透明led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及透明LED應(yīng)用領(lǐng)域，特別是一種透明LED封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED，其可將電能轉(zhuǎn)化為光能。LED具有高效、環(huán)保、節(jié)能、使用壽命長(zhǎng)等傳統(tǒng)燈具所不具備的優(yōu)點(diǎn)而被大規(guī)模推廣應(yīng)用。隨著LED技術(shù)的發(fā)展，LED產(chǎn)品的種類越來(lái)越豐富、性能越來(lái)越好。其中，透明LED發(fā)光領(lǐng)域是一個(gè)LED應(yīng)用推廣的重要領(lǐng)域，其廣泛應(yīng)用于商場(chǎng)、大廈、廣告牌等需要透明顯示的地方?，F(xiàn)有的透明LED產(chǎn)品中，普遍還存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、生產(chǎn)工藝復(fù)雜、生產(chǎn)困難、生產(chǎn)成本高、LED模塊透光率偏低、性能不穩(wěn)定等技術(shù)缺陷，嚴(yán)重限制了透明LED產(chǎn)品進(jìn)一步推廣應(yīng)用和技術(shù)創(chuàng)新。
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種新的技術(shù)方案以解決現(xiàn)存的技術(shù)問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種透明LED封裝結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有透明LED產(chǎn)品結(jié)構(gòu)復(fù)雜、生產(chǎn)工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本高、透光率低、性能不穩(wěn)定等技術(shù)缺陷。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]透明LED封裝結(jié)構(gòu)，包括透明LED基板和封裝在所述透明LED基板上的LED發(fā)光體，所述透明LED基板內(nèi)具有絕緣層、透明薄膜導(dǎo)電層及表面覆膜。
[0007]作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述LED發(fā)光體的封裝在透明LED基板上后，LED發(fā)光體的兩極電性連接到透明LED基板內(nèi)透明薄膜導(dǎo)電層上對(duì)應(yīng)的電極上。
[0008]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述LED發(fā)光體為L(zhǎng)ED芯片，所述LED芯片通過(guò)透明絕緣固晶膠固定在兩個(gè)導(dǎo)電接觸點(diǎn)之間。
[0009]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述透明薄膜導(dǎo)電層為GZO薄膜導(dǎo)電層。
[0010]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述GZO薄膜導(dǎo)電層的厚度為300nm-550nm。
[0011]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述GZO薄膜導(dǎo)電層的透光率大于或等于85%。
[0012]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述透明LED基板內(nèi)具有一層或多層GZO薄膜導(dǎo)電層，其和絕緣層間隔涂覆，最表面的一層GZO薄膜導(dǎo)電層上表面涂覆有所述的表面覆膜。
[0013]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述絕緣層為透明絕緣聚合物薄膜。
[0014]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述表面覆膜為厚度5?20nm的DLC透明薄膜。
[0015]作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述所述透明LED基板的一面或兩面封裝有LED發(fā)光體。
[0016]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型提供了一種透明LED封裝結(jié)構(gòu)，該種LED封裝結(jié)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，可以極大地簡(jiǎn)化生產(chǎn)該種透明LED封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝，有效降低生產(chǎn)難度，進(jìn)一步可降低生產(chǎn)成本，經(jīng)濟(jì)效益更好；另外，采用GZO薄膜導(dǎo)電層作為透明薄膜導(dǎo)電層，可有效提高該種LED產(chǎn)品的透光率和性能的穩(wěn)定性，整體性能得到極大提升。該種透明LED封裝結(jié)構(gòu)解決了現(xiàn)有透明LED產(chǎn)品結(jié)構(gòu)復(fù)雜、生產(chǎn)工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本高、透光率低、性能不穩(wěn)定等技術(shù)缺陷。
【附圖說(shuō)明】
[0017]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
[0018]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2是圖1中A的局部放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下將結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果進(jìn)行清楚、完整地描述，以充分地理解本實(shí)用新型的目的、特征和效果。顯然，所描述的實(shí)施例只是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例，基于本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的其他實(shí)施例，均屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。另外，專利中涉及到的所有聯(lián)接/連接關(guān)系，并非單指構(gòu)件直接相接，而是指可根據(jù)具體實(shí)施情況，通過(guò)添加或減少聯(lián)接輔件，來(lái)組成更優(yōu)的聯(lián)接結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型創(chuàng)造中的各個(gè)技術(shù)特征，在不互相矛盾沖突的前提下可以交互組合，參照?qǐng)D1、圖2。
[0021 ] 透明LED封裝結(jié)構(gòu)，包括透明LED基板I和封裝在所述透明LED基板I上的LED發(fā)光體2，所述透明LED基板I內(nèi)具有絕緣層、透明薄膜導(dǎo)電層及表面覆膜。
