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      指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法

      文檔序號(hào):10614455閱讀:646來源:國知局
      指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法,所述指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)包括:一基板;一芯片,堆疊于所述基板的頂面上;所述芯片和基板之間用膠帶粘接;封裝結(jié)構(gòu)的封裝空間內(nèi)填充有絕緣樹脂,所述芯片通過金線鍵合技術(shù)電性連接至所述基板。本發(fā)明所述指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法相較于現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn):采用多段式放線,每個(gè)放線階段都精確控制,在前4個(gè)階段放出適量線之后,通過后2個(gè)階段再進(jìn)行高度及強(qiáng)度控制,可以有效達(dá)到超低弧高,小于60μm,且不會(huì)出現(xiàn)斷裂及損傷,有效獲得更好的指紋信號(hào)。
      【專利說明】
      指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本發(fā)明屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法。【背景技術(shù)】
      [0002]在指紋識(shí)別封裝領(lǐng)域,為了獲得更好的指紋信號(hào),金線線弧高度必須控制在60wn 以下。傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝使用金線進(jìn)行芯片功能連接,常規(guī)焊線制程的線弧高度需要控制在 75mi以上。原因是當(dāng)線弧高度低于75mi時(shí),線弧由于過于緊繃,張力增加,易拉傷線弧,當(dāng)線弧張力超過線材本身延展力時(shí),會(huì)使線弧斷裂。
      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的是提供一種指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法,可以使得金線線弧高度最終低于60M1,以便在超低線弧高度的情況下完成指紋產(chǎn)品的封裝,獲得更好的指紋信號(hào)。
      [0004]為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
      [0005]—種指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法,所述指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)包括:一基板;一芯片,堆疊于所述基板的頂面上;所述芯片和基板之間用膠帶粘接;封裝結(jié)構(gòu)的封裝空間內(nèi)填充有絕緣樹脂,所述芯片通過金線鍵合技術(shù)電性連接至所述基板,其特征在于,所述金線的打線方法包括以下步驟:
      [0006] (1)在將焊球焊在焊墊上之后,瓷嘴沿Z方向放出大約35?45M1的金線作為線弧的基礎(chǔ)高度;所述Z方向?yàn)榛逋酒拇怪毕蛏系姆较?;所述瓷嘴為毛?xì)管劈刀;
      [0007]垂直放出的金線能最大程度上減少瓷嘴在放線過程中對(duì)金線的損傷,以最大化保持金線的韌性,避免后續(xù)的線弧動(dòng)作破壞線弧結(jié)構(gòu)。
      [0008] (2)當(dāng)瓷嘴達(dá)到距離焊墊35?45WI1時(shí),瓷嘴停止Z方向運(yùn)動(dòng),開始沿基板往芯片方向放出約5?lOym的金線;
      [0009]該段金線用于保證最終線弧形成后,線弧最高點(diǎn)在焊墊上方。反向放線量過小,線弧會(huì)呈現(xiàn)出前傾的現(xiàn)象,線弧內(nèi)部張力增加,容易拉斷線弧;反向放線量過大,線弧過于松她,易造成線弧尚度不穩(wěn)。
      [0010] (3)停止放線,瓷嘴向Z反方向,即向芯片往基板的垂直向下的方向壓低3?5WI1,將線弧壓出輕微弧度;
      [0011] (4)繼續(xù)沿Z方向放出10?15mi的金線;[〇〇12] (5)停止放線,沿芯片往基板方向移動(dòng)5?lOwii,使瓷嘴再次回到焊墊正上方;[0〇13] (6)利用瓷嘴向下壓10?15WI1,使最終的金線線弧高度達(dá)到<60wii。同時(shí),在下壓過程中,折疊處通過壓力進(jìn)行結(jié)合,極大增加折疊處的金線強(qiáng)度,從而達(dá)到本發(fā)明的目的: 既將線弧高度控制在60mi以下,也不會(huì)出現(xiàn)斷裂現(xiàn)象。
      [0014] 有益效果:
      [0015]本發(fā)明所述指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法相較于現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn):采用多段式放線,每個(gè)放線階段都精確控制,在前4個(gè)階段放出適量線之后,通過后2個(gè)階段再進(jìn)行高度及強(qiáng)度控制,可以有效達(dá)到超低弧高,小于60M1,且不會(huì)出現(xiàn)斷裂及損傷,有效獲得更好的指紋信號(hào)。【附圖說明】
