層疊電容器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明所涉及的層疊電容器，其素體具有互相相對的一對主面、互相相對的一對側(cè)面、互相相對的另外的一對側(cè)面。一對端子電極具有配置于主面的第一電極部分、配置于側(cè)面的第二電極部分。在一對主面相對的方向上的素體的長度小于在一對側(cè)面相對的方向上的素體的長度，并且小于在另外的一對側(cè)面相對的方向上的素體的長度。第一電極部分的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20～0.26μm。第二電極部分的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27～0.38μm。
【專利說明】
層疊電容器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及層疊電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]具備呈現(xiàn)長方體形狀的素體、多個內(nèi)部電極、一對端子電極的層疊電容器是為人們所知的(例如參照日本專利申請公開2005-243835號公報)。素體具有互相相對的一對主面、互相相對的一對側(cè)面、互相相對的另外的一對側(cè)面。多個內(nèi)部電極是以在一對主面相對的方向上相對的形式被配置于素體內(nèi)。一對端子電極分別被配置于在另外的一對側(cè)面相對的方向上的素體的兩端部。一對端子電極被連接于多個內(nèi)部電極中對應(yīng)的內(nèi)部電極。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本專利申請公開2005-243835號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]關(guān)于信息終端設(shè)備等電子設(shè)備，小型化以及薄型化正在日新月異地發(fā)展著。伴隨于此，關(guān)于被搭載于電子設(shè)備的基板或被搭載于基板的電子元件，小型化以及高密度安裝化也正在不斷發(fā)展。為了謀求電子設(shè)備的進一步小型化而要開發(fā)電子元件內(nèi)藏基板。關(guān)于電子元件內(nèi)藏基板是以電子元件被埋入到基板內(nèi)部的狀態(tài)將電子元件安裝于基板。被形成于基板的配線和被埋入的電子元件確實有被電連接的必要。然而，就日本專利申請公開2005-243835號公報所記載的層疊電容器而言沒有考慮到有關(guān)對基板的埋入(對基板的內(nèi)藏)以及與被形成于基板的配線的電連接。
[0007]本發(fā)明就是借鑒了以上所述的沒有考慮到的技術(shù)問題而做出的不懈努力之結(jié)果，其目的在于提供一種既能夠謀求到薄型化并確保與被形成于基板的配線的連接性又能夠恰當(dāng)?shù)貎?nèi)藏于基板的層疊電容器。
[0008]本發(fā)明的一個方式所涉及的層疊電容器具備呈現(xiàn)長方體形狀的素體、多個內(nèi)部電極以及一對端子電極。素體具有互相相對的一對主面、互相相對的一對側(cè)面、互相相對的另外的一對側(cè)面。多個內(nèi)部電極是以在一對主面互相相對的方向上相對的形式被配置于素體內(nèi)。一對端子電極被連接于多個內(nèi)部電極中對應(yīng)的內(nèi)部電極。各個端子電極具有被配置于主面的第一電極部分、被配置于側(cè)面的第二電極部分。在一對主面相對的方向上的素體的長度小于在一對側(cè)面相對的方向上的素體的長度，并且小于在另外的一對側(cè)面相對的方向上的素體的長度。第一電極部分的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20?0.26μπι。第二電極部分的表面的算術(shù)粗糙度為0.27?0.38μπι。
[0009]關(guān)于以上所述的一個方式所涉及的層疊電容器，在一對主面相對的方向上的素體的長度小于在一對側(cè)面相對的方向上的素體的長度，并且小于在另外的一對側(cè)面相對的方向上的素體的長度。為此，以上所述的一個方式所涉及的層疊電容器能夠謀求到薄型化并且適合于對基板的內(nèi)藏。各個端子電極具有被配置于主面的第一電極部分。為此，以上所述的一個方式所涉及的層疊電容器在上述主面?zhèn)饶軌蚺c被形成于基板的配線相電連接。因此，以上所述的一個方式所涉及的層疊電容器能夠容易地內(nèi)藏于基板。
[0010]層疊電容器在被配置于基板的容納部之后通過將樹脂充填于容納部從而被內(nèi)藏于基板。在層疊電容器被內(nèi)藏于基板之后，將到達各個端子電極(第一電極部分)的通孔形成于基板。之后，將導(dǎo)體形成于通孔內(nèi)。被形成于通孔內(nèi)的導(dǎo)體與第一電極部分相連接。
[0011]關(guān)于以上所述一個方式所涉及的層疊電容器，第一電極部分的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20?0.26μπι，第二電極部分的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27?0.38μπι。為此，能夠防止空隙發(fā)生于被形成于通孔內(nèi)的導(dǎo)體與第一電極部分之間。還能夠防止空隙發(fā)生于被充填于容納部的樹脂與第二電極部分之間。也能夠防止上述導(dǎo)體與第一電極部分發(fā)生剝離。同時也能夠防止上述樹脂與第二電極部分發(fā)生剝離。這些結(jié)果使得以上所述的一個方式所涉及的層疊電容器既確保了與被形成于基板的配線的連接性又能夠恰當(dāng)?shù)貎?nèi)藏于基板。
[0012]素體中的從一對端子電極露出的部分的表面的算術(shù)平均粗糙度也可以是0.14?0.19μπι。在此情況下，能夠防止空隙發(fā)生于被充填于容納部的樹脂與素體之間。能夠防止上述樹脂與素體發(fā)生剝離。這些結(jié)果導(dǎo)致本例示的層疊電容器能夠更進一步恰當(dāng)?shù)貎?nèi)藏于基板。
