雙芯片led燈的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及IXD液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種背光源LED燈束。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，IXD液晶顯示模組越來(lái)越薄，導(dǎo)光板也隨之變薄，亮度要求卻越來(lái)越高。由于市場(chǎng)上V-CUT技術(shù)(V-CUT是微小的鋸齒或半圓形結(jié)構(gòu)，作用是將光由邊緣方向?qū)蛞曄蚍较?，并增加亮度和使光均?已成熟，對(duì)導(dǎo)光板做進(jìn)一步改進(jìn)從而增加亮度的方法已難以取得理想效果，因此只能通過(guò)增加導(dǎo)光板FPC上LED燈的亮度來(lái)滿足客戶需求。各廠家IXD尺寸相當(dāng)且導(dǎo)光板FPC上LED燈的數(shù)目已達(dá)極限，不可能再增加LED燈數(shù)量，因此必需提高單個(gè)LED燈的亮度，來(lái)解決上述問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型在于解決上述問(wèn)題，提供一種雙芯片LED燈，從而提高單個(gè)LED燈亮度。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下所述的技術(shù)方案:一種雙芯片LED燈，包括基板、第一 LED芯片、第二 LED芯片、出光面，其特征在于:所述基板和出光面所形成的腔體內(nèi)設(shè)有一雙面反射膜，所述雙面反射膜將所述腔體分隔成對(duì)稱的一左腔體、一右腔體，所述第一 LED芯片、所述第二 LED芯片分別設(shè)置在所述左腔體、右腔體內(nèi)的基板上，兩者通過(guò)超導(dǎo)體硅片連接。
[0005]進(jìn)一步地，所述左腔體、右腔體的出光面均為凹形曲面，所述凹形曲面的最底端對(duì)應(yīng)所述第一 LED芯片、第二 LED芯片的中心。
[0006]進(jìn)一步地，所述出光面與所述基板通過(guò)L型的金屬片焊接在一起。
[0007]進(jìn)一步地，所述第一 LED芯片、第二 LED芯片的中心點(diǎn)間距為1.9mm。
[0008]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是:所述雙面反射膜將所述腔體分隔成對(duì)稱的一左腔體、一右腔體，僅用一層雙面反射膜便增加了光學(xué)表面的反射率，同時(shí)提高了第一 LED芯片、第二 LED芯片兩個(gè)芯片的亮度，也即提高了單個(gè)LED燈的亮度，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，效果好。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是現(xiàn)有單芯片LED燈的漫反射效果圖；
[0011]圖3是本實(shí)用新型的漫反射效果圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]為了更充分理解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步介紹和說(shuō)明。
[0013]如圖1所示，一種雙芯片LED燈，包括基板1、第一 LED芯片2、第二 LED芯片3、出光面4，其特征在于:所述基板I和出光面4所形成的腔體內(nèi)設(shè)有一雙面反射膜5，所述雙面反射膜5將所述腔體分隔成對(duì)稱的一左腔體、一右腔體，所述第一 LED芯片2、所述第二 LED芯片3通過(guò)超導(dǎo)體硅片6連接，且分別設(shè)置在所述左腔體、右腔體內(nèi)的基板I上。
[0014]所述雙面反射膜能5增加光學(xué)表面的反射率，由于單個(gè)LED芯片(即一個(gè)燈珠)發(fā)射的光一般不強(qiáng)，所以要充分利用每一絲光源，盡可能增加反射率，提高LED燈的亮度。將雙面反射膜5置于所述左腔體、右腔體中間，僅用一層雙面反射膜5就同時(shí)提高了第一 LED芯片2、第二 LED芯片3兩個(gè)芯片的亮度，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，效果好。
[0015]所述左腔體、右腔體的出光面4均為凹形曲面，所述凹形曲面最底端對(duì)應(yīng)所述第一 LED芯片2、第二 LED芯片3的中心。將出光面4設(shè)為凹形曲面，可增加漫反射，整個(gè)出光面4受光均勻。
[0016]所述出光面4與所述基板I通過(guò)L型的金屬片7焊接在一起。錫膏受熱后沿此金屬片7流動(dòng)，當(dāng)錫膏逐步冷卻凝固后便在出光面4和基板I之間形成焊點(diǎn)，而L型的焊接面增加了焊點(diǎn)面積，大大提升了產(chǎn)品良率，避免虛焊現(xiàn)象。
[0017]所述第一 LED芯片2、第二 LED芯片3的中心點(diǎn)間距d可以根據(jù)LED燈外形尺寸進(jìn)行調(diào)整。在一些優(yōu)選方案中，當(dāng)LED燈外形尺寸較小時(shí)，例如在出光面4兩端距離為3.5_、LED燈整體高度為Imm的情況下，所述第一 LED芯片2、第二 LED芯片3的中心點(diǎn)間距可以小到1.9mm。
[0018]如圖2?3所示，本實(shí)用新與現(xiàn)有單芯片LED燈外形尺寸一樣，但是采用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的LED燈漫反射效果大大增強(qiáng)，也即提高了單個(gè)LED燈的亮度。
[0019]以上陳述僅以實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，以便于讀者更容易理解，但不代表本實(shí)用新型的實(shí)施方式僅限于此，任何依本實(shí)用新型所做的技術(shù)延伸或再創(chuàng)造，均受本實(shí)用新型的保護(hù)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種雙芯片LED燈，包括基板、第一 LED芯片、第二 LED芯片、出光面，其特征在于:所述基板和出光面所形成的腔體內(nèi)設(shè)有一雙面反射膜，所述雙面反射膜將所述腔體分隔成對(duì)稱的一左腔體、一右腔體，所述第一 LED芯片、所述第二 LED芯片分別設(shè)置在所述左腔體、右腔體內(nèi)的基板上，兩者通過(guò)超導(dǎo)體硅片連接。
2.如權(quán)利要求1所述的雙芯片LED燈，其特征在于:所述左腔體、右腔體的出光面均為凹形曲面，所述凹形曲面的最底端對(duì)應(yīng)所述第一 LED芯片、第二 LED芯片的中心。
3.如權(quán)利要求1所述的雙芯片LED燈，其特征在于:所述出光面與所述基板通過(guò)L型的金屬片焊接在一起。
4.如權(quán)利要求1所述的雙芯片LED燈，其特征在于:所述第一LED芯片、第二 LED芯片的中心點(diǎn)間距為1.9mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種雙芯片LED燈，包括基板、第一LED芯片、第二LED芯片、出光面，所述基板和出光面所形成的腔體內(nèi)設(shè)有一雙面反射膜，所述雙面反射膜將所述腔體分隔成對(duì)稱的一左腔體、一右腔體，所述第一LED芯片、所述第二LED芯片分別設(shè)置在所述左腔體、右腔體內(nèi)的基板上，兩者通過(guò)超導(dǎo)體硅片連接。采用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的LED燈漫反射效果大大增強(qiáng)，也即提高了單個(gè)LED燈的亮度，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，效果好。
【IPC分類】H01L25-13, H01L33-60
【公開(kāi)號(hào)】CN204303864
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420871346
【發(fā)明人】郭勇
【申請(qǐng)人】深圳市艾卓爾泰科技開(kāi)發(fā)有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年12月31日