[0022]優(yōu)選地，所述LED發(fā)光體2的封裝在透明LED基板I上后，LED發(fā)光體2的兩極電性連接到透明LED基板I內(nèi)透明薄膜導(dǎo)電層上對(duì)應(yīng)的電極上。
[0023]優(yōu)選地，所述LED發(fā)光體2為L(zhǎng)ED芯片，所述LED芯片通過(guò)透明絕緣固晶膠固定在兩個(gè)導(dǎo)電接觸點(diǎn)之間。
[0024]優(yōu)選地，所述透明薄膜導(dǎo)電層為GZO薄膜導(dǎo)電層。
[0025]優(yōu)選地，所述GZO薄膜導(dǎo)電層的厚度為300nm-550nm。
[0026]優(yōu)選地，所述GZO薄膜導(dǎo)電層的透光率大于或等于85%。
[0027]優(yōu)選地，所述透明LED基板I內(nèi)具有一層或多層GZO薄膜導(dǎo)電層，其和絕緣層間隔涂覆，最表面的一層GZO薄膜導(dǎo)電層上表面涂覆有所述的表面覆膜。
[0028]優(yōu)選地，所述絕緣層為透明絕緣聚合物薄膜。
[0029]優(yōu)選地，所述表面覆膜為厚度5?20nm的DLC透明薄膜。
[0030]優(yōu)選地，所述所述透明LED基板I的一面或兩面封裝有LED發(fā)光體。
[0031 ] 該種透明LED封裝結(jié)構(gòu)中，透明薄膜材料為GZO材料，該種材料相比于現(xiàn)有的ITO等透明LED材料具有多種優(yōu)勢(shì)，如，GZO薄膜的透明LED顯示屏的透明度達(dá)到90%，在長(zhǎng)時(shí)間的連續(xù)使用情況下能夠保證穩(wěn)定、正常顯示，性能穩(wěn)定性高；GZ0透明薄膜材料在可見(jiàn)光波段平均透過(guò)率達(dá)到90%，有利于光的提取，透光率高，遠(yuǎn)高于ITO材料75%的水平；另外，當(dāng)GZO薄膜的厚度為300nm時(shí)，透過(guò)率為86.8%，當(dāng)薄膜的厚度增加時(shí)，透過(guò)率的厚度有所提高，并在500nm時(shí)達(dá)到最高的97.9%，此時(shí)GZO的光透過(guò)率最高，此時(shí)透明LED的性能最好，但是，過(guò)厚的GZO薄膜厚度意味著要消耗更多的材料和濺射時(shí)間，所以GZO的最佳厚度要根據(jù)實(shí)施本實(shí)用新型時(shí)的具體條件及平衡器件性能和成本兩方面考慮。
[0032]在實(shí)施本實(shí)用新型時(shí)，該種透明LED封裝結(jié)構(gòu)可以成條狀設(shè)計(jì)或板狀設(shè)計(jì)，封裝的LED發(fā)光體2的個(gè)數(shù)可以根據(jù)具體的實(shí)施條件決定。
[0033]以上是對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施進(jìn)行了具體說(shuō)明，但本實(shí)用新型創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實(shí)用新型精神的前提下還可做出種種的等同變形或替換，這些等同的變形或替換均包含在本申請(qǐng)權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括透明LED基板(I)和封裝在所述透明LED基板(I)上的LED發(fā)光體(2)，所述透明LED基板(I)內(nèi)具有絕緣層、透明薄膜導(dǎo)電層及表面覆膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述LED發(fā)光體(2)的封裝在透明LED基板(I)上后，LED發(fā)光體(2)的兩極電性連接到透明LED基板(I)內(nèi)透明薄膜導(dǎo)電層上對(duì)應(yīng)的電極上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述LED發(fā)光體(2)為L(zhǎng)ED芯片，所述LED芯片通過(guò)透明絕緣固晶膠固定在兩個(gè)導(dǎo)電接觸點(diǎn)之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述透明薄膜導(dǎo)電層為GZO薄膜導(dǎo)電層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述GZO薄膜導(dǎo)電層的厚度為 300nm-550nm。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述GZO薄膜導(dǎo)電層的透光率大于或等于85%。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述透明LED基板(I)內(nèi)具有一層或多層GZO薄膜導(dǎo)電層，其和絕緣層間隔涂覆，最表面的一層GZO薄膜導(dǎo)電層上表面涂覆有所述的表面覆膜。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣層為透明絕緣聚合物薄膜。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述表面覆膜為厚度5?20nm的DLC透明薄膜。10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的透明LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述所述透明LED基板(I)的一面或兩面封裝有LED發(fā)光體。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種透明LED封裝結(jié)構(gòu)，包括透明LED基板和封裝在所述透明LED基板上的LED發(fā)光體，所述透明LED基板內(nèi)具有絕緣層、透明薄膜導(dǎo)電層及表面覆膜，所述LED發(fā)光體的封裝在透明LED基板上后，LED發(fā)光體的兩極電性連接到透明LED基板內(nèi)透明薄膜導(dǎo)電層上對(duì)應(yīng)的電極上，所述LED發(fā)光體為L(zhǎng)ED芯片，所述LED芯片通過(guò)透明絕緣固晶膠固定在兩個(gè)導(dǎo)電接觸點(diǎn)之間，所述透明薄膜導(dǎo)電層為GZO薄膜導(dǎo)電層，所述GZO薄膜導(dǎo)電層的厚度為300nm-550nm。該種透明LED封裝結(jié)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單、生產(chǎn)難度低、產(chǎn)品透光率高、性能穩(wěn)定、使用壽命長(zhǎng)等現(xiàn)有產(chǎn)品所不具備的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H01L33/42, H01L33/48
【公開(kāi)號(hào)】CN204668354
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520334055
【發(fā)明人】王潛, 向健勇, 肖梅貞
【申請(qǐng)人】深圳市聯(lián)建光電股份有限公司, 深圳市聯(lián)建光電有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月23日
【申請(qǐng)日】2015年5月21日