一種柔性oled器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種柔性O(shè)LED器件及其制造方法，柔性O(shè)LED器件包括柔性基板、有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層位于柔性基板之上，在所述有機(jī)發(fā)光層上沉積有第一阻隔層，在所述第一阻隔層上制備有緩沖層，在所述緩沖層上沉積有第二阻隔層，在所述第二阻隔層上制備有保護(hù)層。本發(fā)明設(shè)有第一阻隔層和第二阻隔層，還設(shè)有緩沖層和保護(hù)層，并通過干法蝕刻去除由第一阻隔層和第二阻隔層構(gòu)成的阻隔薄膜層部分，采用的薄膜制備工藝的成膜過程中無需使用掩膜板使Pad位區(qū)域露出，降低運(yùn)行成本；避免了更換掩膜板過程產(chǎn)生微粒(particle)和運(yùn)行過程中對基板的擊穿(arcing)損傷，提高封裝薄膜層的水氧阻隔性能和封裝工藝穩(wěn)定性，可延長OLED器件的使用壽命。
【專利說明】
一種柔性O(shè)LED器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明適用于OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性O(shè)LED器件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示技術(shù)是一種利用有機(jī)半導(dǎo)體材料在電流的驅(qū)動下產(chǎn)生的可逆變色來實現(xiàn)顯示的技術(shù)。OLED具有超輕薄、發(fā)光效率高、色彩豐富、低壓直流驅(qū)動、制備工藝簡單和溫度范圍寬等優(yōu)點。OLED采用柔性襯底之后可以制成柔性有機(jī)電致發(fā)光器件，能夠很好地彎曲、折疊，從而實現(xiàn)完全的柔性顯示，OLED顯示技術(shù)被認(rèn)為是最有發(fā)展前途的新一代顯示技術(shù)。
[0003]由于OLED器件所用的金屬陰極一般是鋁、鎂、鈣等活潑金屬，非常容易與滲透進(jìn)來的水汽發(fā)生反應(yīng)，影響電荷的注入；另外，滲透進(jìn)來的水和氧還會與有機(jī)材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，這些反應(yīng)都會引起器件性能的下降。而且OLED發(fā)光材料容易受到水汽和氧氣的影響而變質(zhì)，故OLED器件對水氧阻隔性有較高要求。柔性O(shè)LED顯示器相比普通OLED顯示器更輕薄、耐沖擊，可實現(xiàn)曲面顯示；柔性O(shè)LED顯示器對水氧阻隔性能要求更高，尤其是在彎折過程中，要保持良好的性能，封裝效果決定著柔性O(shè)LED顯示器質(zhì)量，是保證柔性O(shè)LED產(chǎn)品可靠性的基礎(chǔ)。
[0004]目前，柔性O(shè)LED器件主要有兩種封裝方式:一種是在OLED器件上增加一個柔性聚合物蓋板，然后在蓋板上制作阻隔層;另一種是在基板和功能層上制備單層或多層薄膜。薄膜封裝法的優(yōu)勢在于可以使顯示器更薄、更輕，具有更好的柔性。但成膜過程中需使用掩膜板使柔性基板上的pad位的區(qū)域露出，而掩膜板對位和更換過程會產(chǎn)生微粒(particle)，嚴(yán)重影響了薄膜水氧阻隔性能，且存在擊穿(arcing)問題，造成OLED器件損傷;此外，掩膜板需定期維護(hù)和更換，工藝穩(wěn)定性差，運(yùn)行成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種柔性O(shè)LED器件及其制造方法，將由第一阻隔層和第二阻隔層構(gòu)成的阻隔薄膜層部分通過干法蝕刻去除，成膜過程中無需使用掩膜板使Pad位區(qū)域露出，避免了更換掩膜板過程產(chǎn)生微粒(particle)和運(yùn)行過程中對基板的擊穿(arcing)損傷，提高封裝薄膜層的水氧阻隔性能和封裝工藝穩(wěn)定性。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一方面提供一種柔性O(shè)LED器件，包括柔性基板、有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層位于柔性基板之上，在所述有機(jī)發(fā)光層上沉積有第一阻隔層，在所述第一阻隔層上制備有緩沖層，在所述緩沖層上沉積有第二阻隔層，在所述第二阻隔層上制備有保護(hù)層。
[0007]進(jìn)一步地，所述柔性基板包括:鈍化層、透明陽極層、TFT電路層；
[0008]所述有機(jī)發(fā)光層位于柔性基板的TFT電路層之上。
[0009]更進(jìn)一步地，所述TFT電路層與有機(jī)發(fā)光層之間還設(shè)有平坦化層。
