導(dǎo)線框架和使用該導(dǎo)線框架的功率集成電路封裝件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型大體上涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及導(dǎo)線框架和使用該導(dǎo)線框架的功率集成電路封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]在對功率集成電路封裝件進(jìn)行高壓隔離測試時，常常存在著輸入端和輸出端短路的問題。造成這一問題的主要原因在于:在對功率集成電路封裝僅進(jìn)行高壓測試時，在封裝件的輸入端和輸出端間會產(chǎn)生電弧，電弧可進(jìn)一步沿著封裝體流經(jīng)支撐件；由于目前常見的支撐件通常為整體弧形結(jié)構(gòu)，爬電(creepage distance)距離較短，從而導(dǎo)致功率集成電路封裝件的輸入端和輸出端短路。
[0003]舉例而目，圖1是一現(xiàn)有功率集成電路封裝件的結(jié)構(gòu)不意圖。如圖1所不，該現(xiàn)有功率集成電路封裝件10，其包含的支撐件110分別位于功率集成電路封裝件10的相對側(cè)，且每一側(cè)的支撐件110都為整體弧形結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致該支撐件110兩端的爬電間距，即安全距離較短。在對該功率集成電路封裝件10進(jìn)行高壓測試時，電弧會流經(jīng)該支撐件，導(dǎo)致該功率集成電路封裝件10的輸入端和輸出端短路。
[0004]功率集成電路封裝輸入端和輸出端的短路會影響封裝件內(nèi)部的芯片，嚴(yán)重的可能直接損壞封裝件內(nèi)部的芯片，從而影響功率集成電路封裝件的質(zhì)量，進(jìn)而影響產(chǎn)品良率。
[0005]因此，現(xiàn)有的功率集成電路封裝結(jié)構(gòu)需進(jìn)一步改進(jìn)，以避免其輸入端和輸出端的電弧通過支撐件產(chǎn)生爬電而造成輸入端和輸出端間的短路。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本實用新型的目的之一在于提供一線框架和使用該導(dǎo)線框架的功率集成電路封裝件，其可有效降低對功率集成電路封裝件進(jìn)行高壓隔離測試的失敗率，從而提高產(chǎn)品通過率。
[0007]根據(jù)本實用新型一實施例，一用于功率集成電路封裝的導(dǎo)線框架，其包括:外框及多個導(dǎo)線框架單元，其中，多個導(dǎo)線框架單元中的每一者具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)，及相對的第三側(cè)與第四側(cè)。每一導(dǎo)線框架單元包含:第一芯片承載座；第二芯片承載座；多個輸入引腳，連接于第一芯片承載座與第一側(cè)之間；多個輸出引腳，連接于第二芯片承載座與第二側(cè)之間；以及一對支撐件，分別位于導(dǎo)線框架單元的第三側(cè)與第四側(cè)；且每一支撐件包含間隔開一安全距離的第一支撐桿和第二支撐桿。
[0008]根據(jù)本實用新型的另一實施例，該用于功率集成電路封裝的導(dǎo)線框架中的第一支撐桿和第二支撐桿間隔的安全距離不小于650um。根據(jù)本實用新型的另一實施例，該用于功率集成電路封裝的導(dǎo)線框架中的第一支撐桿和第二支撐桿的形狀為鉤狀。
[0009]本實用新型的一實施例還提供了一功率集成電路封裝件，其具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)，及相對的第三側(cè)與第四側(cè)。該功率集成電路封裝件包括:控制芯片，其經(jīng)配置以設(shè)置于第一芯片承載座上；該控制芯片用于接收輸入信號；功率芯片，其經(jīng)配置以設(shè)置于第二芯片承載座上；該功率芯片用于發(fā)送輸出信號；多個輸入引腳，延伸于所述第一芯片承載座與所述第一側(cè)之間；多個輸出引腳，延伸于所述第二芯片承載座與所述第二側(cè)之間；一對支撐件，分別位于所述第三側(cè)與第四側(cè)，且每一支撐件包含間隔開一安全距離的第一支撐桿和第二支撐桿；以及封裝殼體，其覆蓋控制芯片、功率芯片以及一對支撐件。
