一種抑制低能光電子共振電離產(chǎn)生負(fù)離子的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及質(zhì)譜分析的電離裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種抑制低能光電子共振電離產(chǎn)生負(fù)離子的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]SF6*子采用sp3d2雜化，是正八面體結(jié)構(gòu)，同時(shí)硫的6個(gè)外層電子都用于成鍵，而F都是8電子體結(jié)構(gòu)，因此又稱人造惰性氣體，1900年法國科學(xué)家Moissan和Lebeau首次人工合成了 SF6氣體，在1947出現(xiàn)了商品化的SF 6。由于SF6化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，其耐電強(qiáng)度為相同壓力下氮?dú)獾?.5倍，擊穿電壓是空氣的2.5倍，滅弧能力是空氣的100倍，是一種優(yōu)于空氣和油之間的新一代超高壓絕緣介質(zhì)材料。從20世紀(jì)60年代起，3?6被成功應(yīng)用到高壓開關(guān)設(shè)備，作為絕緣和滅弧介質(zhì)，SFJ*應(yīng)用在高壓電氣開關(guān)設(shè)備外，還應(yīng)用在變壓器、互感器、避雷器、充氣電纜等高壓電器設(shè)備，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電力領(lǐng)域；但是，含有雜質(zhì)的3匕其絕緣性能會大幅下降，變得易放電，從而導(dǎo)致電氣設(shè)備故障，當(dāng)SF6發(fā)生放電后會產(chǎn)生302等含硫化合物，因此對其的檢測具有重要意義。
[0003]單光子電離(single photon 1nizat1n，SPI)是一種閾值光電離的軟電離源，對于大多數(shù)不飽和烷烴和芳香族化合物，雙鍵或共軛作用使電離截面增加，電離概率也隨之增加。真空紫外(vacuum ultrav1let, VUV)燈是一種能夠發(fā)射紫外光子的電離源，其結(jié)構(gòu)簡單，體積小，功耗低；SF6的雜質(zhì)成分如HF、SO 2和SO2F2等具有高的電離勢，單個(gè)光子很難將其電離，為了將難以電離的化合物電離，利用VUV燈發(fā)射的光子照到金屬孔電極上產(chǎn)生光電子，通過加速光電子使其具有高的能量，然后應(yīng)用于高電離能化合物的電離。
[0004]在高壓設(shè)備中，填充的氣體主要成分是SF6，SF6分子具有強(qiáng)的捕獲電子能力，在對SF6氣體進(jìn)行分析時(shí)，從金屬表面溢出的低能光電子很容易被SF 6分子捕獲，進(jìn)而影響光電子加速后與其它成分的碰撞電離，對于低能的光電子，其能量與SFj子軌道電子能量接近時(shí)，容易發(fā)生共振，從而被SF6捕獲，為了減少光電子被SF 6分子的捕獲，需要快速加速光電子。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的為解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，提供了一種靈敏度高、碰撞率高的抑制低能光電子共振電離產(chǎn)生負(fù)離子的裝置，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:
[0006]一種抑制低能光電子共振電離產(chǎn)生負(fù)離子的裝置，其特征在于:包括推斥電極，所述推斥電極中心的正上方設(shè)置有紫外光源，通過推斥電極的壁上設(shè)置有放置毛細(xì)管的通孔，且毛細(xì)管通過通孔延伸到達(dá)電離區(qū)，推斥電極下方設(shè)置有聚焦電極，聚焦電極為圓環(huán)金屬電極，其外側(cè)還套有磁鐵環(huán)，所述聚焦電極下方設(shè)置有帶圓孔的引出電極，引出電極的下表面粘貼一層金屬柵網(wǎng)，金屬柵網(wǎng)由金屬細(xì)絲交錯(cuò)連接呈篩網(wǎng)狀，所述引出電極的下方設(shè)置有金屬孔電極，金屬孔電極為中空的柱狀或臺狀圓柱，中心孔從頂端到底端逐漸增大。
[0007]優(yōu)選地，所述紫外光源、推斥電極、聚焦電極、磁鐵環(huán)、引出電極、金屬柵網(wǎng)和金屬孔電極由上至下依次同軸設(shè)置，且推斥電極與聚焦電極之間、聚焦電極與引出電極之間、弓丨出電極與金屬孔電極之間分別通過絕緣材料進(jìn)行隔絕。
[0008]優(yōu)選地，所述推斥電極為中心設(shè)置有圓孔的金屬片構(gòu)成，其中心圓孔徑由上到下逐漸增大。
[0009]優(yōu)選地，所述電離區(qū)位于引出電極和推斥電極之間的位置。
[0010]優(yōu)選地，金屬孔電極上的中心狹縫與下一級真空室連接，真空室中設(shè)置有離子探測器，探測器產(chǎn)生的離子信號通過導(dǎo)線與外界的信號檢測設(shè)備相連接。
[0011]優(yōu)選地，所述紫外光源為充有Kr氣體的放電燈，所述推斥電極、引出電極和金屬孔電極所加電壓分別為18V、16V和-14V。
[0012]綜上所述，本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0013](I)本實(shí)用新型在光電子溢出電極上方添加金屬柵網(wǎng)，并在金屬柵網(wǎng)上施加一定的電壓，使從金屬孔電極上溢出的光電子能被快速加速從而避免被SF6捕獲，同時(shí)，在電離區(qū)內(nèi)設(shè)置了磁鐵環(huán)增強(qiáng)高能光電子在電離區(qū)與樣品分子的碰撞電離概率。
[0014](2)本實(shí)用新型提高了電子和樣品分子的碰撞幾率，進(jìn)而提裝置的靈敏度。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施實(shí)例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要的附圖做簡單地介紹，顯然，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，在不付出創(chuàng)造性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1是本實(shí)用新型一種降低光電子共振電離產(chǎn)生負(fù)離子裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]附圖1中，I一紫外光源、2—推斥電極、3—毛細(xì)管、4一磁鐵環(huán)、5—聚焦電極、6—引出電極、7—金屬柵網(wǎng)、8—金屬孔電極，9-電離區(qū)，10-通孔，11-狹縫。
[0018]圖2是本實(shí)用新型一種降低光電子共振電離產(chǎn)生負(fù)離子裝置中SF6氣體中SO 2的飛行時(shí)間質(zhì)譜圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0020]結(jié)合圖1，一種抑制低能光電子共振電離產(chǎn)生負(fù)離子的裝置，其特征在于:包括推斥電極2，所述推斥電極2中心的正上方設(shè)置有紫外光源I，通過推斥電極2的壁上設(shè)置有放置毛細(xì)管3的通孔10，且毛細(xì)管(3)通過壁上的通孔10延伸到達(dá)電離區(qū)9，樣品氣體通過毛細(xì)管3，經(jīng)推斥電極2壁上的通孔10到達(dá)電離區(qū)，紫外光源I發(fā)射的紫外光也通過推斥電極2的中心圓孔進(jìn)入電離區(qū)9，推斥電極2下方設(shè)置有聚焦電極5，聚焦電極5為圓環(huán)金屬電極，其外側(cè)還套有磁鐵環(huán)4，所述聚焦電極5下方設(shè)置有帶圓孔的引出電極6，引出電