[0013]本發(fā)明通過以下給出的詳細(xì)說明和參照附圖將會變得更加清楚，但是，這些說明和附圖僅僅是為了說明本發(fā)明而舉出的例子，不能被認(rèn)為是對本發(fā)明的限定。
[0014]以下給出的詳細(xì)說明將會更加清楚地表述本發(fā)明的應(yīng)用范圍。但是，這些詳細(xì)說明和特殊實例、以及優(yōu)選實施方案，只是為了舉例說明而舉出的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然能夠理解本發(fā)明的各種變化和修改都在本發(fā)明的宗旨和范圍內(nèi)。
【附圖說明】
[0015]圖1是表示一個實施方式所涉及的層疊電容器的立體圖。
[0016]圖2是表示本實施方式所涉及的層疊電容器的平面圖。
[0017]圖3是為了說明沿著圖2中的II1-1II線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0018]圖4是為了說明沿著圖2中的IV-1V線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0019]圖5是為了說明沿著圖2中的V-V線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0020]圖6是為了說明沿著圖2中的V1-VI線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0021]圖7Α是表示第一內(nèi)部電極的平面圖，圖7Β是表示第二內(nèi)部電極的平面圖。
[0022]圖8是為了說明本實施方式所涉及的層疊電容器的安裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0023]圖9是表示各個試樣中的空隙的發(fā)生個數(shù)以及剝離的發(fā)生個數(shù)的圖表。
[0024]圖10是表示各個試樣中的空隙的發(fā)生個數(shù)以及剝離的發(fā)生個數(shù)的圖表。
【具體實施方式】
[0025]以下是參照附圖并就本發(fā)明的實施方式進行詳細(xì)說明。還有，在說明過程中將相同符號標(biāo)注于相同要素或者具有相同功能的要素，省并略重復(fù)的說明。
[0026]參照圖1?圖6并就本實施方式所涉及的層疊電容器Cl的結(jié)構(gòu)進行說明。圖1是表示本實施方式所涉及的層疊電容器的立體圖。圖2是表示本實施方式所涉及的層疊電容器的平面圖。圖3是為了說明沿著圖2中的II1-1II線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4是為了說明沿著圖2中的IV-1V線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5是為了說明沿著圖2中的V-V線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6是為了說明沿著圖2中的V1-VI線的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0027]層疊電容器Cl如圖1?圖6所示具備呈現(xiàn)長方體形狀的素體2、被配置于素體2的外表面的第一端子電極5以及第二端子電極7。第一端子電極5與第二端子電極7是分開的。長方體形狀包括角部以及棱線部被倒角的長方體形狀、角部以及棱線部被弄圓的長方體形狀。
[0028]素體2具有作為其外表面的互相相對的大致長方形狀的一對主面2a，2b、互相相對的一對第一側(cè)面2c，2d、互相相對的一對第二側(cè)面2e，2f。一對主面2a，2b相對的方向為第一方向Dl，一對第一側(cè)面2c，2d相對的方向為第二方向D2，一對側(cè)面2e，2f相對的方向為第三方向D3。在本實施方式中，第一方向Dl為素體2的高度方向。第二方向D2為素體2的寬度方向，并與第一方向Dl相垂直。第三方向D3為素體2的長度方向，并與第一方向Dl和第二方向D2相垂直。
[0029]素體2的第一方向Dl的長度小于素體2的第三方向D3的長度，并且小于素體2的第二方向D2的長度。素體2的第三方向D3的長度大于素體2的第二方向D2的長度。素體2的第三方向D3的長度例如為0.4?1.6mm。素體2的第二方向D2的長度例如為0.2?0.8mm。素體2的第一方向Dl的長度例如為0.1?0.35mm。層疊電容器Cl為超薄型的層疊電容器。素體2的第二方向D2的長度也可以與素體2的第三方向D3的長度相同等。素體2的第二方向D2的長度也可以大于素體2的第三方向D3的長度。
[0030]同等并不一定是僅僅指值為一致的結(jié)果。即使是在預(yù)先設(shè)定的范圍中的微小差異或者制造誤差等包含于這個值的情況下則這個值也為同等。例如，在多個值包含于該多個值的平均值的±5%的范圍內(nèi)的情況下，該多個值也可以規(guī)定為同等。
[0031]一對第一側(cè)面2c，2d以連結(jié)主面2a和主面2b之間的形式在第一方向Dl上進行延伸。一對第一側(cè)面2c，2d也在第三方向D3( —對主面2a，2b的長度方向)上進行延伸。一對第二側(cè)面2e，2f以連結(jié)主面2a與主面2b之間的形式在第一方向Dl上進行延伸。一對第二側(cè)面2e，2f也在第二方向D2( —對主面2a，2b的短邊方向)上進行延伸。
[0032]素體2是通過在主面2a與主面2b相對的方向(第一方向Dl)上層疊多層電介質(zhì)層來構(gòu)成的。素體2上，多層電介質(zhì)層的層疊方向與第一方向Dl相一致。各個電介質(zhì)層例如是由含有電解質(zhì)材料[BaT13類、Ba(Ti，Zr)03類、或者(Ba，Ca)Ti03類等電解質(zhì)陶瓷]的陶瓷坯料薄片的燒結(jié)體構(gòu)成。在實際的素體2中，各個電介質(zhì)層以不能夠目視確認(rèn)各個電介質(zhì)層之間的邊界的程度被一體化。
