基板及使用該基板的集成電路封裝體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是關(guān)于半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別是關(guān)于基板及使用該基板的集成電路封裝體。
【背景技術(shù)】
[0002]目前實(shí)現(xiàn)集成電路封裝體的電磁屏蔽方式基本有兩種:一種是使用適形屏蔽(conformal shielding)，另一種則是使用分段型屏蔽(compartment shielding)。其中適形屏蔽是指在封裝過程中以金屬濺鍍、噴涂或其他鍍膜方式在封裝體的絕緣殼體外圍形成屏蔽層。該屏蔽層會與外露于基板的接地組件接觸，藉此屏蔽層可防止封裝體內(nèi)的集成電路遭受外部的電磁干擾。而分段型屏蔽則通過在絕緣殼體內(nèi)切割一通孔使內(nèi)部的接地和測試組件外露，再向通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，然后再以金屬濺鍍、噴涂或其他鍍膜方式在封裝體的絕緣殼體外圍形成屏蔽層，如此可以防止集成電路內(nèi)的射頻組件相互干擾。
[0003]以金屬濺鍍、噴涂或其他鍍膜方式等方式形成屏蔽層，替代原有的鐵蓋使得集成電路封裝體體積比使用鐵蓋小且形狀較有彈性。然而，這些屏蔽封裝結(jié)構(gòu)容易因基板裁切不佳、遮蔽層厚度不均或遮蔽層與基板內(nèi)的接地組件接觸不良而存在屏蔽效果欠佳的問題。因此，為保證集成電路封裝體的質(zhì)量，需對屏蔽效果進(jìn)行檢測。例如使用X光掃描或抽樣剖切，如此勢必需要使用昂貴的X光掃描設(shè)備或破壞成品，一方面增加了生產(chǎn)的成本，另一方面也存在漏檢的可能而難以保證檢測的質(zhì)量。
[0004]因此，需要改進(jìn)的集成電路封裝體的屏蔽效果檢測方式。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的之一在于提供改進(jìn)的基板及使用該基板的集成電路封裝體。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的集成電路封裝體包含:一基板、多個芯片、一絕緣殼體、多個分段屏蔽導(dǎo)電柱，及一適形屏蔽層。該基板具有互連的多個接地組件及獨(dú)立于該多個接地組件的多個測試組件。多個芯片安裝于該基板的上表面上。絕緣殼體遮蔽該基板的上表面及該多個芯片。多個分段屏蔽導(dǎo)電柱分別上下貫穿該絕緣殼體而連接該測試組件及接地組件。適形屏蔽層遮蔽該絕緣殼體。其中該多個接地組件中的至少一者與該適形屏蔽層直接連接；測試組件中每一者包含上通孔與下通孔，該上通孔與該下通孔之間對應(yīng)該分段屏蔽導(dǎo)電柱中相應(yīng)者設(shè)置一金屬阻隔板，該金屬阻隔板的水平尺寸大于等于該相應(yīng)分段屏蔽導(dǎo)電柱在該絕緣殼體上表面的開口尺寸。
[0007]在一實(shí)施例中，該多個接地組件包含多個接地板，該金屬阻隔板與該多個接地板位于該基板的同一層。該分段屏蔽導(dǎo)電柱材料是導(dǎo)電組合物或金屬。
[0008]本實(shí)用新型的另一實(shí)施例還提供了用于上述集成電路封裝體的基板。
[0009]本實(shí)用新型的基板和集成電路封裝體使得簡單、低成本、非破壞性方式檢測集成電路封裝體的屏蔽效果成為可能，進(jìn)而可提尚廣品良率。
【附圖說明】
[0010]圖1是一集成電路封裝體的剖視示意圖
[0011]圖2所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝體
[0012]圖3所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝體的俯視剖面示意圖
【具體實(shí)施方式】
[0013]為更好的理解本實(shí)用新型的精神，以下結(jié)合本實(shí)用新型的部分優(yōu)選實(shí)施例對其作進(jìn)一步說明。
[0014]一種簡單的檢測集成電路封裝體的屏蔽效果的方法是在基板上設(shè)置至少一個獨(dú)立測點(diǎn)，通過測量該獨(dú)立測點(diǎn)與另一獨(dú)立測點(diǎn)、或與其它接地組件測點(diǎn)間的電阻值即可判斷屏蔽制程是否有問題。