[0010]根據(jù)本實用新型的另一實施例，該功率集成電路封裝件所應(yīng)用的電壓小于10千伏。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型實施例提供的導(dǎo)線框架和使用該導(dǎo)線框架的功率集成電路封裝件在高壓隔離測試時，能有效防止其輸入端與輸出端間產(chǎn)生電弧爬電現(xiàn)象，提高測試的準(zhǔn)確率和產(chǎn)品良率，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0012]圖1是一現(xiàn)有功率集成電路封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2是根據(jù)本實用新型一實施例的用于功率集成電路封裝的導(dǎo)線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3是根據(jù)本實用新型一實施例的功率集成電路封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0015]為更好的理解本實用新型的精神，以下結(jié)合本實用新型的部分優(yōu)選實施例對其作進(jìn)一步說明。
[0016]圖2是根據(jù)本實用新型一實施例的用于功率集成電路的導(dǎo)線框架20的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]如圖2所示，根據(jù)本實用新型一實施例的用于功率集成電路封裝的導(dǎo)線框架20包括:外框200及多個導(dǎo)線框架單元220。簡單起見，本示意圖僅示例了其中一個導(dǎo)線框架單元220的結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)線框架單元220中具有相對的第一側(cè)202與第二側(cè)204，及相對的第三側(cè)206與第四側(cè)208 ;且包含:第一芯片承載座221、第二芯片承載座222、多個輸入引腳223、多個輸出引腳224，以及一對支撐件225。該多個輸入引腳223連接于第一芯片承載座221與第一側(cè)202之間。該多個輸出引腳224連接于第二芯片承載座222與第二側(cè)204之間。而該對支撐件225分別自相應(yīng)外框220處延伸于導(dǎo)線框架單元220的第三側(cè)206與第四側(cè)208。為了避免在高壓隔離測試時爬電距離較短產(chǎn)生短路，每一支撐件225設(shè)計為包含間隔開一安全距離的第一支撐桿226和第二支撐桿227。該第一支撐桿226和第二支撐桿227間隔的安全距離不小于650um，其可適用于應(yīng)用電壓不小于10千伏的功率集成電路封裝。第一支撐桿226和第二支撐桿227的形狀不限，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)需要將其設(shè)計為直條形或鉤狀等多種形狀。
[0018]在使用該導(dǎo)線框架20進(jìn)行封裝時，塑封后的修整處理首先需要對導(dǎo)線框架單元220第一側(cè)202和第二側(cè)204的連接支架240進(jìn)行切割處理，使導(dǎo)線架單元220與連接支架240分離；隨后進(jìn)行成型處理；最后對第三側(cè)206和第四側(cè)208的第一支撐桿226和第二支撐桿227的外延部分進(jìn)行切割。此處理工藝順序的好處在于:當(dāng)導(dǎo)線框架20被切割后，起支撐作用的第一支撐桿226和第二支撐桿227能有效避免導(dǎo)線架單元220掉落到機(jī)臺上。
[0019]此外，由于支撐件225設(shè)計為分離的兩個支撐桿而非但以整體，且兩個支撐桿之間具有最小安全距離，當(dāng)對半導(dǎo)體封裝件30進(jìn)行高壓(如10KV)隔離測試時，將有效避免半導(dǎo)體封裝件30輸入端和輸出端由于爬電現(xiàn)象引起的短路情況。根據(jù)本實用新型一實施例，安全距離大于650um時，半導(dǎo)體封裝件30能支持600V-11KV的大范圍電壓輸入。
[0020]圖3是根據(jù)本實用新型一實施例的功率集成電路封裝件30的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]如圖3所示，根據(jù)本實用新型一實施例的包含本實用新型實施例中一功率集成電路封裝件30，其具有相對的第一側(cè)202與第二側(cè)204，及相對的第三側(cè)206與第四側(cè)208。該功率集成電路封裝件30包括:控制芯片302、功率芯片304、多個輸入引腳223、多個輸出引腳224、一對支撐件225以及封裝殼體(未示出)。該控制芯片302設(shè)置于芯片第一承載座221上且該控制芯片302用于接收輸入信號。功率芯片304設(shè)置于第二芯片承載座222上且該功率芯片304用于發(fā)送輸出信號。多個輸入引腳223延伸于該第一芯片承載座221與第一側(cè)202之間；多個輸出引腳224延伸于第二芯片承載座222與第二側(cè)204之間。一對支撐件225分別位于第三側(cè)206與第四側(cè)208，且每一支撐件225包含間隔開一安全距離的第一支撐桿226和第二支撐桿227。封裝殼體(未示出)覆蓋控制芯片302、功率芯片304、第一支撐桿226和第二支撐桿227 ;且該第一支撐桿226和第二支撐桿227間隔的安全距離不小于650um。
