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      交流接觸器的制造方法

      文檔序號:8715751閱讀:583來源:國知局
      交流接觸器的制造方法
      【技術領域】
      [0001]本實用新型涉及可控開關技術領域。具體地說,涉及一種交流接觸器。
      【背景技術】
      [0002]永磁式交流接觸器是利用磁極的同性相斥、異性相吸的原理,用永磁驅(qū)動機構(gòu)取代傳統(tǒng)的電磁鐵驅(qū)動機構(gòu)而形成的一種微功耗接觸器。安裝在接觸器聯(lián)動機構(gòu)上極性固定不變的永磁鐵,與固化在接觸器底座上的可變極性軟磁鐵相互作用,從而達到吸合、保持與釋放的目的。軟磁鐵的可變極性是通過與其固化在一起的電子模塊產(chǎn)生十幾到二十幾毫秒的正反向脈沖電流,而使其產(chǎn)生不同的極性。根據(jù)現(xiàn)場需要,用控制電子模塊來控制設定的釋放電壓值,也可延遲一段時間再發(fā)出反向脈沖電流,以達到低電壓延時釋放或斷電延時釋放的目的,使其控制的電機免受電網(wǎng)晃電而跳停,從而保持生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定。
      [0003]公開號為CN101226855的發(fā)明專利公開了一種抗晃電外部可調(diào)延時時間型永磁式交流接觸器,其正向勵磁回路由正向勵磁可控硅DGl、線圈L和充放電電容C4和C5構(gòu)成,反向勵磁回路由充放電電容C4和C5、線圈L、二極管D7、電阻R4、二極管D8、電阻R5和R6、以及反向勵磁可控硅DG2構(gòu)成。當控制電壓高于預定值時,正向勵磁可控硅DGl的觸發(fā)電流從整流電路的輸出端一二極管D5 —電阻R13 —壓敏電阻YRl —正向勵磁可控硅DGl的觸發(fā)極;正向勵磁電流從整流電路的輸出端一二極管D6 —線圈L —電容C4 —電容C5,線圈L得正向電流,交流接觸器吸合,此后正向勵磁可控硅DGl因充放電電容C4和C5充滿電而快速截止,從而保持穩(wěn)定的吸合狀態(tài),并由于壓敏電阻YR2先擊穿,因此通過三極管Ql保證反向勵磁可控硅DG2可靠截止。當控制電壓低于標定值時,第二壓敏電阻YR2不擊穿,三極管Ql因無基極電流而迅速進入截止狀態(tài),充放電電容C4、C5兩端電壓加到反向勵磁可控硅DG2上,使反向勵磁可控硅DG2導通,反向勵磁電流從電容C4 —線圈L — 二極管D7 — 二極管D8 —電阻R5 —電阻R6 —反向勵磁可控硅DG2 —電容C5 —電容C4,線圈L獲得反向脈沖電流,交流接觸器分斷,并且保持分斷時的穩(wěn)定狀態(tài)。接觸器的延時釋放是電容C31和C32的放電來實現(xiàn)的,而延時釋放時間是通過調(diào)節(jié)電阻RP的阻值來調(diào)節(jié)三極管Ql基極電壓,從而改變電容C31和C32的放電時間來調(diào)節(jié)的。
      [0004]但是上述現(xiàn)有技術中存在以下問題:
      [0005]I)交流接觸器吸合過程中,可控硅DGl是通過電容C4和C5的充滿電而截止,同時需要通過三極管Ql來保證可控硅DG2的可靠截止。而反向勵磁電流由交流接觸器吸合過程中充滿電的電容C4和C5來提供。該技術方案提供的交流接觸器電路結(jié)構(gòu)復雜、可靠性低,同時控制方式單一。
      [0006]2)延時釋放的時間是由電容C31和電容C32的放電時間來確定的,雖然可以通過調(diào)節(jié)電容C31和C32的大小以及調(diào)節(jié)電阻RP的阻值來調(diào)節(jié),但是調(diào)節(jié)不方便,且并不能直觀地獲取調(diào)節(jié)后確切的延時時間。
      【實用新型內(nèi)容】
      [0007]為此,本實用新型所要解決的技術問題在于現(xiàn)有技術中的交流接觸器器件繁多、電路結(jié)構(gòu)復雜、可靠性低以及控制方式單一,從而提出一種結(jié)構(gòu)簡單、可靠性高并能實現(xiàn)多種控制的交流接觸器。
      [0008]為解決上述技術問題,本實用新型提供了如下技術方案:
      [0009]一種交流接觸器,包括電源濾波模塊、與電源濾波模塊輸出端連接的整流模塊、分別與電源濾波模塊輸出端和整流模塊輸出端連接的動作執(zhí)行模塊、以及用于控制動作執(zhí)行模塊的控制模塊,動作執(zhí)行模塊包括四個單向可控硅QD1、QD2、QD3、QD4以及電磁線圈L,單向可控硅QDI的陽極與整流模塊的輸出端連接、陰極與電磁線圈L的第一端連接,單向可控硅QD4的陽極與電磁線圈L的第二端連接、陰極接地,單向可控硅QD2的陽極與電磁線圈L的第一端連接、陰極接地,單向可控硅QD3的陽極與電源濾波模塊的輸出端連接、陰極與電磁線圈L的第二端連接。
      [0010]優(yōu)選地,每個單向可控硅的控制極分別與控制模塊的一個控制信號輸出端連接。
      [0011]優(yōu)選地,控制模塊的信號輸入端與整流模塊的輸出端連接。
      [0012]優(yōu)選地,還包括延時釋放選擇模塊,延時釋放選擇模塊包括電阻R13-R19、撥碼開關SI,電阻R13-R19依次串聯(lián)連接后,其一端作為延時釋放選擇模塊的電源輸入端與供電電源連接、另一端接地,電阻R13和電阻R14的連接處與撥碼開關SI的第一輸入端連接,電阻R14和電阻R15的連接處與撥碼開關SI的第二輸入端連接,電阻R15和電阻R16的連接處與撥碼開關SI的第三輸入端連接,電阻R16和電阻R17的連接處與撥碼開關SI的第四輸入端連接,電阻R17和電阻R18的連接處與撥碼開關SI的第五輸入端連接,電阻R18和電阻R19的連接處與撥碼開關SI的第六輸入端連接,撥碼開關SI的各個輸出端依次連接后與控制模塊的第一控制信號輸入端連接。
      [0013]優(yōu)選地,還包括用于給控制模塊提供穩(wěn)定電壓的穩(wěn)壓模塊,穩(wěn)壓模塊的輸入端與直流電源連接或者通過整流二極管與交流電源連接、輸出端與控制模塊的電源輸入端連接。
      [0014]優(yōu)選地,穩(wěn)壓模塊包括依次連接的第一級穩(wěn)壓電路和第二級穩(wěn)壓電路,其中,
      [0015]第一級穩(wěn)壓電路包括三極管Q1、電阻R3、穩(wěn)壓二極管DWl和電容⑶3,三極管Ql的集電極與電阻R3的一端連接、基極與穩(wěn)壓二極管DWl的陰極和電阻R3的另一端分別連接、發(fā)射極與電容CD3的一端連接,穩(wěn)壓二極管DWl的陽極和電容CD3的另一端分別接地,三極管Ql的集電極與電阻R3的連接處作為穩(wěn)壓模塊的輸入端,三極管Ql的發(fā)射極與電容CD3的連接處作為第一級穩(wěn)壓電路的輸出端;
      [0016]第二級穩(wěn)壓電路包括穩(wěn)壓芯片IC2和電容⑶4,穩(wěn)壓芯片IC2的輸入端與第一級穩(wěn)壓電路的輸出端連接、輸出端與電容CD4的一端連接、接地端接地,電容CD4的另一端接地,電容CD4與穩(wěn)壓芯片IC2輸出端的連接處作為穩(wěn)壓模塊的輸出端。
      [0017]優(yōu)選地,還包括用于在電源斷電時給控制模塊和動作執(zhí)行模塊供電的釋放儲能模塊。
      [0018]優(yōu)選地,釋放儲能模塊包括二極管Dl、二極管D2、電容⑶I和電容⑶2,交流接觸器還包括熱敏電阻RTI和電阻R4,熱敏電阻RTI的一端與電源濾波模塊的輸出端連接、另一端與二極管Dl的陽極連接,二極管Dl的陰極與單向可控硅QD3的陽極連接,二極管D2的陽極與二極管Dl的陽極連接、陰極與電容CD2連接后接地,電容CDl的一端與二極管Dl的陰極連接、另一端與穩(wěn)壓模塊的輸入端連接,二極管D2的陰極還通過電阻R4與穩(wěn)壓模塊的輸入端連接。
      [0019]優(yōu)選地,還包括手動釋放模塊,手動釋放模塊包括濾波電容Cl、分壓電阻Rl和分壓電阻R2,分壓電阻Rl的一端通過濾波電容Cl接地、另一端通過分壓電阻R2接地,分壓電阻Rl和分壓電阻R2的連接處與控制模塊的第二控制信號輸入端連接,分壓電阻Rl和濾波電容Cl的連接處作為手動釋放模塊的電源輸入端可通過開關器件與外接直流電源連接。
      [0020]優(yōu)選地,還包括熱敏電阻RT2,熱敏電阻RT2設置在電磁線圈L的第一端與單向可控硅QD2的陽極之間。
      [0021]本實用新型的上述技術方案相比現(xiàn)有技術具有以下優(yōu)點:
      [0022]1.本實用新
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