[0033]層疊電容器Cl如圖3?圖6所示具備多個第一內(nèi)部電極11、多個第二內(nèi)部電極13。第一以及第二內(nèi)部電極11，13含有作為層疊型電器元件的內(nèi)部電極被通常使用導(dǎo)電性材料(例如Ni或者Cu等)。第一以及第二內(nèi)部電極11，13是作為含有上述導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電性漿料的燒結(jié)體來構(gòu)成的。
[0034]第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極13在第一方向Dl上被配置于不同的位置(層)。第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極13在素體2內(nèi)是以在第一方向Dl上具有間隔并相對的形式被交替配置。第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極13彼此極性不同。
[0035]各個第一內(nèi)部電極11如圖7A所示包含主電極部Ila和連接部lib。連接部Ilb從主電極部Ila的一邊(一方的短邊)進行延伸，并露出于第二側(cè)面2e。第一內(nèi)部電極11露出于第二側(cè)面2e，但不露出于一對主面2a，2b、一對第一側(cè)面2c，2d以及第二側(cè)面2f。主電極部Ila和連接部I Ib被一體形成。
[0036]主電極部Ila呈現(xiàn)第三方向D3為長邊方向并且第二方向D2為短邊方向的矩形狀。在各個第一內(nèi)部電極11的主電極部Ila上，第三方向D3的長度大于第二方向D2的長度。連接部I Ib從主電極部I Ia的第二側(cè)面2e側(cè)的端部延伸至第二側(cè)面2e。連接部I Ib的第三方向D3的長度小于主電極部Ila的第三方向D3的長度。連接部Ilb的第二方向D2的長度與主電極部Ila的第二方向D2的長度相同等。連接部Ilb在露出于第二側(cè)面2e的端部被連接于第一端子電極5。連接部Ilb的第二方向D2的長度也可以小于主電極部Ila的第二方向D2的長度。
[0037]各個第二內(nèi)部電極13如圖7B所示包含主電極部13a和連接部13b。主電極部13a以第一方向Dl通過素體2的一部分(電介質(zhì)層)與主電極部I Ia相對。連接部13b從主電極部13a的一邊(一方的短邊)進行延伸，并露出于第二側(cè)面2f。第二內(nèi)部電極13露出于第二側(cè)面2f，但不露出于一對主面2a，2b、一對第一側(cè)面2c，2d以及第二側(cè)面2e。主電極部13a和連接部13b被一體形成。
[0038]主電極部13a呈現(xiàn)第三方向D3為長邊方向并且第二方向D2為短邊方向的矩形狀。在各個第二內(nèi)部電極13的主電極部13a上，第三方向D3的長度大于第二方向D2的長度。連接部13b從主電極部13a的第二側(cè)面2f側(cè)的端部延伸至第二側(cè)面2f。連接部13b的第三方向D3的長度小于主電極部13a的第三方向D3的長度。連接部13b的第二方向D2的長度與主電極部13a的第二方向D2的長度相同等。連接部13b在露出于第二側(cè)面2f的端部被連接于第二端子電極7。連接部13b的第二方向D2的長度也可以小于主電極部13a的第二方向D2的長度。
[0039]第一端子電極5在第三方向D3上來看是位于素體2上的第二側(cè)面2e側(cè)的端部。第一端子電極5具有被配置于主面2a的電極部分5a、被配置于主面2b的電極部分5b、被配置于第二側(cè)面2e的電極部分5c以及被配置于一對第一側(cè)面2c，2d的電極部分5d。第一端子電極5被形成于5個面2a ,2b, 2c, 2d, 2e。互相鄰接的電極部分5a ,5b, 5c, 5d彼此在素體2的棱線部上被連接，并且被互相電連接。
[0040]電極部分5a和電極部分5c在主面2a與第二側(cè)面2e之間的棱線部上被連接。電極部分5a和電極部分5d在主面2a與各個第一側(cè)面2c，2d之間的棱線部上被連接。電極部分5b和電極部分5c在主面2b與第二側(cè)面2e之間的棱線部上被連接。電極部分5b和電極部分5d在主面2b與各個第一側(cè)面2c，2d之間的棱線部上被連接。電極部分5c和電極部分5d在第二側(cè)面2e與各個第一側(cè)面2c，2d之間的棱線部上被連接。
[0041]電極部分5c是以完全覆蓋各個連接部Ilb的露出于第二側(cè)面2e的部分的形式被配置。連接部Ilb被直接連接于第一端子電極5。連接部Ilb連接主電極部Ila和電極部分5c。各個第一內(nèi)部電極11被電連接于第一端子電極5。
[0042]第二端子電極7在第三方向D3上來看是位于素體2上的第二側(cè)面2f側(cè)的端部。第二端子電極7具有被配置于主面2a的電極部分7a、被配置于主面2b的電極部分7b、被配置于第二側(cè)面2f的電極部分7c以及被配置于一對第一側(cè)面2c，2d的電極部分7d。第二端子電極7被形成于5個面2a ,2b,2c,2d, 2f?；ハ噜徑拥碾姌O部分7a ,7b,7c, 7d彼此在素體2的棱線部上被連接，并且被互相電連接。
[0043]電極部分7a和電極部分7c在主面2a與第二側(cè)面2f之間的棱線部上被連接。電極部分7a和電極部分7d在主面2a與各個第一側(cè)面2c，2d之間的棱線部上被連接。電極部分7b和電極部分7c在主面2b與第二側(cè)面2f之間的棱線部上被連接。電極部分7b和電極部分7d在主面2b與各個第一側(cè)面2c，2d之間的棱線部上被連接。電極部分7c和電極部分7d在第二側(cè)面2f與各個第一側(cè)面2c，2d之間的棱線部上被連接。
[0044]電極部分7c是以完全覆蓋各個連接部13b的露出于第二側(cè)面2f的所有部分的形式被配置。連接部13b被直接連接于第二端子電極7。連接部13b連接主電極部13a和電極部分7c。各個第二內(nèi)部電極13被電連接于第二端子電極7。
