具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及瞬態(tài)電壓抑制器，尤其涉及一種具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器。
【背景技術(shù)】
[0002]瞬態(tài)電壓抑制器是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，它具有極快的響應(yīng)時(shí)間和相當(dāng)高的浪涌吸收能力，被廣泛應(yīng)用于各種數(shù)碼產(chǎn)品中，作為數(shù)據(jù)端口的靜電保護(hù)元件。
[0003]近年來(lái)由于車(chē)用電子應(yīng)用系統(tǒng)快速導(dǎo)入于各種車(chē)載產(chǎn)品上，隨著電子電路的功能復(fù)雜化，多樣化，電子電路系統(tǒng)面對(duì)EMC、穩(wěn)壓?jiǎn)栴}越來(lái)越敏感與脆弱，為此ISO、JASO、AEC等國(guó)際協(xié)會(huì)針對(duì)車(chē)用環(huán)境制定了一系列的EMC要求與品質(zhì)規(guī)范。
[0004]就車(chē)用保護(hù)元件的發(fā)展來(lái)說(shuō)，其發(fā)展方向是在于瞬間EMC能量吸收效率的提升，與元件所能夠負(fù)荷的功率的改進(jìn)上面，以及高溫環(huán)境下的防護(hù)能力。所以功率元件通常需要設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)裝置，用以協(xié)助元件表現(xiàn)出更好的能力。
[0005]目前，JEDEC協(xié)會(huì)所公布的DO-218(AB)元件目前已被考量作為解決車(chē)用EMC問(wèn)題的解決方案之一。然而該瞬態(tài)抑制電壓器扔存在以下不足:(1)該瞬態(tài)抑制電壓器的導(dǎo)線架大多為一體成型長(zhǎng)條型料片，并且導(dǎo)線架與瞬態(tài)電壓抑制晶片的固定端的形狀為不一致，倒置封裝體成型時(shí)所產(chǎn)生的灌膠壓力直接沖擊至上導(dǎo)線架的凸點(diǎn)部，進(jìn)而影響瞬態(tài)電壓抑制晶片的效能，而使得瞬態(tài)電壓抑制晶片無(wú)法有效的達(dá)到可承載功率的理想值；(2)該瞬態(tài)抑制電壓器的散熱底座的晶粒承載部多為一正方體平板，并且承載面積大于瞬態(tài)電壓抑制晶片。因此在利用錫焊將瞬態(tài)電壓抑制晶片焊接于上導(dǎo)線架的凸點(diǎn)部與散熱底座的晶粒承載部時(shí)，焊錫可能會(huì)外溢至瞬態(tài)電壓抑制晶片上，并使瞬態(tài)抑制電壓器功能失效，進(jìn)而嚴(yán)重影響了該瞬態(tài)抑制電壓器封裝可靠度；⑶在瞬間EMC的沖擊下，瞬態(tài)電壓抑制晶片需要上下兩片厚實(shí)的散熱片(散熱座以及導(dǎo)線架)來(lái)吸收瞬間所產(chǎn)生的熱能，導(dǎo)線架為一體成型長(zhǎng)條型料片，在與晶片焊接過(guò)程中會(huì)受熱能產(chǎn)生的應(yīng)力所影響，會(huì)與散熱底座及晶?；ハ嗬?，產(chǎn)生嚴(yán)重的物理應(yīng)力問(wèn)題，造成瞬態(tài)電壓抑制晶片的可靠性降低，而使該瞬態(tài)抑制電壓器無(wú)法負(fù)荷或承載高功率的EMC沖擊。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型針對(duì)上述的因整體結(jié)構(gòu)問(wèn)題導(dǎo)致瞬態(tài)電壓抑制晶片可靠性降低等技術(shù)問(wèn)題，提出一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理、成本低廉、加工方便且能夠提高瞬態(tài)電壓抑制晶片的可靠度以及壽命的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器。
[0007]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為，本實(shí)用新型提供一種具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器，包括散熱座以及設(shè)置在散熱座上方的導(dǎo)線架，所述散熱座以及導(dǎo)線架之間設(shè)置有瞬態(tài)電壓抑制晶片，所述散熱座以及導(dǎo)線架與瞬態(tài)電壓抑制晶片電性連接，所述瞬態(tài)電壓抑制晶片包括與散熱座連接的第一焊接面以及與導(dǎo)線架連接的第二焊接面，所述散熱座以及導(dǎo)線架外包裹有封裝體，所述導(dǎo)線架的一端貫穿封裝體，伸出封裝體夕卜，所述導(dǎo)線架包括與瞬態(tài)電壓抑制晶片固定連接的第一接腳架以及設(shè)置在第一接腳架遠(yuǎn)離瞬態(tài)電壓抑制晶片一端與第一接腳架重合連接的第二接腳架，所述第一接腳架與第二接腳架電性連接。
