控制器80可 W根據(jù)所測(cè)量的薄膜的厚度計(jì)算出平均值。通過(guò)運(yùn)樣的方法，經(jīng)過(guò)幾次調(diào)整過(guò)程，就可W形 成具有均勻厚度的薄膜，之后可W應(yīng)用于實(shí)際工序。
[0055] 另一方面，如圖1所示，支承部件88被固定設(shè)置在下部腔10的側(cè)壁，具備水平部和 垂直部。水平部被固定在下部腔10的側(cè)壁，垂直部可W從水平部的內(nèi)側(cè)末端朝向上部延長(zhǎng)。 排氣環(huán)50被設(shè)置在噴頭60的凸緣部和支承部件88之間，并通過(guò)支承部件88支承。排氣環(huán)50 從下部腔10的內(nèi)側(cè)壁分開(kāi)距離設(shè)置，在排氣環(huán)50和下部腔10的內(nèi)側(cè)壁之間形成排氣空間。 排氣通道13形成在下部腔10的側(cè)壁而與排氣空間連通，排氣口 15及排氣線路17被連接在排 氣通道13。因此，未反應(yīng)氣體及薄膜形成時(shí)產(chǎn)生的反應(yīng)副產(chǎn)物通過(guò)設(shè)置于排氣線路17的排 氣累19強(qiáng)制吸入，通過(guò)形成于排氣環(huán)50的多個(gè)排氣孔53向排氣空間移動(dòng)，可W通過(guò)排氣通 道13及排氣口 15 W及排氣線路17向外部排出。
[0056] 根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明，但是也可W是與此不同方式的實(shí)施例。因 此，下面記載的權(quán)利要求的技術(shù)思想和范圍不限于優(yōu)選的實(shí)施例。
[0057] 用于實(shí)施發(fā)明的方式
[0058] 圖6是簡(jiǎn)要地表示根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例的基板處理裝置的截面圖。圖7是表示 圖6所示的劃分部件的立體圖。下面說(shuō)明與如上所述的實(shí)施例不同的結(jié)構(gòu)，下面省略的說(shuō)明 可W由上面說(shuō)明的內(nèi)容代替。
[0059] 如圖6及圖7所示，劃分部件70具備圓盤形狀的下部板73,下部板73具備多個(gè)貫通 孔，被供給到上部緩沖空間內(nèi)的反應(yīng)氣體可W通過(guò)貫通孔向下部緩沖空間75移動(dòng)。內(nèi)側(cè)劃 分部件72及外側(cè)劃分部件74W及凸緣76是配置在同屯、圓上的環(huán)形狀，從下部板73的中屯、沿 著半徑方向依次分開(kāi)距離配置。內(nèi)側(cè)劃分部件72及外側(cè)劃分部件74W及凸緣76被設(shè)置在下 部板73的上部表面和上部腔20之間來(lái)形成中央?yún)^(qū)域75a、多個(gè)中間區(qū)域7加及多個(gè)邊緣區(qū)域 75c。中央?yún)^(qū)域75a形成于內(nèi)側(cè)劃分部件72的內(nèi)側(cè)，多個(gè)中間區(qū)域75b形成于內(nèi)側(cè)劃分部件72 和外側(cè)劃分部件74之間，多個(gè)邊緣區(qū)域75c形成在外側(cè)劃分部件74和凸緣76之間。
[0060] 內(nèi)側(cè)連接部件172設(shè)置在內(nèi)側(cè)劃分部件72和外側(cè)劃分部件74之間，W內(nèi)側(cè)劃分部 件72為中屯、W放射狀配置。內(nèi)側(cè)連接部件172劃分并彼此切斷多個(gè)中間區(qū)域75b。同樣地，外 偵蠟接部件174設(shè)置在外側(cè)劃分部件74和凸緣76之間，W內(nèi)側(cè)劃分部件72為中屯、W放射狀 配置。外側(cè)連接部件174劃分并彼此切斷多個(gè)邊緣區(qū)域75c。
[0061] 圖8是簡(jiǎn)要地表示圖6所示的基板處理裝置的反應(yīng)氣體的流動(dòng)的截面圖。如上所 述，反應(yīng)氣體通過(guò)氣體供給口 403、406、40(3、40(1供給到各擴(kuò)散區(qū)域，各擴(kuò)散區(qū)域沿噴頭60的 半徑方向彼此切斷，被供給到各擴(kuò)散區(qū)域的反應(yīng)氣體被限制向其它擴(kuò)散區(qū)域的移動(dòng)。然后， 反應(yīng)氣體通過(guò)劃分部件70向下部緩沖空間75移動(dòng)，通過(guò)多個(gè)噴射孔65向基板W的表面移動(dòng)。
[0062] 工業(yè)實(shí)用性
[0063] 本發(fā)明可W應(yīng)用于多種方式的半導(dǎo)體制造設(shè)備及制造方法。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種基板處理裝置，其特征在于，包括： 下部腔，上部開(kāi)放； 上部腔，開(kāi)閉上述下部腔的上部，與上述下部腔共同形成對(duì)基板實(shí)施工序的內(nèi)部空間； 噴頭，設(shè)置在上述上部腔的下部并朝向上述內(nèi)部空間供給反應(yīng)氣體，在與上述上部腔 之間形成緩沖空間； 劃分部件，設(shè)置在上述緩沖空間內(nèi)而將上述緩沖空間劃分為多個(gè)擴(kuò)散區(qū)域;及 多個(gè)氣體供給口，形成在上述上部腔而朝向各上述擴(kuò)散區(qū)域供給上述反應(yīng)氣體。