[0045]第一端子電極5和第二端子電極7以第三方向D3進行分開。即，素體2在第一端子電極5與第二端子電極7之間露出。被配置于主面2a的電極部分5a和電極部分7a在主面2a上在第三方向D3分開。被配置于主面2b的電極部分5b和電極部分7b在主面2b上在第三方向D3分開。被配置于第一側(cè)面2c的電極部分5d和電極部分7d在第一側(cè)面2c上以第三方向D3進行分開。被配置于第一側(cè)面2d的電極部分5d和電極部分7d在第一側(cè)面2d上在第三方向D3分開。
[0046]第一以及第二端子電極5，7分別具有第一電極層21、第二電極層23以及第三電極層25。各個電極部分5a，5b，5c，5d和各個電極部分7a，7b，7c，7d分別具有第一電極層21、第二電極層23以及第三電極層25。第三電極層25為第一以及第二端子電極5，7的最外層。
[0047]第一電極層21是通過將導(dǎo)電性漿料涂布于素體2表面并加以燒結(jié)來形成的。第一電極層21為燒結(jié)導(dǎo)體層(燒結(jié)金屬層)。第一電極層21是由Cu構(gòu)成的燒結(jié)導(dǎo)體層。第一電極層21也可以是由Ni構(gòu)成的燒結(jié)導(dǎo)體層。第一電極層21含有Cu或者Ni。在導(dǎo)電性漿料中例如在由Cu或者Ni構(gòu)成的粉末中混合玻璃成分和有機粘結(jié)劑以及有機溶劑。第一電極層21的厚度例如為最大20μηι，最小5μηι。
[0048]第二電極層23由電鍍法而被形成于第一電極層21上。在本實施方式中，第二電極層23是由鍍Ni而被形成于第一電極層21上的Ni鍍層。第二電極層23也可以是Sn鍍層。第二電極層23含有Ni或者Sn。第二電極層23的厚度例如為I?5μπι。
[0049]第三電極層25由電鍍法而被形成于第二電極層23上。在本實施方式中，第三電極層25是由鍍Cu而被形成于第二電極層23上的Cu鍍層。第三電極層25也可以是Au鍍層。第三電極層25含有Cu或者Au。第三電極層25的厚度例如為I?15μπι。
[0050]如以上所述在本實施方式中素體2的第一方向Dl的長度小于素體2的第三方向D3的長度，并且小于素體2的第二方向D2的長度。為此，能夠謀求到層疊電容器Cl的薄型化，并且層疊電容器Cl適合于對基板的內(nèi)藏。第一端子電極5具有被配置于主面2a，2b的電極部分5a，5b，第二端子電極7具有被配置于主面2a，2b的電極部分7a，7b。為此，層疊電容器Cl在素體2的主面2a側(cè)、素體2的主面2b側(cè)、或者素體2的兩主面2a，2b側(cè)與被形成于基板的配線相電連接是可能的。因此，層疊電容器Cl能夠容易地內(nèi)藏于基板。
[0051]層疊電容器Cl如圖8所示被埋入并安裝于基板31。層疊電容器Cl被內(nèi)藏于基板31。圖8是為了說明本實施方式所涉及的層疊電容器的安裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0052]基板31是通過層疊多層絕緣層33來進行構(gòu)成的。絕緣層33是由陶瓷或者樹脂等絕緣性材料構(gòu)成，并且有粘結(jié)而互為一體化。
[0053]層疊電容器Cl被配置于已在基板31上形成的容納部31a。層疊電容器Cl由被充填于容納部31a的樹脂34而被固定于基板31。層疊電容器Cl被埋入到基板31內(nèi)。在圖8所表示的安裝結(jié)構(gòu)中，層疊電容器Cl是以素體2的主面2b與容納部31a的底部相對的形式被配置于容納部31a。
[0054]層疊電容器Cl通過通孔導(dǎo)體45，47而與被配置于基板31表面的電極35，37相電連接。在圖8所表示的安裝結(jié)構(gòu)中，第一端子電極5的電極部分5a通過通孔導(dǎo)體45而與電極35相電連接。第二端子電極7的電極部分7a通過通孔導(dǎo)體47而與電極37相電連接。
[0055]通孔導(dǎo)體45，47是通過使導(dǎo)體金屬(例如Cu或者Au等)生長于被形成于基板31的通孔內(nèi)來形成的。導(dǎo)電性金屬的生長例如是由無電解電鍍來實現(xiàn)的。通孔是以從基板31的表面?zhèn)鹊竭_層疊電容器Cl的第一以及第二端子電極5，7的電極部分5a，7a的形式進行形成的。通孔例如是由激光加工來形成的。
[0056]在層疊電容器Cl中，電極部分5a，7a具有作為鍍層的第三電極層25。因此，能夠切實地連接被形成于通孔的通孔導(dǎo)體45，47和電極部分5a，7a。在通孔導(dǎo)體45，47是由電鍍來形成的情況下，通孔導(dǎo)體45,47和電極部分5a, 7a更進一步被切實地連接。
[0057]在此，就電極部分5a ,5b,7a, 7b的表面粗糙度以及電極部分5c，5d，7c，7d的表面粗糙度作如下詳細(xì)說明。
[0058]本發(fā)明人為了明確電極部分5a，5b，7a，7b的表面粗糙度的范圍和電極部分5c，5d，7 c，7d的表面粗糙度的范圍而進行了以下所述試驗。準(zhǔn)備電極部分5a,5b,5c,5d,7a,7b,7c,7d的表面粗糙度不同的試樣I?19，確認(rèn)各個試樣I?19中的空隙的發(fā)生個數(shù)以及剝離的發(fā)生個數(shù)。其結(jié)果被表示于圖9中。圖9是表示各個試樣中的空隙的發(fā)生個數(shù)以及剝離的發(fā)生個數(shù)的圖表。
[0059]電極部分5a,5b,5c,5d,7a,7b,7c,7d的表面粗糙度例如通過使在形成第一電極層21的時候被使用的導(dǎo)電性漿料有所不同從而就會發(fā)生改變。表面粗糙度由包含于導(dǎo)電漿料的金屬粉末(例如Ni粉或者Cu粉等)的粒徑大小而會有所改變。金屬粉末的粒徑越大則表面粗糙度就會變得越大。因此，例如通過用在形成電極部分5a，5b，7a，7b的時候被使用的導(dǎo)電性漿料和在形成電極部分5c，5d，7c，7d的時候被使用的導(dǎo)電性漿料來改變金屬粉末的粒徑，從而就能夠改變表面粗糙度。除了使在形成第一電極層21的時候被使用的導(dǎo)電性漿料有所不同之外，在形成第一電極層21之后即使對第一電極層21的表面實行粗化處理或者研磨處理也能夠改變表面粗糙度。