[0022]本實用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實用新型的教示及揭示而作種種不背離本實用新型精神的替換及修飾。因此，本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實用新型的替換及修飾，并為本專利申請權(quán)利要求書所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種用于功率集成電路封裝的導(dǎo)線框架，其特征在于其包括: 外框；以及 多個導(dǎo)線框架單元，所述多個導(dǎo)線框架單元中的每一者具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)，及相對的第三側(cè)與第四側(cè)；所述每一導(dǎo)線框架單元包含: 第一芯片承載座； 第二芯片承載座； 多個輸入引腳，連接于所述第一芯片承載座與所述第一側(cè)之間； 多個輸出引腳，連接于所述第二芯片承載座與所述第二側(cè)之間； 以及 一對支撐件，分別位于所述導(dǎo)線框架單元的所述第三側(cè)與第四側(cè)；且每一支撐件包含間隔開一安全距離的第一支撐桿和第二支撐桿。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于功率集成電路封裝的導(dǎo)線框架，其特征在于所述第一支撐桿和所述第二支撐桿間隔的所述安全距離不小于650um。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于功率集成電路封裝的導(dǎo)線框架，其特征在于所述第一支撐桿和第二支撐桿的形狀為鉤狀。4.一種功率集成電路封裝件，其特征在于所述功率集成電路封裝件具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)，及相對的第三側(cè)與第四側(cè)；所述功率集成電路封裝件包括: 控制芯片，其經(jīng)配置以設(shè)置于第一芯片承載座上；所述控制芯片用于接收輸入信號； 功率芯片，其經(jīng)配置以設(shè)置于第二芯片承載座上；所述功率芯片用于發(fā)送輸出信號； 多個輸入引腳，延伸于所述第一芯片承載座與所述第一側(cè)之間； 多個輸出引腳，延伸于所述第二芯片承載座與所述第二側(cè)之間； 一對支撐件，分別位于所述第三側(cè)與第四側(cè)，且每一支撐件包含間隔開一安全距離的第一支撐桿和第二支撐桿；以及 封裝殼體，其覆蓋所述控制芯片、所述功率芯片以及所述對支撐件。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率集成電路封裝件，其特征在于所述第一支撐桿和所述第二支撐桿間隔的所述安全距離不小于650um。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率集成電路封裝件，其特征在于所述第一支撐桿和第二支撐桿的形狀為鉤狀。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率集成電路封裝件，其特征在于所述的功率集成電路封裝件所應(yīng)用的電壓小于10千伏。
【專利摘要】本實用新型涉及導(dǎo)線框架和使用該導(dǎo)線框架的功率集成電路封裝件。根據(jù)本實用新型一實施例，一功率集成電路封裝件包括：設(shè)置于第一芯片承載座上的控制芯片，其用于接收輸入信號；設(shè)置于第二芯片承載座上的功率芯片，其用于發(fā)送輸出信號；延伸于第一芯片承載座與第一側(cè)之間的多個輸入引腳；延伸于第二芯片承載座與第二側(cè)之間的多個輸出引腳；分別位于第三側(cè)與第四側(cè)的一對支撐件，且每一支撐件包含間隔開一安全距離的兩支撐桿；以及封裝殼體，其覆蓋控制芯片、功率芯片以及一對支撐件。該功率集成電路封裝件在高壓隔離測試時，能有效防止其輸入端與輸出端間產(chǎn)生電弧爬電現(xiàn)象，提高測試的準(zhǔn)確率和產(chǎn)品良率，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H01L23/495, H01L25/16
【公開號】CN204857713
【申請?zhí)枴緾N201520570943
【發(fā)明人】吳津丞
【申請人】日月光封裝測試(上海)有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年7月31日