[0015]圖1是一集成電路封裝體10的剖視示意圖。如圖1所示，該集成電路封裝體10包含:一基板12、多個芯片14、一絕緣殼體16、一適形屏蔽層18及一分段屏蔽導(dǎo)電柱11。該基板12具有互連的多個接地組件120及獨(dú)立于該多個接地組件120的多個測試組件122。該多個接地組件120包含一連串的接地通孔121及多個接地板123，而該測試組件122則是夾在這些接地通孔121之間的獨(dú)立通孔。該獨(dú)立通孔包含上通孔部125與下通孔部127，兩者之間可由跡線128等連接在一起。芯片14安裝于該基板12的上表面上。絕緣殼體16遮蔽該基板12的上表面及該芯片14。而屏蔽層18則遮蔽該絕緣殼體16及該基板12，其中至少一位于基板12側(cè)邊的接地通孔121與該屏蔽層18直接連接，分段屏蔽導(dǎo)電柱11位于需電磁防護(hù)的芯片14中間，與位于基板12上層的測試組件122上通孔部125及接地通孔(未示出)連接。該測試組件122通過上下貫穿該絕緣殼體16的分段屏蔽導(dǎo)電柱11與該屏蔽層18連接。
[0016]藉由測量測試組件122，即獨(dú)立通孔與另一獨(dú)立通孔、或接地通孔121間的電阻值可驗(yàn)證集成電路封裝體10的屏蔽制程是否成功。然而，對該類型的集成電路封裝體10而言，形成導(dǎo)電柱分段屏蔽導(dǎo)電柱11勢必需要先使用激光在絕緣殼體16上切割通孔方可。由圖1可知，因測試組件122是獨(dú)立通孔，其與周圍的金屬存在一定間隙，例如上通孔部125與下方的接地板123間在水平方向上存在一定空隙。加之測試組件122上方也無任何金屬覆蓋，一旦激光的切割能量沒控制好，基板12內(nèi)部的介電材質(zhì)就可能被激光打穿，進(jìn)而影響到內(nèi)層電路的特性。在圖1中，打穿的通孔可能直達(dá)上通孔部125下方的跡線130。如此，后續(xù)形成的分段屏蔽導(dǎo)電柱11會與該跡線130連接，從而導(dǎo)致該集成電路封裝體10失效。
[0017]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的基板及使用該基板的集成電路封裝體則可很好的解決上述問題。
[0018]圖2所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝體20。如圖2所示，該集成電路封裝體20是適形屏蔽結(jié)構(gòu)，其包含:基板22、安裝于該基板22的上表面上的多個芯片24、多個分段屏蔽導(dǎo)電柱21、遮蔽該基板22上表面及芯片24的絕緣殼體26，及遮蔽該基板22及該絕緣殼體26的適形屏蔽層28。該多個芯片24可以是相同或不同類型。
[0019]具體的，該基板22具有互連的多個接地組件220及獨(dú)立于該多個接地組件220的測試組件222。該多個接地組件220包含多個接地通孔221及多個接地板223，該多個接地通孔221分別與接地板223連接。該多個接地組件220中的至少一者，如至少一接地通孔221暴露于絕緣殼體26的側(cè)壁而與該適形屏蔽層28直接連接。該測試組件222包含上通孔225與下通孔227，兩者之間設(shè)置一金屬阻隔板229。為制程方便，可在形成接地板223的同時形成該金屬阻隔板229，即該金屬阻隔板229與至少一接地板223位于該基板22的同一層。雖然附圖1的跡線128與附圖2中的金屬阻隔板229在視圖中難以體現(xiàn)其各自的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，然本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)清楚理解跡線128與本發(fā)明實(shí)施例中的金屬阻隔板229的區(qū)別。該測試組件222的上通孔225通過上下貫穿該絕緣殼體26的分段屏蔽導(dǎo)電柱21可與該適形屏蔽層28實(shí)現(xiàn)電連接，下通孔227貫穿至基板22底面并可通過金屬阻隔板229與上通孔225實(shí)現(xiàn)電連接。該分段屏蔽導(dǎo)電柱21材料可以是導(dǎo)電組合物或金屬。鑒于分段屏蔽導(dǎo)電柱21所填充的通孔(未示出)大致是垂直的，金屬阻隔板229的水平尺寸大于等于該分段屏蔽導(dǎo)電柱21在該絕緣殼體26上表面的開口尺寸即可有效避免激光打孔時打穿基板22。適形屏蔽層28可以金屬濺鍍、噴涂或其它鍍膜方式包覆絕緣殼體26外圍而形成。基板22的底面暴露于適形屏蔽層28外，其信號端子(未示出)與該適形屏蔽層28絕緣。