[0060]電極部分5a，5b，5c，5d，7a，7b，7c，7d的表面粗糙度是使用算數(shù)平均粗糙度(Ra)。算術(shù)平均粗糙度(Ra)被定義成JIS B 0601:2013(IS0 4287:1997)。
[0061]各個試樣I?19為包含多個樣品的批次。各個試樣I?19的樣品除了以上所述的表面粗糙度有所不同的這一點之外結(jié)構(gòu)相同。在各個試樣I?19的樣品中，素體2的第一方向Dl的長度為0.17mm，素體2的第二方向D2的長度為0.49mm，素體2的第三方向D3的長度為0.98mm。
[0062]在試樣I的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.15μm，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.19μπι。在試樣2的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.15μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.25μπι。在試樣3的各個樣品中，電極部分5a，5b，7a，7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.15μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.38μπι。
[0063]在試樣4的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20μm，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.18μπι。在試樣5的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27μπι。在試樣6的各個樣品中，電極部分5a，5b，7a，7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.34μπι。
[0064]在試樣7的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20μm，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.38μπι。在試樣8的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.40μπι。在試樣9的各個樣品中，電極部分5a，5b，7a，7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.23μπι，電極部分5c MJc, 7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.25μπι。
[0065]在試樣10的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.23μm，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.28μπι。在試樣11的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.23μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.32μπι。在試樣12的各個樣品中，電極部分5a，5b，7a，7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.23μπι，電極部分5c MJc, 7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.37μπι。
[0066]在試樣丨3的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.23μm，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.40μπι。在試樣14的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.26μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.25μπι。在試樣15的各個樣品中，電極部分5a，5b，7a，7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.26μπι，電極部分5c MJc, 7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27μπι。
[0067]在試樣16的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.26μm，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.32μπι。在試樣17的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.26μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.38μπι。在試樣18的各個樣品中，電極部分5a，5b，7a，7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.26μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.40μπι。在試樣19的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.30μπι，電極部分5c ,5d,7c,7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27μπι。
