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      一種超大功率cob集成白光led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:8788062閱讀:478來源:國知局
      一種超大功率cob集成白光led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
      【技術領域】
      [0001]本實用新型涉及一種白光LED,特別涉及一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)。
      【背景技術】
      [0002]現(xiàn)有滿足照明級光通量要求的LED白光技術路線中,通常由集成COB芯片組和熒光粉膠共同構(gòu)成白光光源。所采用的LED芯片多是正裝芯片組,熒光粉膠往往直接貼附在集成LED芯片組上,由于集成LED芯片組工作時發(fā)熱量較大,往往伴隨著熒光粉膠熱老化、受激光譜效率下降及激發(fā)光譜發(fā)生紅移等系列問題,影響了出光的光品質(zhì)。
      [0003]另外,目前芯片間串并聯(lián)及芯片模組外電連時通過金屬線打線工藝進行,不但影響了光源出光面的出光效率,且工作點亮時是以藍寶石襯底作為主要的熱流疏導通道,其較差的導熱性大大限制了芯片集成的規(guī)模,使得光源模組的亮度難以進一步提升。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本實用新型要解決的技術問題,在于提供一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),提升了出光品質(zhì)和導熱性,并能實現(xiàn)超尚殼度白光。
      [0005]本實用新型是這樣實現(xiàn)的:一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),包括基板和至少一 LED芯片組,所述基板正面開設有與LED芯片組數(shù)量對應的凹腔,任一所述LED芯片組為倒裝LED芯片組,并以COB方式鍵合在對應凹腔的底部,所述各LED芯片組之間及LED芯片組與外電路之間通過銅片實現(xiàn)電連接,且每個LED芯片組上均灌充填充膠并蓋封透明陶瓷熒光片。
      [0006]進一步的,所述LED芯片組是通過底部焊點與凹腔底部共晶鍵合。
      [0007]進一步的,所述凹腔為矩陣排布,且處于同一排的凹腔中段貫通連接形成長凹腔,貫通部分由所述填充膠灌充,所述封裝結(jié)構(gòu)的正、負極位于所述長凹腔的正面兩端。
      [0008]進一步的,所述基板為銅基板、氣化銷基板、類鉆炭基板或石墨稀基板。
      [0009]進一步的,所述透明陶瓷熒光片為釔鋁石榴石型透明陶瓷熒光片。
      [0010]本實用新型的優(yōu)點在于:
      [0011]1.采用倒裝芯片替代傳統(tǒng)正裝芯片,提升LED芯片組的熱疏導能力,實現(xiàn)無金線封裝,免除金線帶入的不利影響;
      [0012]2.用透明陶瓷熒光片替代傳統(tǒng)的熒光粉膠,提升了大功率光源模組出光的光品質(zhì);
      [0013]3.LED芯片組隨凹腔為矩陣排布,可實現(xiàn)大電流驅(qū)動,可用于制備500-1000W級的超大功率光源模組,滿足場地照明等超大功率的照明需求。
      【附圖說明】
      [0014]下面參照附圖結(jié)合實施例對本實用新型作進一步的說明。
      [0015]圖1是本實用新型基板的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0016]圖2是本實用新型倒裝LED芯片組的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0017]圖3是本實用新型鍵合有倒裝LED芯片組的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0018]圖4是本實用新型透明陶瓷熒光片的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0019]圖5是本實用新型倒裝LED芯片組上封裝有透明陶瓷熒光片的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0020]圖6是本實用新型超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實施方式】
      [0021]請參閱圖1至圖6所示,本實用新型的超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),包括基板I和至少一 LED芯片組2。