[0010]進(jìn)一步地，所述第一阻隔層和第二阻隔層為采用PECVD方法或ALD方法制備的單層阻隔薄膜。
[0011]進(jìn)一步地，所述柔性基板上還設(shè)有Pad位，所述Pad位上的由第一阻隔層和第二阻隔層組成的阻隔薄膜層部分通過干法蝕刻被去除，所述Pad位上部區(qū)域露出，用于驅(qū)動芯片的綁定。
[0012]本發(fā)明另一方面提供一種柔性O(shè)LED器件的制造方法，包括將有機(jī)發(fā)光層設(shè)于柔性基板之上，還包括:
[0013]在所述有機(jī)發(fā)光層上沉積第一阻隔層；
[0014]在所述第一阻隔層上制備緩沖層；
[0015]在所述緩沖層上沉積第二阻隔層；
[0016]在所述第二阻隔層上制備保護(hù)層。
[0017]進(jìn)一步地，將有機(jī)發(fā)光層設(shè)于柔性基板的TFT電路層之上，所述柔性基板還設(shè)有鈍化層和透明陽極層。
[0018]更進(jìn)一步地，在所述TFT電路層與有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)置平坦化層。
[0019]進(jìn)一步地，采用PECVD方法或ALD方法制備單層阻隔薄膜，將所述單層阻隔薄膜作為所述第一阻隔層和第二阻隔層。
[0020]進(jìn)一步地，通過干法蝕刻去除所述柔性基板上設(shè)置的Pad位上的阻隔薄膜層部分，露出所述Pad位上部區(qū)域，用于驅(qū)動芯片的綁定。其中，所述阻隔薄膜層部分由第一阻隔層和第二阻隔層組成。
[0021 ]本發(fā)明柔性O(shè)LED器件及其制造方法的有益效果為:
[0022]本發(fā)明設(shè)有第一阻隔層和第二阻隔層，還設(shè)有緩沖層和保護(hù)層，并通過干法蝕刻去除由第一阻隔層和第二阻隔層構(gòu)成的阻隔薄膜層部分，采用的薄膜制備工藝的成膜過程中無需使用掩膜板使Pad位區(qū)域露出，降低運(yùn)行成本；避免了更換掩膜板過程產(chǎn)生微粒(particle)和運(yùn)行過程中對基板的擊穿(arcing)損傷，提高封裝薄膜層的水氧阻隔性能和封裝工藝穩(wěn)定性，可延長OLED器件的使用壽命。
【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明中柔性O(shè)LED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2是本發(fā)明中柔性O(shè)LED器件的制造方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖具體闡明本發(fā)明的實施方式，附圖僅供參考和說明使用，不構(gòu)成對本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制。
[0026]如圖1所示，本實施例提供一種柔性O(shè)LED器件，包括柔性基板1、有機(jī)發(fā)光層OLED2，所述有機(jī)發(fā)光層2位于柔性基板I之上，在所述有機(jī)發(fā)光層2上沉積有第一阻隔層3，在所述第一阻隔層3上制備有緩沖層4，在所述緩沖層4上沉積有第二阻隔層5，在所述第二阻隔層5上制備有保護(hù)層6。
[0027]所述柔性基板I包括:鈍化層、透明陽極層、TFT電路層;在本實施例中，所述鈍化層為Si0x、SiN、A1203材料中的一種；
[0028]所述有機(jī)發(fā)光層2位于柔性基板I的TFT電路層之上。
[0029]所述TFT電路層與有機(jī)發(fā)光層2之間還設(shè)有平坦化層。
[0030]所述第一阻隔層3為采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法或原子層沉積(ALD)方法制備的單層阻隔薄膜；
[0031]所述PECVD薄膜材料至少為S i Nx、S i Ox、T i 02、S i OC、S i ON或硅系材料中的一種，其厚度范圍在0.Ιμ???5μηι之間；
[0032]所述六0)薄膜材料至少為41203、3丨他、3丨(^^111^02、2“2中的一種，其厚度在5nm?500nm之間。
[0033]所述緩沖層4起到釋放應(yīng)力的作用，采用噴墨打印(IJP)方法制備緩沖層4，所用材料為Si系列、acryl系或樹脂基聚合物等有機(jī)材料，其厚度在0.5μηι?ΙΟμπι之間；
[0034]所述第二阻隔層5為采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposit1n，PECVD)方法或原子層沉積(Atomic layer deposit1n，ALD)方法制備的單層阻隔薄膜；
[0035]所述PECVD薄膜材料為SiNx、Si0x、Ti02、Si0C、Si0N、SiC或其他硅系材料中的一種，其厚度范圍在0.Ιμπι?5μηι之間；