[0068]空隙發(fā)生個數(shù)是以以下所述形式求得的。首先，每組試樣I?19挑選10個樣品。在將挑選好的試樣配置于基板31的容納部31a之后將樹脂34充填于容納部31a并將樣品埋入到基板31。之后，由激光加工將到達第一以及第二端子電極5，7的通孔形成于基板31(樹脂34)。通過由無電解電鍍將通孔導(dǎo)體45，47形成于通孔內(nèi)，從而連接第一以及第二端子電極5，7和通孔導(dǎo)體45，47。由這些程序就能夠制得安裝有樣品的基板31。作為樹脂34是使用環(huán)氧樹脂。
[0069]在包含樣品(第一以及第二端子電極5，7)和通孔導(dǎo)體45，47的位置上切斷安裝有樣品的基板31。用目視確認(rèn)在截面上有無空隙。數(shù)出被確認(rèn)為發(fā)生有空隙的樣品個數(shù)。在此，確認(rèn)在第一以及第二端子電極5，7(電極部分5a，5b，7a，7b)與通孔導(dǎo)體45，47之間是否有空隙發(fā)生，并且確認(rèn)在第一以及第二端子電極5，7(電極部分5c，5d，7c，7d)與樹脂34之間是否有空隙發(fā)生。
[0070]在電極部分5a，5b，7a，7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.30μπι以上的情況下，發(fā)現(xiàn)在電極部分5a, 5b, 7a, 7b與通孔導(dǎo)體45 ,47之間發(fā)生空隙的樣品會有所存在。在電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.30μπι以上的情況下，因為由電極部分5a,5b,7a,7b的表面的凹凸而在形成通孔導(dǎo)體45，47的時候金屬難以恰當(dāng)?shù)匚龀鲇陔姌O部分5a，5b，7a，7b，所以被推測為有空隙發(fā)生。在試樣I?18中，沒有能夠確認(rèn)到在電極部分5a，5b，7a，7b與通孔導(dǎo)體45，47之間發(fā)生有空隙的樣品。
[0071 ]在電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.40μπι以上的情況下，發(fā)現(xiàn)在電極部分5c，5d，7c，7d與樹脂34之間發(fā)生空隙的樣品會有所存在。在電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.40μπι以上的情況下，因為樹脂34不會充分埋入到電極部分5c，5d, 7c，7d的表面凹凸的凹部，所以被推測為有空隙發(fā)生。在試樣I?7、試樣9?12、試樣14?17以及試樣19中，沒有能夠確認(rèn)到在電極部分5c，5d，7c，7d與樹脂34之間發(fā)生有空隙的樣品。
[0072]剝離的發(fā)生個數(shù)是以以下所述形式進行的。首先，對每個沒有能夠確認(rèn)到空隙的發(fā)生的試樣I?7、試樣9?12以及試樣14?17挑選出10個樣品，按與上述程序相同的程序制得安裝有樣品的基板31。對于安裝有樣品的基板31在氮氣氣氛條件下實行5次耐焊接熱試驗(reflow test)。耐焊接熱試驗的條件正如以下所述。首先，作為前處理是在125°C的溫度條件下實行24小時的預(yù)熱，之后在峰值溫度為260°C的條件下實行耐焊接熱試驗(reflow)。
[0073]在耐焊接熱試驗之后，在包含樣品(第一以及第二端子電極5，7)和通孔導(dǎo)體45，47的位置上切斷安裝有樣品的基板31。用目視確認(rèn)在截面上有無剝離。數(shù)出被確認(rèn)為發(fā)生有剝離的樣品個數(shù)。在此，確認(rèn)第一以及第二端子電極5，7(電極部分5a，5b，7a，7b)和通孔導(dǎo)體45，47是否發(fā)生剝離，并且確認(rèn)第一以及第二端子電極5，7(電極部分5c，5d，7c，7d)和樹脂34是否發(fā)生剝離。
[0074]在電極部分5a，5b，7a，7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.15μπι以下的情況下，發(fā)現(xiàn)電極部分5a ,5b,7a, 7b和通孔導(dǎo)體45，47發(fā)生剝離的樣品存在。在電極部分5a ,5b,7a, 7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.15μπι以下的情況下，因為不能夠充分獲得電極部分5a，5b，7a，7b與通孔導(dǎo)體45，47的緊密附著性，所以被推測為電極部分5a，5b，7a，7b和通孔導(dǎo)體45，47會發(fā)生剝離。在試樣4?7、試樣9?12以及試樣14?17中沒有能夠確認(rèn)到電極部分5a，5b，7a，7b和通孔導(dǎo)體45，47發(fā)生剝離的樣品。
[0075]在電極部分5C，5d，7C，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.25μm以下的情況下，發(fā)現(xiàn)電極部分5c，5d，7c，7d和樹脂34發(fā)生剝離的樣品存在。在電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.25μπι以下的情況下，雖然樹脂34會進入到電極部分5c，5d，7c，7d的表面凹凸的凹部，但是因為進入的樹脂34的量少并且不能夠充分獲得電極部分5c，5d，7c，7d與樹脂34的緊密附著性，所以被推測為電極部分5c，5d，7c，7d和樹脂34會發(fā)生剝離。在試樣3、試樣5?7、試樣10?12以及試樣15?17中沒有能夠確認(rèn)到電極部分5c，5d，7c，7d和樹脂34發(fā)生剝離的樣品。