[0008]作為優(yōu)選，所述散熱座上設(shè)置有連接突起，所述連接突起與第一焊接面固定連接，所述連接突起的形狀與第一焊接面的形狀一致，所述連接突起的面積小于等于第一焊接面的面積。
[0009]作為優(yōu)選，所述散熱座上設(shè)置有沿連接突起外邊緣設(shè)置的方形凹槽。
[0010]作為優(yōu)選，所述第一接腳架包括與第二焊接面連接的固定部以及與第二接腳架重合連接的重合部，所述固定部的形狀與第二焊接面的形狀一致，所述固定部的面積小于等于第二焊接面的面積。
[0011]作為優(yōu)選，所述重合部呈V字型設(shè)置。
[0012]作為優(yōu)選，所述第二接腳架包括與第一接腳架重合連接的連接部以及貫穿封裝體的折彎部，所述重合部呈V字型設(shè)置。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果在于，
[0014]1、本實(shí)用新型通過(guò)第一接腳架以及與第一接腳架重合連接的第二接腳架，改變傳統(tǒng)條狀一體成型的結(jié)構(gòu)，從而解決傳統(tǒng)因?qū)Ь€架呈條狀一體成型所導(dǎo)致瞬態(tài)電壓抑制晶片的可靠性降低的技術(shù)問(wèn)題，進(jìn)而提高了瞬態(tài)電壓抑制晶片的可靠性以及使用壽命。
[0015]2、本實(shí)用新型通過(guò)在散熱座上設(shè)置連接突起，并使連接突起的形狀與與瞬態(tài)電壓抑制晶片的的第一焊接面的形狀一致，且面積小于等于第一焊接面的面積，解決了傳統(tǒng)在加工過(guò)程中，因散熱座連接面面積較大導(dǎo)致的瞬態(tài)抑制電壓器封裝可靠度的技術(shù)問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0016]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為實(shí)施例1提供的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器的剖視圖；
[0018]圖2為實(shí)施例2提供的具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器的剖視圖；
[0019]以上各圖中，1、散熱座；11、連接突起；12、方形凹槽；2、第一接腳架；21、固定部；22、重合部；3、第二接腳架；31、連接部；32、折彎部；4、瞬態(tài)電壓抑制晶片；5、封裝體。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為了能夠更清楚地理解本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0021]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是，本實(shí)用新型還可以采用不同于在此描述的其他方式來(lái)實(shí)施，因此，本實(shí)用新型并不限于下面公開(kāi)說(shuō)明書(shū)的具體實(shí)施例的限制。
[0022]實(shí)施例1，如圖1所示，本實(shí)施例提供一種具有散熱座的瞬態(tài)電壓抑制器，包括散熱座1以及設(shè)置在散熱座1上方的導(dǎo)線架，在散熱座1以及導(dǎo)線架之間設(shè)置有瞬態(tài)電壓抑制晶片4，散熱座1以及導(dǎo)線架與瞬態(tài)電壓抑制晶片4電性連接，瞬態(tài)電壓抑制晶片4包括與散熱座1連接的第一焊接面(圖中未示出)以及與導(dǎo)線架連接的第二焊接面(圖中未示出)，散熱座1以及導(dǎo)線架外包裹有封裝體5，導(dǎo)線架的一端貫穿封裝體，伸出封裝體外，此前結(jié)構(gòu)均為【背景技術(shù)】中，為所提DO-218 (AB)元件的結(jié)構(gòu)，故在本實(shí)施例中，不再詳細(xì)的進(jìn)行描述，導(dǎo)線架包括與瞬態(tài)電壓抑制晶片4固定連接的第一接腳架2以及設(shè)置在第一接腳架2遠(yuǎn)離瞬態(tài)電壓抑制晶片4 一端與第一接腳