[0036]所述六0)薄膜材料為41203、3丨他、3丨(^^111102中的一種，其厚度范圍在5醒?500nm之間；
[0037]所述保護(hù)層6在干刻工藝過程中用以保護(hù)pad位以外的第一、第二阻隔層材料；
[0038]所述保護(hù)層利用噴墨打印(inkjet print，IJP)方法制備，所用材料為acryl系，Si系列或環(huán)氧樹脂基聚合物等，其厚度范圍在2μηι?20μηι之間；
[0039]所述保護(hù)層材料也可采用貼合方式制備，其材料為PET、PEN、P1、Barrierfilm、aery I基或環(huán)氧樹脂基聚合物，或其他水氧阻隔材料中的一種;其厚度范圍在5μηι?300μηι之間，利用PSA膠水與封裝層粘結(jié)在一起；
[0040]為使封裝層更薄后期可去除保護(hù)層，為達(dá)到易分離的目的，可采用非PSA粘結(jié)方式(比如靜電吸附方式)制備。
[0041]所述保護(hù)層可作為薄膜封裝結(jié)構(gòu)的一部分，采用功能層材料，具有一定的水氧阻隔性能和防刮傷作用;在干法刻蝕工藝中起到防護(hù)作用，干法刻蝕后不用去除;又可作為過程輔助類材料，僅在干法刻蝕工藝中起到保護(hù)作用，在干法刻蝕工藝后可以去除。
[0042]所述柔性基板上還設(shè)有Pad位7，所述Pad位7上的由第一阻隔層3和第二阻隔層5組成的阻隔薄膜層部分通過干法蝕刻被去除，所述Pad位上部區(qū)域露出，用于驅(qū)動芯片的綁定。
[0043]所述干法刻蝕工藝采用激光干刻方式或者等離子(plasma)干刻方式；所述干刻PECVD薄膜材料中的S1x和SiN時采用NF3等離子(plasma)干刻方法，干刻ALD薄膜材料中的A1203時采用BC13等離子(plasma)干刻方法。
[0044]如圖2所示，本實施例還提供一種柔性O(shè)LED器件的制造方法，包括將有機(jī)發(fā)光層2設(shè)于柔性基板I之上，還包括:
[0045]在所述有機(jī)發(fā)光層2上沉積第一阻隔層3;
[0046]在所述第一阻隔層3上制備緩沖層4;
[0047]在所述緩沖層4上沉積第二阻隔層5;
[0048]在所述第二阻隔層5上制備保護(hù)層6。
[0049]在本實施例中，將有機(jī)發(fā)光層2設(shè)于柔性基板I的TFT電路層之上，所述柔性基板還設(shè)有鈍化層和透明陽極層。
[0050]在本實施例中，在所述TFT電路層與有機(jī)發(fā)光層2之間設(shè)置平坦化層。
[0051]在本實施例中，采用PECVD方法或ALD方法制備單層阻隔薄膜，將所述單層阻隔薄膜作為所述第一阻隔層。
[0052 ] 所述PECVD薄膜材料至少為S i Nx、S i Ox、T i 02、S i OC、S i ON或硅系材料中的一種，其厚度范圍在0.Ιμπι?5μηι之間；
[0053]所述六0)薄膜材料至少為六1203、3丨他、3丨(^^111^02、2“2中的一種，其厚度在5nm?500nm之間。
[0054]通過所述緩沖層4釋放應(yīng)力，采用噴墨打印(IJP)方法制備緩沖層4，所用材料為Si系列、aery I系或樹脂基聚合物等有機(jī)材料，其厚度在0.5μηι?ΙΟμπι之間；
[0055]在本實施例中，采用PECVD方法或ALD方法制備單層阻隔薄膜，將所述單層阻隔薄膜作為所述第二阻隔層。
[0056]所述PECVD薄膜材料為SiNx、Si0x、Ti02、Si0C、Si0N、SiC或其他硅系材料中的一種，其厚度范圍在0.Ιμπι?5μηι之間；
[0057]所述六0)薄膜材料為41203、3丨他、3丨(^^111102中的一種，其厚度范圍在511111?500nm之間；
[0058]在干刻工藝過程中，所述保護(hù)層6用以保護(hù)pad位以外的第一、第二阻隔層材料；
[0059]所述保護(hù)層利用IJP方法制備，所用材料為acryl系，Si系列或環(huán)氧樹脂基聚合物等，其厚度范圍在2μπι?20μπι之間；
[0000]所述保護(hù)層材料也可采用貼合方式制備，其材料為PET、PEN、P1、Barrier film、aery I基或環(huán)氧樹脂基聚合物，或其他水氧阻隔材料中的一種;其厚度范圍在5μηι?300μηι之間，利用PSA膠水與封裝層粘結(jié)在一起；
[0061]所述保護(hù)層可為薄膜封裝結(jié)構(gòu)的一部分，既在刻蝕工藝中起到保護(hù)作用，又具有一定的水氧阻隔性能和防刮傷作用；
[0062]所述保護(hù)層也可以作為過程輔助類材料，僅在刻蝕工藝中起到保護(hù)作用，刻蝕工藝后去除；
[0063]在本實施例中，通過干法蝕刻去除所述柔性基板上設(shè)置的Pad位上的阻隔薄膜層部分，露出所述Pad位上部區(qū)域，用于驅(qū)動芯片的綁定。其中，所述阻隔薄膜層部分由第一阻隔層和第二阻隔層組成。