      [0016]圖1為本發(fā)明所述指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0017]圖2為本發(fā)明所述指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法的流程示意圖;
      [0018]圖3為本發(fā)明所述指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線微觀結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0019]其中,1、基板;2、芯片;3、膠帶;4、金線;5、絕緣樹脂?!揪唧w實(shí)施方式】
      [0020]以下結(jié)合附圖及優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的說明。
      [0021]實(shí)施例:
      [0022]如圖1?圖3所示:本實(shí)施例所揭示的一種指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法,所述指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)包括:一基板1; 一芯片2,堆疊于所述基板1的頂面上;所述芯片2和基板1之間用膠帶3粘接;封裝結(jié)構(gòu)的封裝空間內(nèi)填充有絕緣樹脂5,所述芯片2通過金線4鍵合技術(shù)電性連接至所述基板,所述金線4的打線方法包括以下步驟:[〇〇23](1)在將焊球焊在焊墊上之后,瓷嘴沿Z方向放出大約35?45mi的金線作為線弧的基礎(chǔ)高度;所述Z方向?yàn)榛逋酒拇怪毕蛏系姆较?;所述瓷嘴為毛?xì)管劈刀;
      [0024]垂直放出的金線能最大程度上減少瓷嘴在放線過程中對(duì)金線的損傷,以最大化保持金線的韌性,避免后續(xù)的線弧動(dòng)作破壞線弧結(jié)構(gòu)。[〇〇25](2)當(dāng)瓷嘴達(dá)到距離焊墊35?45wii時(shí),瓷嘴停止Z方向運(yùn)動(dòng),沿基板往芯片方向放出約5?lOym的金線;
      [0026]該段金線用于保證最終線弧形成后,線弧最高點(diǎn)在焊墊上方。反向放線量過小,線弧會(huì)呈現(xiàn)出前傾的現(xiàn)象,線弧內(nèi)部張力增加,容易拉斷線弧;反向放線量過大,線弧過于松她,易造成線弧尚度不穩(wěn)。[〇〇27](3)停止放線,瓷嘴向Z反方向壓低3?5mi,將線弧壓出輕微弧度;[〇〇28](4)繼續(xù)沿Z方向放出10?15mi的金線;[〇〇29](5)沿芯片往基板方向移動(dòng)5?10M1,使瓷嘴再次回到焊墊正上方;[〇〇3〇](6)利用瓷嘴向下壓10?15圓,使最終的金線線弧高度達(dá)到<60圓。同時(shí),在下壓過程中,折疊處通過壓力進(jìn)行結(jié)合,極大增加折疊處的金線強(qiáng)度,從而達(dá)到本發(fā)明的目的: 即將線弧高度控制在60mi以下,也不會(huì)出現(xiàn)斷裂現(xiàn)象。
      [0031]需要指出的是,以上所述者僅為用以解釋本發(fā)明之較佳實(shí)施例,并企圖據(jù)以對(duì)本發(fā)明作任何形式上之限制,是以,凡有在相同之實(shí)用型精神下所作有關(guān)本發(fā)明之任何修飾或變更,皆仍應(yīng)包括在本發(fā)明意圖保護(hù)之范疇。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)的金線打線方法,所述指紋產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)包括:一基板;一芯 片,堆疊于所述基板的頂面上;所述芯片和基板之間用膠帶粘接;封裝結(jié)構(gòu)的封裝空間內(nèi)填 充有絕緣樹脂,所述芯片通過金線鍵合技術(shù)電性連接至所述基板,其特征在于,所述金線的 打線方法包括以下步驟:(1)在將焊球焊在焊墊上之后,瓷嘴沿Z方向放出大約35?45WI1的金線作為線弧的基礎(chǔ) 高度;所述Z方向?yàn)榛逋酒拇怪毕蛏系姆较颍凰龃勺鞛槊?xì)管劈刀;(2)當(dāng)瓷嘴達(dá)到距離焊墊35?45mi時(shí),瓷嘴停止Z方向運(yùn)動(dòng),沿基板往芯片方向放出約5 ?lOym的金線;(3)停止放線,瓷嘴向Z反方向壓低3?5mi,將線弧壓出輕微弧度;(4)繼續(xù)沿Z方向放出10?1 5mi的金線;(5)停止放線,沿芯片往基板方向移動(dòng)5?lOwii,使瓷嘴再次回到焊墊正上方;(6)利用瓷嘴向下壓10?15wii,使最終的金線線弧高度達(dá)到<60ym。
      【文檔編號(hào)】H01L21/60GK105977174SQ201610532576
      【公開日】2016年9月28日
      【申請(qǐng)日】2016年7月7日
      【發(fā)明人】倪俊陽
      【申請(qǐng)人】力成科技(蘇州)有限公司
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