[0076]在試樣5?7、試樣10?12以及試樣15?17中，沒有能夠確認(rèn)到發(fā)生空隙以及剝離的樣品。
[0077]綜上所述，通過電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20?0.26μπι并且電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27?0.38μπι，從而就能夠防止空隙發(fā)生于電極部分5a，5b，7a，7b與通孔導(dǎo)體45，47之間。也能夠防止空隙發(fā)生于電極部分5c,5d,7c, 7d與樹脂34之間。能夠防止電極部分5a ,5b,7a, 7b和通孔導(dǎo)體45，47發(fā)生剝離。也能夠防止電極部分5c，5d，7c，7d和樹脂34發(fā)生剝離。這些結(jié)果使得層疊電容器Cl既確保了與被形成于基板31的通孔導(dǎo)體45,47的連接性又能夠恰當(dāng)?shù)貎?nèi)藏于基板31。
[0078]接著，關(guān)于素體2的表面粗糙度特別是關(guān)于從素體2上的第一以及第二端子電極5，7露出的部分的表面粗糙度作如下詳細(xì)說明。
[0079]本發(fā)明人為了明確從素體2上的第一以及第二端子5，7露出的部分的表面粗糙度的范圍而實行了如以下所述那樣的試驗。準(zhǔn)備素體2的表面粗糙度不同的試樣20?37，確認(rèn)各個試樣20?37中的空隙的發(fā)生個數(shù)以及剝離的發(fā)生個數(shù)。其結(jié)果被表示于圖10中。圖10是表示各個試樣中的空隙的發(fā)生個數(shù)以及剝離的發(fā)生個數(shù)的圖表。在這里表面粗糙度也是使用以上所述的算術(shù)平均粗糙度(Ra)。素體2的表面粗糙度例如能夠通過在形成素體的時候?qū)⒉煌碾娊橘|(zhì)材料用于陶瓷坯料薄片或者研磨層疊了陶瓷坯料薄片的層疊體來進行改變。
[0080]各個試樣20?37為包含多個樣品的批次。各個試樣20?24的樣品除了素體2的表面粗糙度不同這一點之外其余均為相同結(jié)構(gòu)。各個試樣25?28的樣品除了素體2的表面粗糙度不同這一點之外其余均為相同結(jié)構(gòu)。各個試樣29?33的樣品除了素體2的表面粗糙度不同這一點之外其余均為相同結(jié)構(gòu)。各個試樣34?37的樣品除了素體2的表面粗糙度不同這一點之外其余均為相同結(jié)構(gòu)。在各個試樣20?37的樣品中素體2的第一方向Dl的長度為0.17mm，素體2的第二方向D2的長度為0.49mm，素體2的第三方向D3的長度為0.98mm。
[0081 ]在試樣20?24的各個樣品中，電極部分5a，5b，7a，7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27μπι。在試樣25?28的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.26μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27μπι。在試樣29?33的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.38μπι。在試樣34?37的各個樣品中，電極部分5a,5b,7a,7b的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.26μπι，電極部分5c，5d，7c，7d的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.38μπι。
[0082]在試樣20的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.12μπι。在試樣21的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.14μπι。在試樣22的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.16μπι。在試樣23的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.19μπι。在試樣24的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27μπι。在試樣25的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.14μπι。在試樣26的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.17μπι。在試樣27的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.19μπι。在試樣28的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.21μπι。
[0083]在試樣29的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.Ι?μπι。在試樣30的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.14μπι。在試樣31的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.15μπι。在試樣32的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.18μπι。在試樣33的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.25μπι。在試樣34的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.14μπι。在試樣35的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.17μπι。在試樣36的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.19μπι。在試樣37的各個樣品中，素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.22μπι。
