一種led倒裝工藝及倒裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LED倒裝工藝及倒裝結(jié)構(gòu)。該LED倒裝工藝包括將異向?qū)щ娔z均勻涂布于LED基板的焊盤上；將LED晶片擺放于已經(jīng)均勻涂布有異向?qū)щ娔z的焊盤上；將所述LED基板過回流焊，以使所述異向?qū)щ娔z固化。本發(fā)明中，固晶材料采用異向?qū)щ娔z，提升了LED的出光效率，可防止LED晶片短路漏電。
【專利說明】
一種LED倒裝工藝及倒裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及LED封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種LED倒裝工藝及倒裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]LED照明技術(shù)經(jīng)過幾十年的發(fā)展，目前已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，但LED的散熱性能一直是困擾LED發(fā)展的瓶頸，特別是在大功率的LED產(chǎn)品上表現(xiàn)的尤其明顯。而研究表明，影響LED散熱性能的最關(guān)鍵因素是LED的導(dǎo)熱。為了解決LED導(dǎo)熱問題，LED晶片工藝慢慢由正裝結(jié)構(gòu)過渡到倒裝結(jié)構(gòu)。而目前倒裝工藝的固晶材料主要有二種:錫膏和金錫焊料。
[0003]目前倒裝工藝主要采用錫膏封裝為主，其成份以錫銀銅合金為主，導(dǎo)熱系數(shù)約為50W/M.K，雖然其成本低，但LED出光效率也低，并且有殘留物和空洞之先天性缺點，對產(chǎn)品導(dǎo)致較大的安全隱患。倒裝工藝也有部分采用金錫合金封裝，其優(yōu)點是耐溫可高達(dá)280度以上，使得LED可以二次回流。但金錫焊接工藝成本極高，LED出光效率也偏低。以上二種工藝，均同時存在一個問題:產(chǎn)品良率偏低和漏電問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種LED倒裝工藝及倒裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明旨在解決LED出光效率低和漏電冋題。
[0005]為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0006]—種LED倒裝工藝，包括以下步驟:
[0007]將異向?qū)щ娔z均勻涂布于LED基板的焊盤上；
[0008]將LED晶片擺放于已經(jīng)均勻涂布有異向?qū)щ娔z的焊盤上；
[0009]將所述LED基板過回流焊，以使所述異向?qū)щ娔z固化。
[0010]其中，所述異向?qū)щ娔z為各向異性導(dǎo)電膠。
[0011]其中，所述LED基板設(shè)置獨立電路。
[0012]其中，所述LED晶片為InGaN三元倒裝晶片。
[0013]其中，所述LED晶片的P極焊盤與所述基板的P極焊盤對應(yīng)，所述LED晶片的N極焊盤與所述基板的N極焊盤對應(yīng)。
[0014]其中，所述LED基板包括:鋁基板、銅基板、和陶瓷基板。
[0015]其中，所述焊盤的工藝包括電鍍工藝、沉金工藝、和噴錫工藝。
[0016]一種LED倒裝結(jié)構(gòu)，包括:
[0017]LED基板，所述LED基板設(shè)有焊盤；
[0018]異向?qū)щ娔z，均勻涂布于所述LED基板的焊盤上；
[0019]LED晶片，設(shè)置于已經(jīng)均勻涂布有異向?qū)щ娔z的焊盤上。
[0020]其中，所述異向?qū)щ娔z為各向異性導(dǎo)電膠。
[0021 ]其中，所述LED晶片為InGaN三元倒裝晶片。
[0022]本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明提供了一種LED倒裝工藝及倒裝結(jié)構(gòu)。該LED倒裝工藝包括將異向?qū)щ娔z均勻涂布于LED基板的焊盤上;將LED晶片擺放于已經(jīng)均勻涂布有異向?qū)щ娔z的焊盤上;將所述LED基板過回流焊，以使所述異向?qū)щ娔z固化。本發(fā)明中，固晶材料采用異向?qū)щ娔z，提升了 LED的出光效率，可防止LED晶片短路漏電。
【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明【具體實施方式】提供的一種LED倒裝工藝的工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖并通過【具體實施方式】來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0025]如圖1所示，本實施例提供一種LED倒裝工藝，包括以下步驟:
[0026]步驟SlOl，將異向?qū)щ娔z均勻涂布于LED基板的焊盤上。