2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述擴(kuò)散區(qū)域包括中央?yún)^(qū)域及多個(gè)邊緣區(qū)域； 上述劃分部件包括： 內(nèi)側(cè)劃分部件，配置在上述中央?yún)^(qū)域的周邊，劃分形成于內(nèi)側(cè)的上述中央?yún)^(qū)域和形成 于外側(cè)的上述多個(gè)邊緣區(qū)域;及 多個(gè)連接部件，連接在上述內(nèi)側(cè)劃分部件的外側(cè)而將上述多個(gè)邊緣區(qū)域彼此切斷。3. 如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 各上述氣體供給口被連接在各上述邊緣區(qū)域。4. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述擴(kuò)散區(qū)域包括中央?yún)^(qū)域、多個(gè)中間區(qū)域及多個(gè)邊緣區(qū)域； 上述劃分部件包括： 內(nèi)側(cè)劃分部件，配置在上述中央?yún)^(qū)域的周邊，劃分形成于內(nèi)側(cè)的上述中央?yún)^(qū)域和形成 于外側(cè)的上述多個(gè)中間區(qū)域； 多個(gè)內(nèi)側(cè)連接部件，被連接在上述內(nèi)側(cè)劃分部件的外側(cè)而將上述多個(gè)中間區(qū)域彼此切 斷； 外側(cè)劃分部件，在上述內(nèi)側(cè)劃分部件的周邊分開(kāi)距離配置，劃分形成于內(nèi)側(cè)的上述多 個(gè)中間區(qū)域和形成于外側(cè)的上述多個(gè)邊緣區(qū)域;及 多個(gè)外側(cè)連接部件，被連接在上述外側(cè)劃分部件的外側(cè)，將上述多個(gè)邊緣區(qū)域彼此切 斷。5. 如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于， 各上述氣體供給口被連接在各上述邊緣區(qū)域及各上述中間區(qū)域。6. 如權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述基板處理裝置還包括： 多個(gè)氣體供給線路，被連接在各上述氣體供給口來(lái)供給上述反應(yīng)氣體； 多個(gè)流量調(diào)節(jié)器，開(kāi)閉各上述氣體供給線路;及 控制器，被連接在各上述流量調(diào)節(jié)器，對(duì)通過(guò)各氣體供給線路的上述反應(yīng)氣體的供給 量進(jìn)行調(diào)節(jié)。7. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述控制器控制上述流量調(diào)節(jié)器，使得被供給到上述多個(gè)氣體供給線路中的某一個(gè)氣 體供給線路的上述反應(yīng)氣體的供給量與被供給到另一個(gè)上述氣體供給線路的上述反應(yīng)氣 體的供給量相互不同。8. 如權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述劃分部件從上述緩沖空間的底面分開(kāi)距離配置。9. 如權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述基板處理裝置還包括： 基座，設(shè)置在上述內(nèi)部空間，且在上部放置上述基板； 排氣環(huán)，沿著上述下部腔的側(cè)壁分開(kāi)距離配置，具有位于上述基座的上部的多個(gè)排氣 孔;及 支承部件，固定設(shè)置于上述下部腔的側(cè)壁來(lái)支承上述排氣環(huán)； 在上述下部腔的側(cè)壁和上述排氣環(huán)之間形成排氣空間而與形成于上述下部腔的側(cè)壁 的排氣口連通。10. -種基板處理方法，利用設(shè)置在腔的內(nèi)部空間內(nèi)并且具有從外部被供給的反應(yīng)氣 體擴(kuò)散的緩沖空間的噴頭來(lái)處理基板，其特征在于， 將上述緩沖空間劃分為多個(gè)擴(kuò)散區(qū)域，將被供給到上述多個(gè)擴(kuò)散區(qū)域中的某一個(gè)擴(kuò)散 區(qū)域的上述反應(yīng)氣體的供給量和被供給到另一個(gè)上述擴(kuò)散區(qū)域的上述反應(yīng)氣體的供給量 調(diào)節(jié)為彼此不同，對(duì)應(yīng)于上述多個(gè)擴(kuò)散區(qū)域中的某一個(gè)擴(kuò)散區(qū)域的上述基板的區(qū)域和對(duì)應(yīng) 于另一個(gè)擴(kuò)散區(qū)域的上述基板的區(qū)域的處理程度彼此不同。11. 如權(quán)利要求10所述的基板處理方法，其特征在于， 上述緩沖空間具有位于上述噴頭的中央的中央?yún)^(qū)域和位于上述中央?yún)^(qū)域周邊的邊緣 區(qū)域。
【文檔編號(hào)】H01L21/205GK105849864SQ201480070510
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2014年12月10日
【發(fā)明人】諸成泰, 張吉淳, 尹暢焄, 金勁勛
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社Eugene科技