[0064]所述干法刻蝕工藝采用激光干刻方式或者等離子(plasma)干刻方式；所述干刻PECVD薄膜材料中的S1x和SiN時采用NF3等離子(plasma)干刻方法，干刻ALD薄膜材料中的A1203時采用BC13等離子(plasma)干刻方法。
[0065]上述實施例中涉及的工藝術(shù)語說明如下:
[0066]PECVD:等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposit1n)是借助微波或射頻等方式，使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，在基片上沉積出固體薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
[0067]ALD:原子層沉積(Atomic layer deposit1n)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。
[0068]IJP:噴墨打印(ink jet print)是通過程序控制將印刷材料從噴嘴印在承印物上，形成預(yù)定圖案。
[0069]干法刻蝕:通常指利用激光能量或者輝光放電(glowdischarge)產(chǎn)生的包含離子、電子等帶點粒子以及具有高度化學(xué)活性的中性原子、分子及自由基的電漿，來進(jìn)行材料消除的刻蝕技術(shù)。
[0070]如上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種柔性O(shè)LED器件，包括柔性基板、有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層位于柔性基板之上，其特征在于:在所述有機(jī)發(fā)光層上沉積有第一阻隔層，在所述第一阻隔層上制備有緩沖層，在所述緩沖層上沉積有第二阻隔層，在所述第二阻隔層上制備有保護(hù)層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED器件，其特征在于: 所述柔性基板包括:鈍化層、透明陽極層、TFT電路層； 所述有機(jī)發(fā)光層位于柔性基板的TFT電路層之上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性O(shè)LED器件，其特征在于: 所述TFT電路層與有機(jī)發(fā)光層之間還設(shè)有平坦化層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED器件，其特征在于: 所述第一阻隔層和第二阻隔層為采用PECVD方法或ALD方法制備的單層阻隔薄膜。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED器件，其特征在于: 所述柔性基板上還設(shè)有Pad位，所述Pad位上的由第一阻隔層和第二阻隔層組成的阻隔薄膜層部分通過干法蝕刻被去除，所述Pad位上部區(qū)域露出。6.一種柔性O(shè)LED器件的制造方法，包括將有機(jī)發(fā)光層設(shè)于柔性基板之上，其特征在于，還包括: 在所述有機(jī)發(fā)光層上沉積第一阻隔層； 在所述第一阻隔層上制備緩沖層； 在所述緩沖層上沉積第二阻隔層； 在所述第二阻隔層上制備保護(hù)層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性O(shè)LED器件的制造方法，其特征在于: 將有機(jī)發(fā)光層設(shè)于柔性基板的TFT電路層之上，所述柔性基板還設(shè)有鈍化層和透明陽極層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的柔性O(shè)LED器件的制造方法，其特征在于: 在所述TFT電路層與有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)置平坦化層。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性O(shè)LED器件的制造方法，其特征在于: 采用PECVD方法或ALD方法制備單層阻隔薄膜，將所述單層阻隔薄膜作為所述第一阻隔層和第二阻隔層。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性O(shè)LED器件，其特征在于: 通過干法蝕刻去除所述柔性基板上設(shè)置的Pad位上的阻隔薄膜層部分，露出所述Pad位上部區(qū)域，其中，所述阻隔薄膜層部分由第一阻隔層和第二阻隔層組成。
【文檔編號】H01L51/50GK105957976SQ201610431449
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年6月15日
【發(fā)明人】陳升東, 馬昆松, 柯賢軍, 蘇君海, 李建華
【申請人】信利（惠州）智能顯示有限公司