[0027]本實施例中，所述異向?qū)щ娔z為各向異性導(dǎo)電膠。采用異向?qū)щ娔z做為固晶材料，可以提升5-10%的出光效率，并且能夠杜絕殘留物及空洞問題。且可有效預(yù)防LED晶片短路漏電問題，極大的提升產(chǎn)品良率。
[0028]步驟S102，將LED晶片擺放于已經(jīng)均勻涂布有異向?qū)щ娔z的焊盤上。
[0029]本實施例中，所述LED晶片為InGaN三元倒裝晶片。所述LED晶片的P極焊盤與所述基板的P極焊盤對應(yīng)，所述LED晶片的N極焊盤與所述基板的N極焊盤對應(yīng)。
[0030]步驟S103，將所述LED基板過回流焊，以使所述異向?qū)щ娔z固化。
[0031 ]本實施例中，所述LED基板設(shè)置獨立電路，以提尚廣品的可罪性。所述LED基板包括:鋁基板、銅基板、和陶瓷基板。
[0032]本實施例中，所述焊盤的工藝包括電鍍工藝、沉金工藝、和噴錫工藝。
[0033]本實施例提供一種LED倒裝工藝，在該工藝中，固晶材料采用異向?qū)щ娔z，使得LED的出光效率提升了 5-10%，無殘留物，不會二次污染，杜絕了空洞問題，導(dǎo)熱更高效，可防止LED晶片短路漏電的冋題。
[0034]以下實施例提供一種LED倒裝結(jié)構(gòu)，包括:
[0035]LED基板，所述LED基板設(shè)有焊盤；
[0036]異向?qū)щ娔z，均勻涂布于所述LED基板的焊盤上；
[0037]LED晶片，設(shè)置于已經(jīng)均勻涂布有異向?qū)щ娔z的焊盤上。
[0038]本實施例中，所述異向?qū)щ娔z為各向異性導(dǎo)電膠。所述LED晶片為InGaN三元倒裝曰曰斤°
[0039]本實施例提供一種LED倒裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括LED基板，異向?qū)щ娔z，LED晶片，其中，異向?qū)щ娔z采用各向異性銀膠，使得LED的出光效率提高，可防止LED晶片短路漏電。
[0040]以上結(jié)合具體實施例描述了本發(fā)明的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本發(fā)明的原理，而不能以任何方式解釋為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉?，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本發(fā)明的其它【具體實施方式】，這些方式都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種LED倒裝工藝，其特征在于，包括以下步驟: 將異向?qū)щ娔z均勻涂布于LED基板的焊盤上； 將LED晶片擺放于已經(jīng)均勻涂布有異向?qū)щ娔z的焊盤上； 將所述LED基板過回流焊，以使所述異向?qū)щ娔z固化。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝工藝，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z為各向異性導(dǎo)電膠。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝工藝，其特征在于，所述LED基板設(shè)置獨立電路。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝工藝，其特征在于，所述LED晶片為InGaN三元倒裝晶片。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝工藝，其特征在于，所述LED晶片的P極焊盤與所述基板的P極焊盤對應(yīng)，所述LED晶片的N極焊盤與所述基板的N極焊盤對應(yīng)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝工藝，其特征在于，所述LED基板包括:鋁基板、銅基板、和陶瓷基板。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝工藝，其特征在于，所述焊盤的工藝包括電鍍工藝、沉金工藝、和噴錫工藝。8.一種LED倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: LED基板，所述LED基板設(shè)有焊盤； 異向?qū)щ娔z，均勻涂布于所述LED基板的焊盤上； LED晶片，設(shè)置于已經(jīng)均勻涂布有異向?qū)щ娔z的焊盤上。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z為各向異性導(dǎo)電膠。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED晶片為InGaN三元倒裝晶片。
【文檔編號】H01L33/48GK105914268SQ201610367595
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年5月30日
【發(fā)明人】李二成, 安輝, 鐘桂源, 徐國安
【申請人】深圳市德潤達(dá)光電股份有限公司