[0084]空隙的發(fā)生個數(shù)是以以下所述形式求得的。首先，每個試樣2020?37挑選出10個樣品，由與以上所述的程序相同的程序制得安裝有樣品的基板31。在包含從素體2上的第一以及第二端子電極5，7露出的部分的位置上切斷安裝有樣品的基板31。用目視確認(rèn)在截面上有無空隙。數(shù)出被確認(rèn)為發(fā)生有空隙的樣品個數(shù)。在此，確認(rèn)在素體2(從第一以及第二端子電極5，7露出的部分)與樹脂34之間是否發(fā)生空隙。
[0085]在素體2(從第一以及第二端子電極5，7露出的部分)的表面的算術(shù)平均粗糙度為
0.21μπι以上的情況下，發(fā)現(xiàn)在素體2與樹脂34之間發(fā)生空隙的樣品存在。在素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.21μπι以上的情況下，因為樹脂34不會充分埋入到素體2的表面凹凸的凹部，所以被推測為有空隙發(fā)生。在試樣20?23、試樣25?27、試樣29?32以及試樣34?36中，未確認(rèn)到在素體2與樹脂34之間發(fā)生有空隙的樣品。
[0086]剝離的發(fā)生個數(shù)是以以下所述形式求得的。首先，對每個沒有能夠確認(rèn)到空隙的發(fā)生的試樣20?23、試樣25?27、試樣29?32以及試樣34?36挑選出10個樣品，按與上述程序相同的程序制得安裝有樣品的基板31。對于安裝有樣品的基板31在氮氣氣氛條件下實行5次耐焊接熱試驗(reflow test)。耐焊接熱試驗的條件正如以下所述。首先，作為前處理是在125°C的溫度條件下實行24小時的預(yù)熱，之后在峰值溫度為260°C的條件下實行耐焊接熱試驗。
[0087]在耐焊接熱試驗之后，在包含從素體2上的第一以及第二端子電極5，7露出的部分的位置上切斷安裝有樣品的基板31。用目視確認(rèn)在截面上有無剝離。數(shù)出被確認(rèn)為發(fā)生有剝離的樣品個數(shù)。在此，確認(rèn)素體2(從第一以及第二端子電極5，7露出的部分)和樹脂34是否發(fā)生剝離。
[0088]在素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.12μπι以下的情況下，發(fā)現(xiàn)素體2和樹脂34發(fā)生剝離的樣品存在。在素體2的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.12μπι以下的情況下，雖然樹脂34會進入到素體2的表面凹凸的凹部，但是因為進入的樹脂34的量少并且不能夠充分獲得素體2與樹脂34的緊密附著性，所以被推測為素體2和樹脂34會發(fā)生剝離。在試樣21?23、試樣25?27、試樣30?32以及試樣34?36中沒有能夠確認(rèn)到素體2和樹脂34發(fā)生剝離的樣品。
[0089]在試樣21?23、試樣25?27、試樣30?32以及試樣34?36中，沒有能夠確認(rèn)到發(fā)生空隙以及剝離的樣品。
[0090]綜上所述，通過素體2(從第一以及第二端子電極5，7露出的部分)的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.14?0.19μπι，從而就能夠防止在素體2與樹脂34之間發(fā)生空隙。還能夠防止素體2和樹脂34發(fā)生剝離。這些結(jié)果使得層疊電容器Cl能夠進一步恰當(dāng)?shù)貎?nèi)藏于基板。
[0091]以上已就本發(fā)明的實施方式作了說明，但是本發(fā)明并不一定限定于以上所述的實施方式，只要是在不脫離本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)各種各樣的變更都是可能的。
[0092]第一以及第二端子電極5，7并沒有必要具有電極部分5d，7d。第一端子電極5也可以被形成于3個面2a，2b，2c，第二端子電極7也可以被形成于3個面2a，2b，2d。
【主權(quán)項】
1.一種層疊電容器，其特征在于: 具備: 呈現(xiàn)長方體形狀的素體，所述素體具有互相相對的一對主面、互相相對的一對側(cè)面、以及互相相對的另外的一對側(cè)面； 多個內(nèi)部電極，以在所述一對主面相對的方向上互相相對的形式配置于所述素體內(nèi)；以及 一對端子電極，連接于所述多個內(nèi)部電極中對應(yīng)的內(nèi)部電極，各個所述端子電極具有配置于所述主面的第一電極部分、以及配置于所述側(cè)面的第二電極部分， 在所述一對主面相對的所述方向上的所述素體的長度小于在所述一對側(cè)面相對的方向上的所述素體的長度，并且小于在所述另外的一對側(cè)面相對的方向上的所述素體的長度， 所述第一電極部分的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.20?0.26μπι， 所述第二電極部分的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.27?0.38μπι。2.如權(quán)利要求1所述的層疊電容器，其特征在于: 所述素體中的從所述一對端子電極露出的表面的算術(shù)平均粗糙度為0.14?0.19μπι。
【文檔編號】H01G4/30GK106024384SQ201610173152
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月24日
【發(fā)明人】尾上通, 山下健太, 服部祐磨
【申請人】Tdk株式會社