[0020]圖3所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝體20的俯視剖面示意圖。如圖3所示，該集成電路封裝體20設(shè)有多個接地通孔221和多個測試組件222，分別呈現(xiàn)為多個接地點(diǎn)231和多個獨(dú)立測試點(diǎn)232。通過測量任意接地點(diǎn)231與獨(dú)立測試點(diǎn)232之間的電阻值并進(jìn)行比較即可知道屏蔽制程是否有誤。如果分別測量各獨(dú)立測試點(diǎn)232與另一獨(dú)立測試點(diǎn)、或接地點(diǎn)231間的電阻值進(jìn)行比較，發(fā)現(xiàn)基于其中一獨(dú)立測試點(diǎn)232測得的電阻值與其它獨(dú)立測試點(diǎn)232有明顯不同，則可證明該獨(dú)立測試點(diǎn)232附近的制程有問題。無需使用昂貴的透視儀器，無需破外產(chǎn)品結(jié)構(gòu)也不必?fù)?dān)心會破壞產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。
[0021]本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實(shí)用新型的教示及揭示而作種種不背離本實(shí)用新型精神的替換及修飾。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實(shí)用新型的替換及修飾，并為本專利申請權(quán)利要求書所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種集成電路封裝體，包含: 一基板，具有互連的多個接地元件及獨(dú)立于所述多個接地元件的多個測試元件； 多個芯片，安裝于所述基板的上表面上； 一絕緣殼體，遮蔽所述基板的上表面及所述多個芯片； 多個分段屏蔽導(dǎo)電柱，分別上下貫穿所述絕緣殼體而連接所述測試元件及接地元件； 一適形屏蔽層，遮蔽所述絕緣殼體，其中所述多個接地元件中的至少一者與所述適形屏蔽層直接連接； 其特征在于所述多個測試元件中每一者包含上通孔與下通孔，所述上通孔與所述下通孔之間對應(yīng)所述分段屏蔽導(dǎo)電柱中相應(yīng)者設(shè)置一金屬阻隔板，所述金屬阻隔板的水平尺寸大于等于該相應(yīng)分段屏蔽導(dǎo)電柱在所述絕緣殼體上表面的開口尺寸。2.如權(quán)利要求1所述的集成電路封裝體，其特征在于所述多個接地元件包含多個接地板，所述金屬阻隔板與所述多個接地板位于所述基板的同一層。3.如權(quán)利要求1所述的集成電路封裝體，其特征在于所述分段屏蔽導(dǎo)電柱材料是導(dǎo)電組合物或金屬。4.一種基板，用于半導(dǎo)體封裝；所述基板包含: 互連的多個接地元件，包含多個接地板?’及 多個測試元件，獨(dú)立于所述多個接地元件； 其特征在于所述多個測試元件中每一者包含上通孔與下通孔，所述上通孔與所述下通孔之間設(shè)置一金屬阻隔板，所述金屬阻隔板與所述多個接地板位于所述基板的同一層。
【專利摘要】本實(shí)用新型是關(guān)于基板及使用該基板的集成電路封裝體。根據(jù)一實(shí)施例的集成電路封裝體包含：基板，其具有互連的多個接地元件及獨(dú)立于該多個接地元件的測試元件；多個安裝于基板上表面上的芯片；遮蔽基板上表面及芯片的絕緣殼體；分別上下貫穿絕緣殼體而連接該測試組件及接地組件的多個分段屏蔽導(dǎo)電柱，及遮蔽該絕緣殼體的適形屏蔽層；其中至少一接地元件與該適形屏蔽層直接連接。各測試元件的上通孔與該下通孔之間設(shè)置一金屬阻隔板，該金屬阻隔板的水平尺寸大于等于該導(dǎo)電柱在該絕緣殼體上表面的開口尺寸。本實(shí)用新型使得簡單、低成本、非破壞性方式檢測集成電路封裝體的屏蔽效果成為可能，進(jìn)而可提高產(chǎn)品良率。
【IPC分類】H01L23/60
【公開號】CN204680668
【申請?zhí)枴緾N201520363916
【發(fā)明人】丁兆明, 李榮哲, 郭桂冠
【申請人】蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司, 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年5月29日