      [0022]所述基板I正面開設有與LED芯片組2數(shù)量對應的凹腔12,任一所述LED芯片組2為倒裝LED芯片組,并以COB方式鍵合在對應凹腔12的底部,所述LED芯片組2是通過底部焊點與凹腔12底部共晶鍵合。采用倒裝芯片替代傳統(tǒng)正裝芯片,提升LED芯片組的熱疏導能力。
      [0023]主要如圖1所示,所述基板I上的凹腔12為矩陣排布,且處于同一排的凹腔12中段貫通連接形成長凹腔,如圖6所示,貫通部分最后會由所述填充膠3灌充,所述封裝結(jié)構(gòu)的正極13、負極14位于所述長凹腔12的正面兩端。凹腔12的數(shù)量及排布決定了 LED芯片組2的數(shù)量及排布,而如圖2所示,所述LED芯片組2內(nèi)的芯片也以矩陣式排布,該矩陣排布的凹腔12為實現(xiàn)超大功率光源模組提供基礎,可實現(xiàn)大電流驅(qū)動,可用于制備500-1000W級的超大功率光源模組,滿足場地照明等超大功率的照明需求。
      [0024]其中,所述基板I有多種選擇,如可以為銅基板、氮化鋁基板、類鉆炭基板或石墨稀基板。
      [0025]如圖6所示,所述各LED芯片組2之間及LED芯片組2與外電路之間通過銅片4實現(xiàn)電連接,實現(xiàn)無金線封裝,免除金線帶入的不利影響,提升了出光品質(zhì)和導熱性;且每個LED芯片組2上均灌充填充膠3并蓋封透明陶瓷熒光片5,即填膠部分不但包含陣列LED芯片組與陶瓷片之間空間,還包含芯片焊點與凹腔底部鍵合后的剩余空隙,以及各凹腔之間的空隙。
      [0026]其中,所述透明陶瓷熒光片5為釔鋁石榴石型透明陶瓷熒光片。本實用新型用透明陶瓷熒光片5替代傳統(tǒng)的熒光粉膠,提升了大功率光源模組出光的光品質(zhì)。
      [0027]雖然以上描述了本實用新型的【具體實施方式】,但是熟悉本技術領域的技術人員應當理解,我們所描述的具體的實施例只是說明性的,而不是用于對本實用新型的范圍的限定,熟悉本領域的技術人員在依照本實用新型的精神所作的等效的修飾以及變化,都應當涵蓋在本實用新型的權利要求所保護的范圍內(nèi)。
      【主權項】
      1.一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),包括基板和至少一 LED芯片組,其特征在于:所述基板正面開設有與LED芯片組數(shù)量對應的凹腔,任一所述LED芯片組為倒裝LED芯片組,并以COB方式鍵合在對應凹腔的底部,所述各LED芯片組之間及LED芯片組與外電路之間通過銅片實現(xiàn)電連接,且每個LED芯片組上均灌充填充膠并蓋封透明陶瓷熒光片。
      2.如權利要求1所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述LED芯片組是通過底部焊點與凹腔底部共晶鍵合。
      3.如權利要求1所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述凹腔為矩陣排布,且處于同一排的凹腔中段貫通連接形成長凹腔,貫通部分由所述填充膠灌充。
      4.如權利要求3所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述封裝結(jié)構(gòu)的正、負極位于所述長凹腔的正面兩端。
      5.如權利要求1所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述基板為銅基板、氮化鋁基板、類鉆炭基板或石墨烯基板。
      6.如權利要求1所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述透明陶瓷熒光片為釔鋁石榴石型透明陶瓷熒光片。
      【專利摘要】本實用新型提供了一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu),包括基板和至少一LED芯片組,所述基板正面開設有與LED芯片組數(shù)量對應的凹腔,任一所述LED芯片組為倒裝LED芯片組,并以COB方式鍵合在對應凹腔的底部,所述各LED芯片組之間及LED芯片組與外電路之間通過銅片實現(xiàn)電連接,且每個LED芯片組上均灌充填充膠并蓋封透明陶瓷熒光片。本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)提升了出光品質(zhì)和導熱性,并能實現(xiàn)超高亮度白光。
      【IPC分類】H01L33-48, H01L25-075, H01L33-50
      【公開號】CN204497266
      【申請?zhí)枴緾N201520125081
      【發(fā)明人】葉尚輝, 陳明秦, 張數(shù)江, 張國鋒
      【申請人】福建中科芯源光電科技有限公司
      【公開日】2015年7月22日
      【申請日】2015年3月4日
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